智能功率模塊ipm 電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種智能功率模塊IPM電路，包括：第一至第N?IGBT；每個RC電路均包括柵極電阻和柵極電容的第一至第N?RC電路，每個RC電路中的柵極電容并聯(lián)在對應(yīng)的IGBT的柵極和發(fā)射極之間；具有N個輸出端且分別與每個RC電路中的柵極電阻相連的用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第一至第N?IGBT開通或關(guān)斷的驅(qū)動電路。該IPM電路通過在每個IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容，從而實現(xiàn)調(diào)小柵極電阻的阻值，且柵極電容能有效吸收IGBT柵極產(chǎn)生的寄生振蕩雜波，提高IGBT的噪聲承受能力即抗干擾能力，使柵極電壓更加平穩(wěn)，減小了續(xù)流二極管恢復(fù)時間的浪涌電壓，更好地滿足用戶的需求。
【專利說明】智能功率模塊IPM電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種智能功率模塊IPM電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊)具有短路保護、過流保護、過熱保護和欠壓鎖定等功能。其中，IPM包括驅(qū)動電路、IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)、續(xù)流二極管、柵極電阻等。IPM通過調(diào)節(jié)柵極電阻的大小從而控制IGBT的柵極電壓前沿和后沿的陡度，進而控制IGBT的開關(guān)損耗。
[0003]參考圖1所示,為現(xiàn)有技術(shù)的IPM電路的一類結(jié)構(gòu)示意圖。其中，如圖1所示，該電路以驅(qū)動電路Ue’控制一個IGBT為例，需要說明的是，雖然該電路以一個為例，但是該電路也可以通過多個驅(qū)動器控制多個IGBT的開通和斷開，下面將對現(xiàn)有技術(shù)中具有多個驅(qū)動器從而控制多個IGBT的開通和斷開的IPM電路進行詳細介紹。
[0004]參考圖2所不,為現(xiàn)有技術(shù)的IPM電路的另一類結(jié)構(gòu)不意圖。在此，該電路以驅(qū)動電路Ue’控制六個IGBT為例對具有多個驅(qū)動器從而控制多個IGBT的開通和斷開的IPM電路進行詳細介紹。具體地，該電路中的驅(qū)動電路Ue’中的驅(qū)動器Ul ’、驅(qū)動器U2’、驅(qū)動器U3’和驅(qū)動器U4’控制對應(yīng)的IGBT的開通和關(guān)斷。具體地，驅(qū)動電路Ue’中的每個驅(qū)動器對對應(yīng)的IGBT的柵極進行充電以達到柵極開通電壓VeE(m)，或者是對對應(yīng)的IGBT的柵極進行放電以達到柵極關(guān)斷電壓VeE(()ff)，即言，IGBT的開通和關(guān)斷是通過驅(qū)動電路UG，中的驅(qū)動器對柵極電壓的充放電從而實現(xiàn)的。
[0005]具體地，阻值較小的柵極電阻相應(yīng)的對應(yīng)的柵極電壓的充放電較快，從而縮短了對應(yīng)的IGBT的開關(guān)時間，減小了對應(yīng)的IGBT的開關(guān)損耗。另外，阻值較小的柵極電阻增強了器件工作的耐固性，即避免了電壓變化率dv/dt帶來的誤開通。需要說明的是，柵極電阻串接在柵極電路中，從而實現(xiàn)改善控制脈沖前沿和后沿的陡度，防止振蕩，減小了 IGBT的集電極電壓的尖脈沖值。
[0006]綜上所述，柵極電阻的阻值對IGBT的動態(tài)特性產(chǎn)生極大的影響，具體描述如下:
[0007](I)柵極電阻的阻值減小時，柵極電壓的前沿和后沿變陡，對柵極電壓的充放電較快，能縮短對應(yīng)IGBT的開關(guān)時間，減小對應(yīng)IGBT的開關(guān)損耗，增強器件工作的耐固性，避免由于電壓變化率dv/dt而誤開通。但不足的是，噪聲承受能力小即抗干擾能力弱，只能承受較小的柵極干擾，并可能導(dǎo)致柵極_發(fā)射極電容和柵極驅(qū)動導(dǎo)線的寄生電感產(chǎn)生振蕩，容易產(chǎn)生寄生振蕩雜波，使開通時的電流變化率di/dt變大，增大續(xù)流二極管恢復(fù)時間的浪涌電壓。
[0008](2)柵極電阻的阻值增大時，與描述(I)中的性能相反。具體地，增大柵極電阻的阻值，能夠減小對應(yīng)的IGBT開通時對應(yīng)的續(xù)流二極管的反向恢復(fù)過電壓，減小了通態(tài)下出現(xiàn)短路的沖擊電流值。但不足的是，當(dāng)柵極電阻增大時，柵極電壓的前沿和后沿變緩，延長了 IGBT的開通和關(guān)斷的開關(guān)時間，增大了 IGBT的開通和關(guān)斷的開關(guān)損耗。實用新型內(nèi)容
