一種igbt去米勒效應(yīng)裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，電阻R1的一端與IGBT開(kāi)通電阻RON、P型開(kāi)關(guān)管T的G極相連，另一端與電阻RE相連。IGBT開(kāi)通電阻RON的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的E極、IGBT的G極相連，電阻RE的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的C極、IGBT的E極相連，P型開(kāi)關(guān)管為PNP型三極管或P型CMOS管，電阻RE的阻值為0-100歐姆。一般IGBT驅(qū)動(dòng)使用雙向穩(wěn)壓二極管抑制驅(qū)動(dòng)電路中產(chǎn)生的尖峰脈沖，大功率的IGBT驅(qū)動(dòng)電路為了防止米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓經(jīng)常在G－E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作使用方便，穩(wěn)定性好，可靠性高，適用性較強(qiáng)。使用本實(shí)用新型，可以防止誤鉗位導(dǎo)致IGBT不能正常工作或損壞的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路，特別是涉及一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置。
技術(shù)背景
[0002]絕緣柵雙極晶體管IGBT常用驅(qū)動(dòng)電路采用的保護(hù)措施，是使用雙向穩(wěn)壓二極管抑制驅(qū)動(dòng)電路中產(chǎn)生的尖峰脈沖，大功率的IGBT驅(qū)動(dòng)電路為了防止米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓經(jīng)常在G — E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值一般要比門(mén)極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導(dǎo)致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓速度也不能對(duì)微秒的尖峰電壓進(jìn)行吸收，即在高頻進(jìn)行時(shí)吸收速度跟不上。在G — E間加上電容雖然可以減少米勒效應(yīng)的影響，但是每次IGBT開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)電容都在起作用，使IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間變長(zhǎng)，直接影響到IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷損耗，并增加了驅(qū)動(dòng)電路的功耗。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，在門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路中加入一個(gè)開(kāi)關(guān)管對(duì)門(mén)極電壓進(jìn)行鉗位，快速的將米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行抑制，并且不用增加IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷損耗，減少I(mǎi)GBT驅(qū)動(dòng)電路的輸出功率。
[0004]本實(shí)用新型所述的一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，電阻Rl的一端與IGBT開(kāi)通電阻RON,P型開(kāi)關(guān)管T的G極相連，另一端與電阻RE相連。IGBT開(kāi)通電阻RON的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的E極、IGBT的G極相連，電阻RE的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的C極、IGBT的E極相連，P型開(kāi)關(guān)管為PNP型三極管或P型CMOS管，電阻RE的阻值為0-100歐姆。一般IGBT驅(qū)動(dòng)使用雙向穩(wěn)壓二極管抑制驅(qū)動(dòng)電路中產(chǎn)生的尖峰脈沖，大功率的IGBT驅(qū)動(dòng)電路為了防止米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓經(jīng)常在G — E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值一般要比門(mén)極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導(dǎo)致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓速度也不能對(duì)U秒的尖峰電壓進(jìn)行吸收，即吸收速度跟不上。在G — E門(mén)加上電容雖然可以減少米勒效應(yīng)的影響，但是每次IGBT開(kāi)通和關(guān)斷是電容都在起作用，使IGBT的開(kāi)通和判斷時(shí)間變長(zhǎng)，直接影響到IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷損耗，并增加了驅(qū)動(dòng)電路的功耗。大功率IGBT在設(shè)備出現(xiàn)外部故障或比較大的電流，在關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生米勒效應(yīng)，致使門(mén)極電壓升高，如果驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有相應(yīng)的保護(hù)會(huì)使IGBT不能有效關(guān)斷或門(mén)極電壓高于要求的極限值而損壞。
