一種低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路，不需要電荷泵升壓電路，通過(guò)控制傳輸門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉，來(lái)控制N型DMOS功率管的柵源電壓，降低芯片設(shè)計(jì)和使用中的成本和復(fù)雜度，增加可靠性。在降低功耗的情況下，通過(guò)增加通路，快速泄放傳輸門(mén)中的P型MOS管柵極電荷，從而快速關(guān)閉傳輸門(mén)中的P型MOS管，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
【專利說(shuō)明】一種低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種功率管驅(qū)動(dòng)電路，尤其涉及一種應(yīng)用在H橋電路上橋臂功率管中的無(wú)電荷泵結(jié)構(gòu)的低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片H橋電路中，功率管通常選用N型DMOS管，這是因?yàn)镹型DMOS管中電子遷移率比P型DMOS管中空穴遷移率高，同樣面積的N型DMOS管的導(dǎo)通電阻更小，因此采用N型DMOS管可以減小芯片面積、降低芯片功耗。
[0003]這里針對(duì)的是H橋電路中上橋臂N型DMOS功率管的驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]在通常應(yīng)用中，如圖1所示，為了降低H橋上橋臂功率管MN_UP的導(dǎo)通電阻，其驅(qū)動(dòng)電路中包括電荷泵，需要通過(guò)電荷泵結(jié)構(gòu)升壓得到高于電源電壓VBB的功率管柵極電壓G_UP,使得柵源電壓G_UP-S_UP高于功率管的開(kāi)啟電壓，其中S_UP為功率管源極電壓，使上橋臂功率管工作在線性狀態(tài)。
[0005]該結(jié)構(gòu)具體工作電壓電流波形如圖5所示，在t0數(shù)字控制信號(hào)CTL變?yōu)楦唠娖剑硎敬蜷_(kāi)功率管MN_UP，此時(shí)MN_UP的柵極電壓Ve up開(kāi)始升高，源極電流Is up開(kāi)始增加，當(dāng)Isjp增加到最大值后，MN UP的源極電壓Vs UP開(kāi)始隨Ve UP —起升高直到接近VBB電壓，Vg up電壓最后升高到VCP電壓，此時(shí)MN_UP打開(kāi)，且處在線性區(qū)；在tl時(shí)刻數(shù)字控制信號(hào)CTL變?yōu)榈碗娖?，表示關(guān)閉功率管MN_UP，此時(shí)Ve UP開(kāi)始降低，當(dāng)Ve UP降低到VBB后，Vs UP也隨之降低，直到最后Ve up跟Vs up相等為一負(fù)值，此時(shí)Is up也降低至零，MN_UP關(guān)閉。
[0006]在該電路中，電荷泵增加芯片面積，需要添加單獨(dú)的芯片引腳，同時(shí)還需要外圍電路中添加電容，增加了芯片設(shè)計(jì)和使用的成本和復(fù)雜度，從而降低了芯片的可靠性。
[0007]但在特殊應(yīng)用場(chǎng)合，比如輸出電流較小，對(duì)功率管導(dǎo)通電阻要求不高，或者不希望在外圍電路中添加過(guò)多電容的情況下，可以去掉電荷泵結(jié)構(gòu)，同時(shí)修改功率管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，以期降低芯片設(shè)計(jì)和使用中的成本和復(fù)雜度，增加可靠性。
[0008]因此本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于開(kāi)發(fā)一種無(wú)電荷泵升壓電路的功率管驅(qū)動(dòng)電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路，不需要電荷泵升壓電路，通過(guò)控制傳輸門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉，來(lái)控制N型DMOS功率管的柵源電壓，降低芯片設(shè)計(jì)和使用中的成本和復(fù)雜度，增加可靠性。在降低功耗的情況下，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
[0010]本實(shí)用新型提供的功率管驅(qū)動(dòng)電路，功率管為N型DMOS管，包括多個(gè)N型MOS管、P型MOS管、電阻以及二極管，其中
[0011]P型MOS管MPO的源極通過(guò)電阻Rl連接到電源VBB，P型MOS管MPl的源極通過(guò)電阻R2連接到電源VBB，P型MOS管MP2的源極通過(guò)電阻R3連接到電源VBB ；
[0012]N型MOS管MNO與P型MOS管MP3組成傳輸門(mén)，N型MOS管MNO的漏極與P型MOS管MP3的源極連接，N型MOS管MNO的源極與P型MOS管MP3的漏極連接；
[0013]N型MOS管MNO的柵極與P型MOS管MPO的漏極連接，P型MOS管MP3的柵極與P型MOS管MP2的漏極連接；N型MOS管MNO的柵極與P型MOS管MPl的漏極連接；
[0014]二極管DO跨接于N型MOS管MNO的柵極和源極之間，二極管DO的負(fù)極與N型MOS管MNO的柵極連接；二極管Dl跨接于P型MOS管MP3，二極管Dl的正極與P型MOS管MP3的柵極連接；
[0015]N型MOS管麗I的漏極與P型MOS管MPO的漏極連接；N型MOS管麗I的源極與地電位GND連接；