[0009]本實用新型的目的旨在至少在一定程度上解決上述的技術(shù)問題。
[0010]為此，本實用新型的一個目的在于提出一種智能功率模塊IPM電路。該IPM電路能減小柵極電阻的阻值，且能有效吸收IGBT柵極產(chǎn)生的寄生振蕩雜波，提高IGBT的噪聲承受能力即抗干擾能力，使柵極電壓更加平穩(wěn)，減小了續(xù)流二極管恢復(fù)時間的浪涌電壓，更好地滿足用戶的需求。
[0011]本實用新型的另一個目的在于提出一種智能功率模塊IPM電路。
[0012]為達到上述目的，本實用新型第一方面提出了一種智能功率模塊IPM電路，包括:第一至第N IGBT，其中，N為正整數(shù)；第一至第N RC電路，所述第一至第N RC電路中的每個RC電路均包括柵極電阻和柵極電容，所述每個RC電路中的柵極電容并聯(lián)在對應(yīng)的IGBT的柵極和發(fā)射極之間，所述每個RC電路中的柵極電阻的一端與對應(yīng)的IGBT的柵極相連；以及驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路具有N個輸出端，所述N個輸出端分別與所述每個RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述驅(qū)動電路用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動所述第一至第N IGBT開通或關(guān)斷。
[0013]根據(jù)本實用新型的智能功率模塊IPM電路，通過在每個IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容，從而實現(xiàn)減小柵極電阻的阻值，加快了柵極電壓的充放電，縮短了 IGBT的開關(guān)時間，減小了 IGBT的開關(guān)損耗，增強了器件工作的耐固性，避免了由于電壓變化率dv/dt而誤開通。并且，柵極電容能有效吸收IGBT柵極寄生振蕩雜波，提高IGBT的抗干擾能力，使柵極電壓更加平穩(wěn)，減小了續(xù)流二極管恢復(fù)時間的浪涌電壓，更好地滿足用戶的需求。
[0014]為達到上述目的，本實用新型第二方面提出了一種智能功率模塊IPM電路，包括:第一 IGBT ;第一 RC電路，所述第一 RC電路包括柵極電阻和柵極電容，所述RC電路中的柵極電容并聯(lián)在第一 IGBT的柵極和發(fā)射極之間，所述第一 RC電路中的柵極電阻的一端與第
一IGBT的柵極相連；以及驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路的輸出端與所述第一 RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述驅(qū)動電路用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動所述第一 IGBT開通或斷開。
[0015]根據(jù)本實用新型的智能功率模塊IPM電路，通過在IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容，從而實現(xiàn)減小柵極電阻的阻值，加快了柵極電壓的充放電，縮短了 IGBT的開關(guān)時間，減小了 IGBT的開關(guān)損耗，增強了器件工作的耐固性，避免了由于電壓變化率dv/dt而誤開通。并且，柵極電容能有效吸收IGBT柵極寄生振蕩雜波，提高IGBT的抗干擾能力，使柵極電壓更加平穩(wěn)，減小了續(xù)流二極管恢復(fù)時間的浪涌電壓，更好地滿足用戶的需求
[0016]本實用新型附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]本實用新型上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一類IPM電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的另一類IPM電路的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖3為根據(jù)本實用新型一個實施例的智能功率模塊IPM電路的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0021]圖4為根據(jù)本實用新型另一個實施例的智能功率模塊IPM電路的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實施方式】
[0022]下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。
