一體式摩擦發(fā)電機及振動傳感器的制造方法
【專利摘要】一種一體式摩擦發(fā)電機及振動傳感器。該一體式摩擦發(fā)電機包括層疊設(shè)置的第一電極層，振動摩擦層，和第二電極層；其中，振動摩擦層包括一體設(shè)置的第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有凸出的微框形成的陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)。該一體式摩擦發(fā)電機能夠用作振動傳感器，通過一體化振動摩擦層進行振動摩擦獲得電壓信號，適用于0HZ-55HZ低頻振動的檢測。
【專利說明】一體式摩擦發(fā)電機及振動傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一體式摩擦發(fā)電機及振動傳感器領(lǐng)域，尤其是涉及一種利用振動、低頻響應(yīng)優(yōu)良的摩擦發(fā)電機及振動傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，能源問題是影響人類進步和可持續(xù)發(fā)展的重大課題之一。各種圍繞新能源開發(fā)、可重復利用再生能源的研究正在世界各地如火如荼地進行著。
[0003]采用摩擦技術(shù)構(gòu)建的能量收集和轉(zhuǎn)換裝置，在自供電納米系統(tǒng)中起關(guān)鍵作用。并且，由于其具備環(huán)保、成本低、自驅(qū)動等特性，受到了廣泛關(guān)注。現(xiàn)有壓電傳感器是利用壓電材料受力后產(chǎn)生的壓電效應(yīng)制成的傳感器，已經(jīng)廣泛用于聲學、醫(yī)療、工業(yè)、交通、安防等眾多領(lǐng)域，正逐步改變?nèi)藗兊纳詈凸ぷ鞣绞?，成為社會發(fā)展的趨勢。壓電材料在受到某一方向的外力作用而發(fā)生形變(包括彎曲和伸縮形變)時，由于內(nèi)部電荷的極化現(xiàn)象，會在其表面產(chǎn)生電荷。壓電材料可分為壓電單晶、壓電多晶和有機壓電材料，現(xiàn)有技術(shù)通常采用極化聚偏氟乙烯(PVDF)、聚二氟乙烯和聚三氟乙烯共聚物作為壓電材料。然而,現(xiàn)有技術(shù)中，沒有將摩擦發(fā)電機用于檢測物體振動狀態(tài)的振動傳感器。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供了一種一體式摩擦發(fā)電機，能夠用作振動傳感器，其利用振源產(chǎn)生的振動，通過一體設(shè)置的振動摩擦層進行共振摩擦獲得電壓信號，適用于0HZ-55HZ低頻振動的檢測。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供的第一技術(shù)方案，一種一體式摩擦發(fā)電機，該一體式摩擦發(fā)電機包括層疊設(shè)置的第一電極層，振動摩擦層，和第二電極層；其中，振動摩擦層包括第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層，所述第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層進行一體設(shè)置呈一體式；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有凸出的微框形成的陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對表面上設(shè)置的每個微框的高度高于微納結(jié)構(gòu)的凸起高度。
[0006]前述的一體式摩擦發(fā)電機，所述第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層所用材料是聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠、聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維素海綿薄膜、再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種。
[0007]前述的一體式摩擦發(fā)電機，所述振動摩擦層進一步包括第三高分子聚合物絕緣層，所述第一高分子聚合物絕緣層、第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層進行一體設(shè)置呈一體式；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上，和/或第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有微框形成的陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔，和/或第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)，和/或第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)；第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層相對表面上設(shè)置的每個微框的高度高于微納結(jié)構(gòu)的凸起高度。
[0008]前述的一體式摩擦發(fā)電機，所述第三高分子聚合物絕緣層所用材料是聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠、聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維素海綿薄膜、再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚四氟乙烯(PTFE )、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種。
[0009]前述的一體式摩擦發(fā)電機，每個微框為方框形或中空的圓柱形。
[0010]一體式摩擦發(fā)電機前述的一體式摩擦發(fā)電機，每個微框的高度比微納結(jié)構(gòu)的凸起高度高 10 μ m-500 μ m。
[0011]前述的一體式摩擦發(fā)電機，每個微框的邊長尺寸或直徑尺寸為0.lcm-3cm，其高度為 20 μ m-510 μ m。