[0016]功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括數(shù)字控制信號(hào)CTL、數(shù)字控制信號(hào)CTL_P以及數(shù)字控制信號(hào)CTL_N，其中數(shù)字控制信號(hào)CTL_P與數(shù)字控制信號(hào)CTL同相，數(shù)字控制信號(hào)CTL_N與數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)反相；
[0017]功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括將數(shù)字控制信號(hào)CTL通過(guò)電平轉(zhuǎn)換電路得到數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP和數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN信號(hào)，其中數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP與數(shù)字控制信號(hào)CTL同相，數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN與數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)反相，數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN與數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP在VBB-5V到VBB之間變化；
[0018]數(shù)字控制信號(hào)CTL_P為N型MOS管麗I的輸入信號(hào)；數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP為P型MOS管MPO的輸入信號(hào)，數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN為P型MOS管MPl的輸入信號(hào)；
[0019]P型MOS管MP3的源極與功率管的柵極連接，P型MOS管MP3的漏極與功率管的源極連接。
[0020]采用本實(shí)用新型提供的功率管驅(qū)動(dòng)電路，不需要電荷泵升壓電路，通過(guò)控制傳輸門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉，來(lái)控制N型DMOS功率管的柵源電壓，降低芯片設(shè)計(jì)和使用中的成本和復(fù)雜度，增加可靠性。
[0021]進(jìn)一步地，功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括P型MOS管MP4、N型MOS管麗2、N型MOS管麗3、N型MOS管麗6和二極管D2，其中
[0022]P型MOS管MP4的源極與P型MOS管MP3的柵極連接，P型MOS管MP4的漏極與N型MOS管麗2的漏極連接，P型MOS管MP4的柵極與N型MOS管麗3的漏極連接，二極管D2跨接于P型MOS管MP4的源極和柵極之間，二極管D2的正極與P型MOS管MP4的柵極連接；
[0023]N型MOS管麗2的源極與地電位GND連接；
[0024]N型MOS管麗3的源極與P型MOS管MP6的漏極連接；
[0025]所述N型MOS管MN6的源極與地電位GND連接；
[0026]數(shù)字控制信號(hào)CTL_N為N型MOS管麗2的柵極和N型MOS管麗3的柵極的輸入信號(hào)。
[0027]采用上述功率管驅(qū)動(dòng)電路，增加了 D2、MP4與麗2通路，能夠快速泄放傳輸門(mén)中的P型MOS管柵極電荷，從而快速關(guān)閉傳輸門(mén)中的P型MOS管，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
[0028]進(jìn)一步地，功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括N型MOS管MN4和N型MOS管麗5，其中
[0029]N型MOS管麗5跨接于N型MOS管麗I與地電位GND之間，N型MOS管麗5的漏極與N型MOS管麗I的源極連接，N型MOS管麗5的源極與地電位GND連接，N型MOS管麗5的柵極與N型MOS管MN4的柵極連接，N型MOS管麗5的柵極與N型MOS管MN6的柵極連接；
[0030]N型MOS管MN4的柵極與漏極連接，N型MOS管MN4的源極與地電位GND連接；
[0031]偏置電壓BIAS為N型MOS管MN4的柵極的輸入信號(hào)。
[0032]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路具有以下有益效果:
[0033](I)不需要電荷泵升壓電路，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的開(kāi)啟和關(guān)閉；
[0034](2)通過(guò)采用限流措施，降低功率管驅(qū)動(dòng)電路的功耗；
[0035](3)通過(guò)增加通路，快速泄放傳輸門(mén)中的P型MOS管柵極電荷，從而快速關(guān)閉傳輸門(mén)中的P型MOS管，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中帶有帶電荷泵功率管驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)；
[0037]圖2是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的功率管驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)；
[0038]圖3是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的功率管驅(qū)動(dòng)電路的具體電路實(shí)現(xiàn)；