[0023]下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本實用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本實用新型的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實用新型。此外，本實用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本實用新型提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0024]在本實用新型的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。
[0025]現(xiàn)有技術(shù)的IPM電路僅通過調(diào)節(jié)柵極電阻來匹配IGBT的開關(guān)時間參數(shù)，從而實現(xiàn)IGBT的開關(guān)損耗在一個比較合適的范圍內(nèi)。因此，IGBT的開關(guān)時間不可過大，從而實現(xiàn)減小IGBT的開關(guān)損耗，且不宜使IGBT得柵極電壓有太大的寄生振蕩雜波，所以柵極電阻的阻值一般只能折中取值。
[0026]因此，本實用新型實施例在現(xiàn)有技術(shù)的IPM電路的基礎(chǔ)上進行了改進。下面參考附圖描述根據(jù)本實用新型實施例的智能功率模塊IPM電路。
[0027]參照圖3所示，圖3為根據(jù)本實用新型提出的智能功率模塊IPM電路的結(jié)構(gòu)示意圖。該電路包括第一至第六IGBT (如圖1所示的IGBTQl、IGBTQ2、IGBTQ3、IGBTQ4、IGBTQ5和IGBTQ6)、第一至第六RC電路(如圖1所示的RC電路101、RC電路102、RC電路103、RC電路104、RC電路105和RC電路106)和驅(qū)動電路Ugo雖然在該實施例中以六個為例，但是在本實用新型的其他實施例中，IGBT的個數(shù)可以為N，其中N為正整數(shù)。
[0028]其中，第一至第六RC電路中的每個RC電路均包括柵極電阻和柵極電容，每個RC電路中的柵極電容并聯(lián)在對應(yīng)的IGBT的柵極和發(fā)射極之間，每個RC電路中的柵極電阻的一端與對應(yīng)的IGBT的柵極相連。驅(qū)動電路Ug的輸出端分別與每個RC電路中的柵極電阻的另一端相連，驅(qū)動電路Ue用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第一至第六IGBT即IGBTQ1、IGBTQ2、IGBTQ3、IGBTQ4、IGBTQ5 和 IGBTQ6 開通或關(guān)斷。
[0029]具體地，在本實用新型的一個實施例中，參照圖3所示，第一 IGBTQl的集電極與第一電源端P相連，第一 IGBTQl的發(fā)射極與第四IGBTQ4的集電極相連。第二 IGBTQ2的集電極與第一電源端P相連，第二 IGBTQ2的發(fā)射極與第五IGBTQ5的集電極相連。第三IGBTQ3的集電極與第一電源端P相連，第三IGBTQ3的發(fā)射極與第六IGBTQ6的集電極相連。[0030]在本實用新型的一個實施例中，參照圖3所示，第一 IGBTQl的發(fā)射極與第四IGBTQ4的集電極之間的節(jié)點a作為IPM電路的第一輸出端U，第二 IGBTQ2的發(fā)射極與第五IGBTQ5的集電極之間的節(jié)點b作為IPM電路的第二輸出端V，第三IGBTQ3的發(fā)射極與第六IGBTQ6的集電極之間的節(jié)點c作為IPM電路的第三輸出端W。另外，第四IGBTQ4的發(fā)射極作為第四輸出端NU，第五IGBTQ5的發(fā)射極作為第五輸出端NV，第六IGBTQ6的發(fā)射極作為第六輸出端NW。
[0031]進一步地，在本實用新型的一個實施例中，參照圖3所示，驅(qū)動電路包括:第一驅(qū)動芯片Ul、第二驅(qū)動芯片U2、第三驅(qū)動芯片U3和第四驅(qū)動芯片U4。
[0032]其中，第一驅(qū)動芯片Ul的輸出端OUT與第一 RC電路101中的柵極電阻Rl的另一端相連，第一 RC電路101中的柵極電阻Rl的一端與第一 IGBTQl的柵極和第一 RC電路101中的柵極電容Cl的一端分別相連,第一 RC電路101中的柵極電容Cl的另一端與第一IGBTQl的發(fā)射極和第一驅(qū)動芯片Ul的反饋端VS分別相連。其中，第一驅(qū)動芯片Ul輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第一 IGBTQl開通或斷開。
[0033]進一步地，第二驅(qū)動芯片U2的輸出端OUT與第二 RC電路102中的柵極電阻R2的另一端相連，第二 RC電路102中的柵極電阻R2的一端與第二 IGBTQ2的柵極和第二 RC電路102中的柵極電容C2的一端分別相連，第二 RC電路102中的柵極電容C2的另一端與第
二IGBTQ2的發(fā)射極和第二驅(qū)動芯片U2的反饋端VS分別相連。其中，第二驅(qū)動芯片U2輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第二 IGBTQ2開通或斷開。