[0012]前述的一體式摩擦發(fā)電機，所述微納結(jié)構(gòu)凸起高度為10 μ m-500 μ m。
[0013]前述的一體式摩擦發(fā)電機，第一電極層和第二電極層所用材料是銦錫氧化物、石墨烯、銀納米線膜、金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、錫、鐵、錳、鑰、鶴或鑰;；合金是招合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、銀合金或鉭合金。
[0014]本實用新型提供的第二技術(shù)方案，一種一體式摩擦發(fā)電機在振動傳感器中的應(yīng)用。
[0015]本實用新型一體式摩擦發(fā)電機，利用一體設(shè)置的振動摩擦層進行振動摩擦獲得電壓信號，能夠用做振動傳感器，適用于0Hz-55Hz低頻振動的檢測。本實用新型一體式摩擦發(fā)電機頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間，因此對于心跳和呼吸振動(5Hz以下)而言，具有較強的響應(yīng)能力。
【專利附圖】

【附圖說明】[0016]圖1為本實用新型一體式摩擦發(fā)電機的一種【具體實施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本實用新型一體式摩擦發(fā)電機的振動摩擦層12的剖面圖。
[0018]圖3為本實用新型一體式摩擦發(fā)電機的另一種【具體實施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4 (a)為本實用新型激光刻蝕模板圖案。
[0020]圖4 (b)所示是同時帶有微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜示意圖。
[0021]圖5為聚偏氟乙烯傳感器與本實用新型圖1 一體式摩擦發(fā)電機用作振動傳感器的聲學性能測試示意圖。
[0022]圖6 Ca)為聚偏氟乙烯傳感器探測聲波性能測量信號圖。
[0023]圖6 (b)為聚偏氟乙烯傳感器探測聲波性能濾波信號圖。
[0024]圖7 Ca)為本實用新型振動傳感器探測聲波性能測量信號圖。
[0025]圖7 (b)為本實用新型振動傳感器探測聲波性能濾波信號圖。
[0026]圖8為聚偏氟乙烯傳感器頻譜信號圖。
[0027]圖9為本實用新型振動傳感器頻譜信號圖。
【具體實施方式】
[0028]為充分了解本實用新型之目的、特征及功效，借由下述具體的實施方式，對本實用新型做詳細說明。
[0029]本實用新型一體式摩擦發(fā)電機，利用一體設(shè)置的振動摩擦層進行振動摩擦獲得電壓信號，能夠用做振動傳感器，適用于0HZ-55HZ低頻振動的檢測。
[0030]如圖1所示，本實用新型的一種【具體實施方式】的一體式摩擦發(fā)電機I，該一體式摩擦發(fā)電機I包括層疊設(shè)置的第一電極層11，振動摩擦層12，和第二電極層13 ;其中，振動摩擦層12包括第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122，所述第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置呈一體式。第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置采用常規(guī)方法完成，例如采用膠布將第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122周邊粘貼固定。
[0031]第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有凸出的微框123陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間形成多個空腔124 ;第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個凸起的微納結(jié)構(gòu)125 ;第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對表面上設(shè)置的每個微框123的高度高于微納結(jié)構(gòu)125。微納結(jié)構(gòu)125可以在全部的或部分的空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)置，然而為了增加高分子聚合物絕緣層間的摩擦接觸點，需要在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)置凸起的微納結(jié)構(gòu)125。
[0032]圖2所示是振動摩擦層12的剖面圖，可以看出每個微框123的凸起高度高于微納結(jié)構(gòu)125。本實用新型所述微納結(jié)構(gòu)是指突出于高分子聚合物絕緣層表面平面的微米或納米級別的凸起結(jié)構(gòu)。
[0033]本實用新型所述微框123是指由外周邊圍成的凸起高度為微米級別的方框或圓柱。該外周邊圍成的區(qū)域?qū)?yīng)第一高分子聚合物絕緣層和/或第二高分子聚合物絕緣層表面的空腔區(qū)域。本實用新型微框形成的陣列由多個方框形或中空的圓柱形微框構(gòu)成，每個微框123的平面尺寸為0.lcm-3cm (直徑或邊長)，優(yōu)選0.5cm。該微框形成的陣列中每個微框123的凸起高度為20 μ m-510 μ m,能夠保證第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間形成多個空腔124，確保該一體式摩擦發(fā)電機結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
[0034]當振動引發(fā)一體式摩擦發(fā)電機I結(jié)構(gòu)形變或微小位移，由于第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置，使第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122發(fā)生振動，從而第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間產(chǎn)生摩擦，進一步獲得電壓信號。