[0039]圖4是圖3所示的功率管驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)字控制信號(hào)的轉(zhuǎn)換關(guān)系；
[0040]圖5是圖1所示的功率管驅(qū)動(dòng)電路的具體工作電壓電流波形圖；
[0041]圖6是圖3所示的功率管驅(qū)動(dòng)電路的具體工作電壓電流波形圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]如圖2所示，本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的功率管驅(qū)動(dòng)電路中不包括電荷泵結(jié)構(gòu)，通過(guò)控制傳輸門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉，來(lái)控制N型DMOS功率管的柵源電壓，即G_UP-S_UP，其中G_UP為N型DMOS功率管的柵極電壓，S_UP為N型DMOS功率管的源極電壓。
[0043]本實(shí)施例中的功率管驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)N型MOS管、P型MOS管、電阻以及二極管，如圖3所示，其中
[0044]P型MOS管MPO的源極通過(guò)電阻Rl連接到電源VBB，P型MOS管MPl的源極通過(guò)電阻R2連接到電源VBB，P型MOS管MP2的源極通過(guò)電阻R3連接到電源VBB，RU R2和R3是限流電阻；
[0045]N型MOS管MNO與P型MOS管MP3組成傳輸門(mén)，N型MOS管MNO的漏極與P型MOS管MP3的源極連接，N型MOS管MNO的源極與P型MOS管MP3的漏極連接；
[0046]N型MOS管MNO的柵極與P型MOS管MPO的漏極連接，P型MOS管MP3的柵極與P型MOS管MP2的漏極連接；N型MOS管MNO的柵極與P型MOS管MPl的漏極連接；
[0047]二極管DO跨接于N型MOS管MNO的柵極和源極之間，二極管DO的負(fù)極與N型MOS管MNO的柵極連接；二極管Dl跨接于P型MOS管MP3，二極管Dl的正極與P型MOS管MP3的柵極連接；
[0048]N型MOS管麗I的漏極與P型MOS管MPO的漏極連接；N型MOS管麗I的源極與地電位GND連接；
[0049]如圖4所示，反相器INV1、INV2和電平轉(zhuǎn)換電路，組成數(shù)字電路和模擬電路之間的接口電路；數(shù)字控制信號(hào)CTL經(jīng)過(guò)反相器INVl得到數(shù)字控制信號(hào)CTL_N，再經(jīng)過(guò)反相器INV2得到數(shù)字控制信號(hào)CTL_P，數(shù)字控制信號(hào)CTL_P與數(shù)字控制信號(hào)CTL同相，數(shù)字控制信號(hào)CTL_N與數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)反相；
[0050]數(shù)字控制信號(hào)CTL通過(guò)電平轉(zhuǎn)換電路得到數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP和數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN信號(hào)，其中數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP與數(shù)字控制信號(hào)CTL同相，數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN與數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)反相，數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN與數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP在VBB-5V到VBB之間變化；
[0051 ] 數(shù)字控制信號(hào)CTL_P為N型MOS管麗I的輸入信號(hào)；數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP為P型MOS管MPO的輸入信號(hào)，數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN為P型MOS管MPl的輸入信號(hào)；
[0052]P型MOS管MP3的源極與功率管的柵極連接，P型MOS管MP3的漏極與功率管的源極連接。
[0053]本實(shí)施例中的功率管驅(qū)動(dòng)電路工作過(guò)程如下:
[0054]數(shù)字控制信號(hào)CTL從低電平轉(zhuǎn)換到高電平時(shí)，功率管開(kāi)啟:P型MOS管MPO關(guān)閉，N型MOS管麗I打開(kāi)，D點(diǎn)電壓降低，導(dǎo)致N型MOS管MNO的柵源電壓低于開(kāi)啟電壓，N型MOS管MNO關(guān)閉；P型MOS管MP2打開(kāi)，電源VBB通過(guò)P型MOS管MP2對(duì)P型MOS管MP3的柵極充電，選取合適的限流電阻R3、R2的阻值，在功率管開(kāi)啟過(guò)程中，P型MOS管MP3的柵源電壓小于閾值電壓，P型MOS管MP3關(guān)閉；P型MOS管MPl打開(kāi)對(duì)功率管柵極充電，功率管打開(kāi)。