[0034]并且，第三驅(qū)動芯片U3的輸出端OUT與第三RC電路103中的柵極電阻R3的另一端相連，第三RC電路103中的柵極電阻R3的一端與第三IGBTQ3的柵極和第三RC電路103中的柵極電容C3的一端分別相連，第三RC電路103中的柵極電容C3的另一端與第三IGBTQ3的發(fā)射極和第三驅(qū)動芯片U3的反饋端VS分別相連。其中，第三驅(qū)動芯片U3輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第三IGBTQ3開通或斷開。
[0035]另外，第四驅(qū)動芯片U4的第一輸出端OUT (UL)與第四RC電路104中的柵極電阻R4的另一端相連，第四RC電路104中的柵極電阻R4的一端與第四IGBTQ4的柵極和第四RC電路104中的柵極電容C4的一端分別相連，第四RC電路104中的柵極電容C4的另一端與第四IGBTQ4的發(fā)射極相連。第四驅(qū)動芯片U4的第二輸出端OUT(VL)與第五RC電路105中的柵極電阻R5的另一端相連，第五RC電路105中的柵極電阻R5的一端與第五IGBTQ5的柵極和第五RC電路105中的柵極電容C5的一端分別相連，第五RC電路105中的柵極電容C5的另一端與第五IGBTQ5的發(fā)射極相連。第四驅(qū)動芯片U4的第三輸出端OUT(WL)與第六RC電路106中的柵極電阻R6的另一端相連，第六RC電路106中的柵極電阻R6的一端與第六IGBTQ6的柵極和第六RC電路106中的柵極電容R6的一端分別相連，第六RC電路106中的柵極電容C6的另一端與第六IGBTQ6的發(fā)射極相連。其中，第四驅(qū)動芯片U4輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第四IGBTQ4、第五IGBTQ5和第六IGBTQ6開通或斷開。
[0036]另外，在本實用新型的一個實施例中，參照圖3所示，上述的IPM電路還包括第一至第六反相二極管(如圖2所示的反相二極管Dl、反相二極管D2、反相二極管D3、反相二極管D4、反相二極管D5和反相二極管D6)。
[0037]其中，第一至第六反相二極管分別與第一至第NIGBT反相并聯(lián)。具體地，例如第一反相二極管Dl所不,第一反相二極管Dl的一端與第一 IGBTQl的集電極相連,第一反相二極管Dl的另一端與第一 IGBTQl的集發(fā)射極相連。
[0038]在本實用新型的一個具體實施例中，參照圖3所示，每個RC電路中的柵極電容的容值相等，且每個RC電路中的柵極電阻的阻值相等。即柵極電容Cl至柵極電容C6的容值均相同，且柵極電阻Rl至柵極電阻R6的阻值，因此，柵極電壓VeE的充放電時間常數(shù)T=RC不變。
[0039]在本實用新型的另一個實施例中，參照圖4所示，N為I時，S卩IGBT的個數(shù)為一個時，該IPM電路包括第一 IGBTQ1”、第一 RC電路101”和驅(qū)動電路Ue”。
[0040]其中，第一 RC電路101”包括柵極電阻Rl ”和柵極電容Cl ”，第一 RC電路101”中的柵極電容Cl”并聯(lián)在第一 IGBTQ1”的柵極和發(fā)射極之間，第一 RC電路101”中的柵極電阻R1”的一端與第一 IGBTQ1”的柵極相連；以及驅(qū)動電路Ue”的輸出端OUT與第一 RC電路101”中的柵極電阻R1”的另一端相連，驅(qū)動電路Ue”用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第一 IGBTQ1”開通或斷開。
[0041]綜上所述，在柵極電壓VeE的充放電時間常數(shù)不變的同等條件情況下，通過在IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容后，柵極電容的電容值增大，從而對應(yīng)的柵極電阻的阻值可調(diào)小。即言，通過在IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容后，在調(diào)節(jié)電路參數(shù)的匹配上可相應(yīng)地減小柵極電阻的阻值，在實際電路中根據(jù)不同品牌的IGBT、不同IGBT的功率大小和不同品牌的驅(qū)動電路，柵極電阻的阻值和柵極電容的容值根據(jù)需要選擇合適的數(shù)值，以滿足電路設(shè)計的要求。
[0042]具體地，在本實用新型的一個實施例中，當(dāng)IPM工作時，驅(qū)動電路Ue輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動第一至第六IGBT開通或關(guān)斷，即驅(qū)動電路Ue中的驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流通過對應(yīng)的柵極電阻對對應(yīng)的柵極電容進行充電，從而控制第一至第六IGBT開通，或驅(qū)動電路Ue中的驅(qū)動芯片通過對應(yīng)的柵極電阻對對應(yīng)的柵極電容進行放電，從而控制第一至第六IGBT關(guān)斷。其中，通過在每個IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容，加快了柵極電壓的充放電。