[0035]由于第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有微納結(jié)構(gòu)125，且每個微框123的高度高于微納結(jié)構(gòu)125，當振動產(chǎn)生時，微納結(jié)構(gòu)125成為第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間的摩擦接觸點，從而保證了電壓信號的獲得。
[0036]優(yōu)選的，每個微框123的高度比微納結(jié)構(gòu)125的凸起高度高10 μ m_500 μ m，更優(yōu)選高度差為50 μ m。每個微框123高度為20 μ m-510 μ m，微納結(jié)構(gòu)125為凸起高度為10 μ m-500 μ m。
[0037]所述第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122所用材料優(yōu)選不同，可以是聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠、聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維素海綿薄膜、再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種，厚度為100-500 μ m。
[0038]優(yōu)選的，第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122所用材料優(yōu)選為:聚二甲基硅氧烷和聚對苯二甲酸乙二醇酯，丁腈橡膠薄膜和聚酰亞胺薄膜，天然橡膠薄膜和苯乙烯丙烯共聚物薄膜，以及聚甲醛薄膜和聚酰胺薄膜。
[0039]在該實施方式中，第一電極層11和第二電極層13對所用材料沒有特殊規(guī)定，能夠形成導電層的材料都在本實用新型的保護范圍之內(nèi)，例如是銦錫氧化物、石墨烯、銀納米線膜、金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、錫、鐵、錳、鑰、鎢或釩；合金是招合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、銀合金或鉭合金。
[0040]如圖3所示，本實用新型的一種【具體實施方式】的一體式摩擦發(fā)電機2，該一體式摩擦發(fā)電機2包括層疊設(shè)置的第一電極層21，振動摩擦層22，和第二電極層23 ;其中，所述振動摩擦層21包括第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223，所述第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223進行一體設(shè)置呈一體式。第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223進行一體設(shè)置采用常規(guī)方法完成，例如采用膠布將第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223周邊粘貼固定。[0041]第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上，和/或第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有凸出的微框224 (圖3僅示出第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間的微框224)陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間形成多個空腔225，和/或第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223之間形成多個空腔(圖3僅示出第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間的空腔225);第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)226，以及第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)(圖3僅示出第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間的微納結(jié)構(gòu)226);每個微框224的凸起高度高于微納結(jié)構(gòu)226。微納結(jié)構(gòu)可以在全部的或部分的空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)置，然而為了增加高分子聚合物絕緣層間的摩擦接觸點，需要在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)置凸起的微納結(jié)構(gòu)。
[0042]本實用新型所述微框224是指由外周邊圍成的凸起高度為微米級別的方框或圓柱。該外周邊圍成的區(qū)域?qū)?yīng)第一高分子聚合物絕緣層，第二高分子聚合物絕緣層，和/或第三高分子聚合物絕緣層表面的空腔區(qū)域。上述微框形成的陣列由多個方框形或中空的圓柱形微框構(gòu)成，每個微框224的平面尺寸為0.lcm-3cm，優(yōu)選0.5cm。該微框形成的陣列中每個微框224的凸起高度為20 μ m-510 μ m,能夠保證第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間，和/或第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223之間形成多個空腔225，確保該一體式摩擦發(fā)電機結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