[0005]本實(shí)用新型所述一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作使用方便，穩(wěn)定性好，可靠性高。使用本實(shí)用新型所述的一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，可以防止誤鉗位導(dǎo)致IGBT不能正常工作或損壞的問(wèn)題。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0006]附圖1是本實(shí)用新型所述一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置的去米勒效應(yīng)電路圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0007]現(xiàn)參照附圖1，結(jié)合實(shí)施例說(shuō)明如下:本實(shí)用新型所述的一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，電阻Rl的一端與IGBT開(kāi)通電阻R0N、P型開(kāi)關(guān)管T的G極相連，另一端與電阻RE相連。IGBT開(kāi)通電阻RON的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的E極、IGBT的G極相連，電阻RE的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的C極、IGBT的E極相連，P型開(kāi)關(guān)管為PNP型三極管或P型CMOS管，電阻RE的阻值為0-100歐姆。一般IGBT驅(qū)動(dòng)使用雙向穩(wěn)壓二極管抑制驅(qū)動(dòng)電路中產(chǎn)生的尖峰脈沖，大功率的IGBT驅(qū)動(dòng)電路為了防止米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓經(jīng)常在G — E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值一般要比門(mén)極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導(dǎo)致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓速度也不能對(duì)U秒的尖峰電壓進(jìn)行吸收，即吸收速度跟不上。在G — E門(mén)加上電容雖然可以減少米勒效應(yīng)的影響，但是每次IGBT開(kāi)通和關(guān)斷是電容都在起作用，使IGBT的開(kāi)通和判斷時(shí)間變長(zhǎng)，直接影響到IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷損耗，并增加了驅(qū)動(dòng)電路的功耗。大功率IGBT在設(shè)備出現(xiàn)外部故障或比較大的電流，在關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生米勒效應(yīng)，致使門(mén)極電壓升高，如果驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有相應(yīng)的保護(hù)會(huì)使IGBT不能有效關(guān)斷或門(mén)極電壓高于要求的極限值而損壞。在IGBT大電流關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生米勒效應(yīng)，致使IGBT的G極E間電壓上升，由于關(guān)斷是由驅(qū)動(dòng)電路輸出的驅(qū)動(dòng)電壓變低或者是負(fù)的電壓，米勒電壓加到GE上后電壓會(huì)通過(guò)RON流到驅(qū)動(dòng)電源中，這時(shí)由于RON中有電流流過(guò)，使RON兩端產(chǎn)生電壓差，當(dāng)壓差達(dá)到0.5V左右時(shí)開(kāi)關(guān)管就會(huì)導(dǎo)通，GE間的正向電壓會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)管直接短接放掉。這樣就把米勒效應(yīng)電壓消除，保護(hù)IGBT有效關(guān)斷。在IGBT正常開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)，開(kāi)關(guān)管不會(huì)開(kāi)通，對(duì)原有驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有影響。本實(shí)用新型涉及一 IGBT去米勒效應(yīng)裝置，所述電路為一個(gè)三極管和三個(gè)電阻。本實(shí)用新型可以去除大功率IGBT關(guān)斷時(shí)由于米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓，防止IGBT由于米勒效應(yīng)導(dǎo)致門(mén)極電壓過(guò)高，使IGBT不能有效關(guān)斷，致使IGBT損壞的現(xiàn)象。使門(mén)極上由米勒效應(yīng)產(chǎn)生的電壓直接泄放掉，保證IGBT可靠關(guān)斷。本實(shí)用新型所述一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作使用方便，穩(wěn)定性好，可靠性高。使用本實(shí)用新型所述的一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，可以防止誤鉗位導(dǎo)致IGBT不能正常工作或損壞的問(wèn)題。本系統(tǒng)中的元件均為通用型器件，對(duì)比原有系統(tǒng)不會(huì)增加很多成本，適用性較強(qiáng)。
【權(quán)利要求】
1.一種IGBT去米勒效應(yīng)裝置，其特征在于電阻Rl的一端與IGBT開(kāi)通電阻RON、P型開(kāi)關(guān)管T的G極相連，另一端與電阻RE相連；IGBT開(kāi)通電阻RON的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的E極、IGBT的G極相連，電阻RE的另一端與P型開(kāi)關(guān)管T的C極、IGBT的E極相連，P型開(kāi)關(guān)管為PNP型三極管或P型CMOS管，電阻RE的阻值為0-100歐姆。
【文檔編號(hào)】H02H9/04GK203481816SQ201320634822
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月15日
【發(fā)明者】劉文士 申請(qǐng)人:劉文士