[0043]具體而言，在此本實用新型實施例通過對柵極電容充電舉例作具體說明。柵極電阻通過在IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容調(diào)小了阻值，從而使流入柵極電容的充電電流增大，加快了柵極電壓VeE的上升速度，即柵極電壓VeE波形前沿和后沿變陡，IGBT獲得較快的導(dǎo)通速度，在正常情況下，IGBT導(dǎo)通得越快，IGBT的開關(guān)損耗越小。并且，由于在IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容，柵極電容能有效吸收過濾在IGBT開關(guān)過程中引起的寄生振蕩雜波，提高IGBT柵極的抗干擾能力，有效降低了 IGBT的開關(guān)損耗，使柵極電壓VeE波形平穩(wěn)，減小續(xù)流二極管恢復(fù)的浪涌電壓。并且，本實用新型實施例即可通過調(diào)整柵極電阻又可通過調(diào)整柵極電容，使其兩種參數(shù)調(diào)整到合適的范圍內(nèi)，更好地滿足用戶的需求。
[0044]根據(jù)本實用新型提出的智能功率模塊IPM電路，通過在每個IGBT的柵極和發(fā)射極之間并聯(lián)柵極電容，從而減小了柵極電阻的阻值，加快了柵極電壓的充放電，縮短了 IGBT的開關(guān)時間，減小了 IGBT的開關(guān)損耗，增強了器件工作的耐固性，避免了由于電壓變化率dv/dt而誤開通。并且，柵極電容能有效吸收IGBT柵極寄生振蕩雜波，提高IGBT的抗干擾能力，使柵極電壓更加平穩(wěn)，減小了續(xù)流二極管恢復(fù)時間的浪涌電壓。另外，該智能功率模塊IPM電路提高了在設(shè)計及調(diào)試上的靈活性。
[0045]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0046]盡管已經(jīng)示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
【權(quán)利要求】
1.一種智能功率模塊IPM電路，其特征在于，包括: 第一至第N IGBT，其中，N為正整數(shù)； 第一至第N RC電路，所述第一至第N RC電路中的每個RC電路均包括柵極電阻和柵極電容，所述每個RC電路中的柵極電容并聯(lián)在對應(yīng)的IGBT的柵極和發(fā)射極之間，所述每個RC電路中的柵極電阻的一端與對應(yīng)的IGBT的柵極相連；以及 驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路具有N個輸出端，所述N個輸出端分別與所述每個RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述驅(qū)動電路用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動所述第一至第N IGBT開通或關(guān)斷。
2.如權(quán)利要求1所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述N為六時， 第一 IGBT的集電極與第一電源端相連，所述第一 IGBT的發(fā)射極與第四IGBT的集電極相連，第二 IGBT的集電極與所述第一電源端相連，所述第二 IGBT的發(fā)射極與第五IGBT的集電極相連，第三IGBT的集電極與所述第一電源端相連，所述第三IGBT的發(fā)射極與第六IGBT的集電極相連。
3.如權(quán)利要求2所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述第一IGBT的發(fā)射極與所述第四IGBT的集電極之間的節(jié)點作為所述IPM電路的第一輸出端，所述第二 IGBT的發(fā)射極與所述第五IGBT的集電極之間的節(jié)點作為所述IPM電路的第二輸出端，所述第三IGBT的發(fā)射極與所述第六IGBT的集電極之間的節(jié)點作為所述IPM電路的第三輸出端。