[0043]當振動引發(fā)一體式摩擦發(fā)電機2結(jié)構(gòu)形變或微小位移，由于第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223呈一體化，使第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223發(fā)生振動，從而第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間，和/或第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223之間產(chǎn)生摩擦，進一步獲得電壓信號。
[0044]由于第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上，和/或第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上，在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有微納結(jié)構(gòu)226，且每個微框224的高度高于微納結(jié)構(gòu)226，當振動產(chǎn)生時，微納結(jié)構(gòu)226成為第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間，和/或第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223之間的摩擦接觸點，從而保證了電壓信號的獲得。
[0045]優(yōu)選的，每個微框224的高度比微納結(jié)構(gòu)226的凸起高度高10 μ m_500 μ m，更優(yōu)選高度差為50μπι。每個微框224高度為20μπι-510μπι，微納結(jié)構(gòu)226凸起高度為10 μ m-500 μ m。
[0046]所用第二高分子聚合物絕緣層222材料，優(yōu)選與第一高分子聚合物絕緣層221和第三高分子聚合物絕緣層223所用材料不同，所述第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223所用材料可以是聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠、聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維素海綿薄膜、再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種,厚度為100-500 μ m。
[0047]優(yōu)選的，第一高分子聚合物絕緣層221和第三高分子聚合物絕緣層223所用材料優(yōu)選為:聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠薄膜、天然橡膠薄膜和聚甲醛薄膜。第二高分子聚合物絕緣層222所用材料優(yōu)選為聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚酰亞胺薄膜，苯乙烯丙烯共聚物薄膜，以及聚酰胺薄膜。
[0048]在該實施方式中，第一電極層21和第二電極層23對所用材料沒有特殊規(guī)定，能夠形成導電層的材料都在本實用新型的保護范圍之內(nèi)，例如是銦錫氧化物、石墨烯、銀納米線膜、金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、錫、鐵、錳、鑰、鎢或釩；合金是招合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、銀合金或鉭合金。
[0049]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要設(shè)置高分子聚合物絕緣層的數(shù)量，相鄰高分子聚合物絕緣層之間均可以設(shè)置上述微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)。本實用新型微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在同一高分子聚合物絕緣層上，也可以分別設(shè)置在相鄰的兩個高分子聚合物絕緣層上。下面詳細說明微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)設(shè)置在同一高分子聚合物絕緣層上時，模板的制備方法。
[0050]使用激光刻蝕機對亞克力板進行刻蝕，刻蝕出高分子聚合物絕緣層用聚合物薄膜制備的模板，模板圖案如圖4(a)所示，所示點與線為刻蝕部分(凹進去的區(qū)域)，其中刻蝕線圍成的平面尺寸范圍為0.lcm-3cm ;線刻蝕的深度要比點刻蝕的深度大10um-500um。另外，也可以單獨刻蝕點或線，以滿足微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在相鄰的兩個高分子聚合物絕緣層上
[0051]在上述模板上得到聚合物薄膜的方法是常規(guī)現(xiàn)有涂覆、烘干方法。以聚二甲基硅氧烷為例，將混合有固化劑的聚二甲基硅氧烷涂抹在模板上，使用刮膜機在模板的表面得到一定厚度的聚二甲基硅氧烷薄膜，將涂抹有聚二甲基硅氧烷薄膜的模板放入高溫箱中，在80°C的溫度下加熱90分鐘，取出模板，揭下表面的聚二甲基硅氧烷薄膜，得到聚二甲基硅氧烷薄膜。根據(jù)上述模板制備情況，可以得到同時帶有微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷薄膜，或僅帶有微框形成的陣列或微納結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷薄膜。圖4(b)所示是同時帶有微框形成的陣列與微納結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜示意圖。
[0052]本實用新型一體式摩擦發(fā)電機主要應(yīng)用于振動傳感器。
[0053]在一個【具體實施方式】中，一體式摩擦發(fā)電機尺寸為30mmX12mm，總厚度大約是200 μ m。如圖1所示，該振動摩擦發(fā)電機I包括層疊設(shè)置的第一電極層11，振動摩擦層12，和第二電極層13。
[0054]振動摩擦層12包括第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122，第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置呈一體式。
[0055]第一高分子聚合物絕緣層121所用材料是聚二甲基硅氧烷(道康寧，184)，厚度為130 μ m。在第一高分子聚合物絕緣層121朝向第二高分子聚合物絕緣層122的表面上設(shè)置有微框123陣列和微納結(jié)構(gòu)125。微框123陣列由多個方框形微框構(gòu)成,每個微框123邊長為0.5cm,高度為100 μ m，從而第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間形成多個空腔124。微納結(jié)構(gòu)125設(shè)置在第一高分子聚合物絕緣層121面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為50μπι。
[0056]第二高分子聚合物絕緣層122所用材料是聚對苯二甲酸乙二醇酯(ΡΕΤ，永泰塑料)，厚度為50 μ m。第一電極層11和第二電極層13所用材料是鋁箔，厚度為50 μ m。
[0057]圖5所示是聚偏氟乙烯傳感器(PVDF振動傳感器，錦州科信電子材料有限公司)與本實施方式所示一體式摩擦發(fā)電機用作振動傳感器的聲學性能測試示意圖。PVDF振動傳感器的面積為30_X 1.2mm, PVDF厚度為30 μ m。
[0058]將兩個傳感器平行固定，在同一聲源條件下(lkHz，40dB)進行測試。圖6 (a)所示是聚偏氟乙烯傳感器探測聲波性能測量信號圖，圖6 (b)所示是聚偏氟乙烯傳感器探測聲波性能濾波信號圖。圖7 (a)所示是本實施方式振動傳感器探測聲波性能測量信號圖，圖7 (b)所示是本實施方式振動傳感器探測聲波性能濾波信號圖。。對比圖6 (b)和圖7 (b)可以看出，聚偏氟乙烯傳感器輸出信號輸出電壓為lmV，具有明顯的諧波干擾，導致信號畸變，而本實施方式振動傳感器輸出電壓為1.5mV,并保持完好的輸出信號,不存在信號畸變。
[0059]圖8所示是聚偏氟乙烯傳感器頻譜信號圖，圖9所示是本實施方式振動傳感器頻譜信號圖。對比圖8和圖9可以看出，聚偏氟乙烯傳感器的頻率響應(yīng)具有較寬的帶寬，其響應(yīng)帶寬主要在50Hz和200Hz之間。本實施方式振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。由圖8和圖9頻譜對比可知，本實施方式振動傳感器對于OHz和5Hz之間的響應(yīng)能力遠強于聚偏氟乙烯傳感器。對于心跳和呼吸振動而言，其頻率主要集中在5Hz以下，由于本實施方式振動傳感器具有更加優(yōu)異的低頻響應(yīng)性能，因而其更適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
[0060]在一個【具體實施方式】中，一體式摩擦發(fā)電機尺寸為30mmX12mm，總厚度大約是300 μ m。如圖2所不,一體式摩擦發(fā)電機2,該一體式摩擦發(fā)電機2包括層疊設(shè)置的第一電極層21，振動摩擦層22，和第二電極層23。
[0061]振動摩擦層2包括第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223，所述第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223進行一體設(shè)置呈一體式。
[0062]第一高分子聚合物絕緣層221所用材料是聚二甲基硅氧烷(道康寧，184)，厚度為130 μ m。在第一高分子聚合物絕緣層221朝向第二高分子聚合物絕緣層222的表面上設(shè)置有微框224陣列和微納結(jié)構(gòu)226。微框224陣列由多個方框形微框構(gòu)成，每個微框224邊長為0.1cm,高度為20 μ m，從而第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間形成多個空腔225。微納結(jié)構(gòu)226設(shè)置在第一高分子聚合物絕緣層221面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為10 μ m。第三高分子聚合物絕緣層223層疊在第二高分子聚合物絕緣層222的另一表面上。
[0063]第二高分子聚合物絕緣層222所用材料是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET，永泰塑料)，厚度為50 μ m。第三高分子聚合物絕緣層223所用材料是聚二甲基硅氧烷，厚度為130 μ m。第一電極層11和第二電極層13所用材料是鋁箔，厚度為50 μ m。
[0064]將本實施方式傳感器平行固定在培養(yǎng)皿上，在lkHz，40dB聲源條件下進行測試。經(jīng)過濾波處理，本實施方式輸出電壓為1.2mV，本實施方式振動傳感器具有優(yōu)異的低頻檢測效果。
[0065]本實施方式振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
[0066]在一個【具體實施方式】中，一體式摩擦發(fā)電機尺寸為30mmX12mm，總厚度大約是700 μ m。如圖3所不,一體式摩擦發(fā)電機2,該一體式摩擦發(fā)電機2包括層疊設(shè)置的第一電極層21，振動摩擦層22，和第二電極層23。
[0067]振動摩擦層2包括第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223，所述第一高分子聚合物絕緣層221、第二高分子聚合物絕緣層222和第三高分子聚合物絕緣層223進行一體設(shè)置呈一體式。
[0068]第一高分子聚合物絕緣層221所用材料是聚二甲基硅氧烷(道康寧，184)，厚度為130 μ m。在第一高分子聚合物絕緣層221朝向第二高分子聚合物絕緣層222的表面上設(shè)置有微框224陣列和微納結(jié)構(gòu)226。微框224陣列由多個方框形微框構(gòu)成，每個微框224邊長為3cm，高度為510 μ m，從而第一高分子聚合物絕緣層221和第二高分子聚合物絕緣層222之間形成多個空腔225。微納結(jié)構(gòu)226設(shè)置在第一高分子聚合物絕緣層221面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為ΙΟμπι。