4.如權(quán)利要求1所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述N為六時，所述驅(qū)動電路包括: 第一驅(qū)動芯片，所述第一驅(qū)動芯片的輸出端與第一 RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第一 RC電路中的柵極電阻的一端與第一 IGBT的柵極和所述第一 RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述第一 RC電路中的柵極電容的另一端與所述第一 IGBT的發(fā)射極和所述第一驅(qū)動芯片的反饋端分別相連； 第二驅(qū)動芯片，所述第二驅(qū)動芯片的輸出端與第二 RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第二 RC電路中的柵極電阻的一端與第二 IGBT的柵極和所述第二 RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述第二 RC電路中的柵極電容的另一端與所述第二 IGBT的發(fā)射極和所述第二驅(qū)動芯片的反饋端分別相連； 第三驅(qū)動芯片，所述第三驅(qū)動芯片的輸出端與第三RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第三RC電路中的柵極電阻的一端與第三IGBT的柵極和所述第三RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述第三RC電路中的柵極電容的另一端與所述第三IGBT的發(fā)射極和所述第三驅(qū)動芯片的反饋端分別相連； 第四驅(qū)動芯片，所述第四驅(qū)動芯片的第一輸出端與第四RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第四RC電路中的柵極電阻的一端與第四IGBT的柵極和所述第四RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述第四RC電路中的柵極電容的另一端與所述第四IGBT的發(fā)射極相連，所述第四驅(qū)動芯片的第二輸出端與第五RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第五RC電路中的柵極電阻的一端與第五IGBT的柵極和所述第五RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述第五RC電路中的柵極電容的另一端與所述第五IGBT的發(fā)射極相連，所述第四驅(qū)動芯片的第三輸出端與第六RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第六RC電路中的柵極電阻的一端與第六IGBT的柵極和所述第六RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述第六RC電路中的柵極電容的另一端與所述第六IGBT的發(fā)射極相連。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述每個RC電路中的柵極電容的容值相等，且所述每個RC電路中的柵極電阻的阻值相等。
6.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，還包括: 第一至第N反相二極管，所述第一至第N反相二極管分別與所述第一至第NIGBT反相并聯(lián)。
7.一種智能功率模塊IPM電路，其特征在于，包括:
第一 IGBT ； 第一 RC電路，所述第一 RC電路包括柵極電阻和柵極電容，所述RC電路中的柵極電容并聯(lián)在第一 IGBT的柵極和發(fā)射極之間，所述第一 RC電路中的柵極電阻的一端與第一 IGBT的柵極相連；以及 驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路的輸出端與所述第一 RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述驅(qū)動電路用于輸出驅(qū)動信號以驅(qū)動所述第一 IGBT開通或斷開。
8.如權(quán)利要求7所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述第一IGBT的集電極與第一電源端相連。
9.如權(quán)利要求8所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述第一IGBT的發(fā)射極作為所述IPM電路的第一輸出端。
10.如權(quán)利要求7所述的智能功率模塊IPM電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括: 第一驅(qū)動芯片，所述第一驅(qū)動芯片的輸出端與第一 RC電路中的柵極電阻的另一端相連，所述第一 RC電路中的柵極電阻的一端與第一 IGBT的柵極和所述第一 RC電路中的柵極電容的一端分別相連，所述 第一 RC電路中的柵極電容的另一端與所述第一 IGBT的發(fā)射極和所述第一驅(qū)動芯片的反饋端分別相連。
【文檔編號】H02M1/088GK203617893SQ201320775742
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】韋澤鋒, 郭旭, 曾玉文 申請人:比亞迪股份有限公司