[0069]第三高分子聚合物絕緣層223所用材料是聚二甲基硅氧烷(道康寧，184)，厚度為130 μ m。在第三高分子聚合物絕緣層223朝向第二高分子聚合物絕緣層222的表面上設(shè)置有微框(圖3未示)陣列和微納結(jié)構(gòu)(圖3未示)。微框形成的陣列由多個方框形微框構(gòu)成，每個微框邊長為3cm，高度為510 μ m，從而第三高分子聚合物絕緣層223和第二高分子聚合物絕緣層222之間形成多個空腔。微納結(jié)構(gòu)設(shè)置在第三高分子聚合物絕緣層223面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為lOym。
[0070]第二高分子聚合物絕緣層222所用材料是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET，永泰塑料)，厚度為50 μ m。第一電極層11和第二電極層13所用材料是鋁箔，厚度為50 μ m。
[0071]將本實施方式傳感器平行固定在培養(yǎng)皿上，在1000Hz，40分貝聲源條件下進行測試。經(jīng)過濾波處理，本實施方式輸出電壓為0.8mV,本實施方式振動傳感器具有優(yōu)異的低頻檢測效果。
[0072]本實施方式振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
[0073]在一個【具體實施方式】中，一體式摩擦發(fā)電機尺寸為30mmX12mm，總厚度大約是300 μ m。如圖1所示，該振動摩擦發(fā)電機I包括層疊設(shè)置的第一電極層11，振動摩擦層12，和第二電極層13。
[0074]振動摩擦層12包括第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122，第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置呈一體式。
[0075]第一高分子聚合物絕緣層121所用材料是丁腈橡膠薄膜(北京固柏橡塑)，厚度為130 μ m。在第一高分子聚合物絕緣層121朝向第二高分子聚合物絕緣層122的表面上設(shè)置有微框123陣列和微納結(jié)構(gòu)125。微框123陣列由多個方框形微框構(gòu)成,每個微框123邊長為0.5cm,高度為100 μ m，從而第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間形成多個空腔124。微納結(jié)構(gòu)125設(shè)置在第一高分子聚合物絕緣層121面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為50μπι。
[0076]第二高分子聚合物絕緣層122所用材料是聚酰亞胺薄膜(江蘇旭龍電氣)，厚度為50 μ m。第一電極層11和第二電極層13所用材料是鋁箔，厚度為50 μ m。
[0077]將本實施方式傳感器平行固定在培養(yǎng)皿上，在lkHz，40dB聲源條件下進行測試。經(jīng)過濾波處理，本實施方式輸出電壓為0.5mV，本實施方式振動傳感器具有優(yōu)異的低頻檢測效果。
[0078]本實施方式振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
[0079]在一個【具體實施方式】中，一體式摩擦發(fā)電機尺寸為30cmX12cm，總厚度大約是300 μ m。如圖1所示，該振動摩擦發(fā)電機I包括層疊設(shè)置的第一電極層11，振動摩擦層12，和第二電極層13。
[0080]振動摩擦層12包括第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122，第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置呈一體式。
[0081]第一高分子聚合物絕緣層121所用材料是天然橡膠薄膜(江蘇旭龍電氣)，厚度為130 μ m。在第一高分子聚合物絕緣層121朝向第二高分子聚合物絕緣層122的表面上設(shè)置有微框123陣列和微納結(jié)構(gòu)125。微框123陣列由多個方框形微框構(gòu)成,每個微框123邊長為0.5cm,高度為100 μ m，從而第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間形成多個空腔124。微納結(jié)構(gòu)125設(shè)置在第一高分子聚合物絕緣層121面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為50μπι。
[0082]第二高分子聚合物絕緣層122所用材料是苯乙烯丙烯共聚物薄膜，厚度為50 μ m。第一電極層11和第二電極層13所用材料是鋁箔，厚度為50 μ m。
[0083]將本實施方式傳感器平行固定在培養(yǎng)皿上，在lkHz，40dB聲源條件下進行測試。經(jīng)過濾波處理，本實施方式輸出電壓為0.7mV，本實施方式振動傳感器具有優(yōu)異的低頻檢測效果。
[0084]本實施方式振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
[0085]在一個【具體實施方式】中，一體式摩擦發(fā)電機尺寸為30cmX12cm，總厚度大約是300 μ m。如圖1所示，該振動摩擦發(fā)電機I包括層疊設(shè)置的第一電極層11，振動摩擦層12，和第二電極層13。
[0086]振動摩擦層12包括第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122，第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122進行一體設(shè)置呈一體式。
[0087]第一高分子聚合物絕緣層121所用材料是聚甲醛薄膜(蘇州多特瑪絕緣材料有限公司)，厚度為130μπι。在第一高分子聚合物絕緣層121朝向第二高分子聚合物絕緣層122的表面上設(shè)置有微框123陣列和微納結(jié)構(gòu)125。微框123陣列由多個方框形微框構(gòu)成，每個微框123邊長為0.5cm,高度為100 μ m，從而第一高分子聚合物絕緣層121和第二高分子聚合物絕緣層122之間形成多個空腔124。微納結(jié)構(gòu)125設(shè)置在第一高分子聚合物絕緣層121面上的空腔區(qū)域內(nèi)，其凸起高度為50 μ m。
[0088]第二高分子聚合物絕緣層122所用材料是聚酰胺薄膜，厚度為50 μ m。第一電極層11和第二電極層13所用材料是鋁箔，厚度為50 μ m。
[0089]將本實施方式傳感器平行固定在培養(yǎng)皿上，在lkHz，40dB聲源條件下進行測試。經(jīng)過濾波處理，本實施方式輸出電壓為0.6mV，本實施方式振動傳感器具有優(yōu)異的低頻檢測效果。
[0090]本實施方式振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
[0091]由本實用新型實施方式可以看出，本實用新型一體式摩擦發(fā)電機主要應(yīng)用于振動傳感器。本實用新型振動傳感器的頻率響應(yīng)主要集中在低頻頻段，其響應(yīng)帶寬主要集中在OHz和55Hz之間。本實用新型振動傳感器對于OHz和5Hz之間的響應(yīng)能力遠強于聚偏氟乙烯傳感器。對于心跳和呼吸振動而言，其頻率主要集中在5Hz以下，由于本實用新型振動傳感器具有更加優(yōu)異的低頻響應(yīng)性能，因而其更適用于對心跳、呼吸振動等低頻振動的檢測。
【權(quán)利要求】
1.一種一體式摩擦發(fā)電機,其特征在于,該一體式摩擦發(fā)電機包括層疊設(shè)置的第一電極層，振動摩擦層，和第二電極層； 其中，振動摩擦層包括第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層，所述第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層進行一體設(shè)置呈一體式； 第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有凸出的微框形成的陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔； 第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對表面上設(shè)置的每個微框的高度高于微納結(jié)構(gòu)凸起的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，所述第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層所用材料是聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠、聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維素海綿薄膜、再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚四氟乙烯、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，所述振動摩擦層進一步包括第三高分子聚合物絕緣層，所述第一高分子聚合物絕緣層、第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層進行一體設(shè)置呈一體式；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上，和/或第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上設(shè)置有凸出的微框形成的陣列，使得第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔，和/或第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層之間形成多個空腔；第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)，和/或第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層相對設(shè)置的兩個面中的至少一個面上在至少一個空腔區(qū)域內(nèi)設(shè)有凸起的微納結(jié)構(gòu)；第二高分子聚合物絕緣層和第三高分子聚合物絕緣層相對表面上設(shè)置的每個微框的高度高于微納結(jié)構(gòu)凸起的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，所述第三高分子聚合物絕緣層所用材料是聚二甲基硅氧烷、丁腈橡膠、聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維素海綿薄膜、再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚四氟乙烯、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，每個微框為方框形或中空的圓柱形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，每個微框的高度比微納結(jié)構(gòu)的凸起高度高10μηι-500μηι。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一體式摩擦發(fā)電機,其特征在于,每個微框的邊長尺寸或直徑尺寸為0.lcm_3cm,其高度為20 μ m_510 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，所述微納結(jié)構(gòu)凸起高度為10 μ m-500 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式摩擦發(fā)電機，其特征在于，第一電極層和第二電極層所用材料是銦錫氧化物、石墨烯、銀納米線膜、金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、錫、鐵、猛、鑰、鶴或鑰;；合金是招合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、銀合金或鉭合金。
10.一種振動傳感器，包括權(quán)利要求1-9任一項所述的一體式摩擦發(fā)電機。
【文檔編號】H02N1/04GK203722511SQ201320629300
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月12日
【發(fā)明者】魏岱安, 王竹, 趙豪 申請人:納米新能源（唐山）有限責任公司