[0055]數(shù)字控制信號(hào)CTL從高電壓轉(zhuǎn)換到低電平時(shí)，功率管關(guān)閉:P型MOS管MPl關(guān)閉，停止對(duì)功率管柵極充電；P型MOS管MP2關(guān)閉；N型MOS管麗I關(guān)閉，P型MOS管MPO打開(kāi)，當(dāng)功率管源極電壓隨著柵 極電壓降低而降低時(shí)，D點(diǎn)電壓被上拉，N型MOS管MNO柵源電壓逐漸增大，最終N型MOS管MNO打開(kāi)并一直維持直到數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)變化，在此期間，N型MOS管ΜΝ0、Ρ型MOS管MP3組成的傳輸門(mén)結(jié)構(gòu)有效的開(kāi)啟，使功率管柵源電壓短接，達(dá)到關(guān)閉功率管的目的。
[0056]本實(shí)施例中的功率管驅(qū)動(dòng)電路具體工作電壓電流波形如圖6所示，在t0數(shù)字控制信號(hào)CTL變?yōu)楦唠娖?，表示打開(kāi)功率管MN_UP，此時(shí)MN_UP的柵極電壓Ve UP和源極電壓VsUP開(kāi)始升高，源極電流Is—UP增加并很快達(dá)到最大值，最后電壓\ UP升高到VBB電壓，Vs up升高到接近VBB電壓，此時(shí)MN_UP打開(kāi)，且處在飽和區(qū)；在〖1時(shí)刻數(shù)字控制信號(hào)CTL變?yōu)榈碗娖?，表示關(guān)閉功率管MN_UP，此時(shí)Ve UP和Vs UP —起降低，直到兩者相等并為一負(fù)值，此時(shí)Is UP也降低至零，MN_UP關(guān)閉。
[0057]采用本實(shí)用新型提供的功率管驅(qū)動(dòng)電路，不需要電荷泵升壓電路，通過(guò)控制傳輸門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉，來(lái)控制N型DMOS功率管的柵源電壓，降低芯片設(shè)計(jì)和使用中的成本和復(fù)雜度，增加可靠性。
[0058]進(jìn)一步地，功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括P型MOS管MP4、N型MOS管MN6、N型MOS管麗2、N型MOS管麗3和二極管D2，其中
[0059]P型MOS管MP4的源極與P型MOS管MP3的柵極連接，P型MOS管MP4的漏極與N型MOS管麗2的漏極連接，P型MOS管MP4的柵極與N型MOS管麗3的漏極連接，二極管D2跨接于P型MOS管MP4的源極和柵極之間，二極管D2的正極與P型MOS管MP4的柵極連接；
[0060]N型MOS管麗2的源極與地電位GND連接；[0061 ] N型MOS管麗3的源極與P型MOS管MP6的漏極連接；
[0062]N型MOS管MN6的源極與地電位GND連接；
[0063]數(shù)字控制信號(hào)CTL_N為N型MOS管麗2的柵極和N型MOS管麗3的柵極的輸入信號(hào)。
[0064]數(shù)字控制信號(hào)CTL從高電壓轉(zhuǎn)換到低電平時(shí)，N型MOS管麗2、N型MOS管麗3打開(kāi)，C點(diǎn)電壓降低，P型MOS管MP4管打開(kāi)，P型MOS管MP3柵極電荷通過(guò)P型MOS管MP4、N型MOS管麗2通路釋放，B點(diǎn)電壓降低，直到柵壓接近零伏之前P型MOS管MP3管維持打開(kāi)狀態(tài)。
[0065]采用上述功率管驅(qū)動(dòng)電路，增加了 MP4與麗2通路，能夠快速泄放傳輸門(mén)中的P型MOS管MP3柵極電荷，從而快速關(guān)閉傳輸門(mén)中的P型MOS管MP3，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
[0066]在H橋工作在反向充電模式時(shí)，P型MOS管MP3管打開(kāi)，并且A點(diǎn)將維持在高電平，此時(shí)就會(huì)有持續(xù)電流通過(guò)D2、麗2、MN6通路，通過(guò)限流措施可以使該電流減小，從而降低的功耗。
[0067]進(jìn)一步地，功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括N型MOS管MN4和N型MOS管麗5，其中
[0068]N型MOS管麗5跨接于N型MOS管麗I與地電位GND之間，N型MOS管麗5的漏極與N型MOS管麗I的源極連接，N型MOS管麗5的源極與地電位GND連接，N型MOS管麗5的柵極與N型MOS管MN4的柵極連接，N型MOS管麗5的柵極與N型MOS管MN6的柵極連接；
[0069]N型MOS管MN4的柵極與漏極連接，N型MOS管MN4的源極與地電位GND連接；
[0070]偏置電壓BIAS為N型MOS管MN4的柵極的輸入信號(hào)。
[0071]本實(shí)用新型提供的低功耗功率管驅(qū)動(dòng)電路，不需要電荷泵升壓電路，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的開(kāi)啟和關(guān)閉；通過(guò)采用限流措施，降低功率管驅(qū)動(dòng)電路的功耗；通過(guò)增加通路，快速泄放傳輸門(mén)中的P型MOS管柵極電荷，從而快速關(guān)閉傳輸門(mén)中的P型MOS管，實(shí)現(xiàn)H橋上橋臂N型DMOS功率管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉。
[0072]以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本實(shí)用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書(shū)所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種功率管驅(qū)動(dòng)電路，所述功率管為N型DMOS管，其特征在于，包括多個(gè)N型MOS管MN0、MN1，P 型 MOS 管 MP0、MP1、MP2、MP3，電阻 R1、R2、R3 以及二極管 DO、Dl，其中 所述P型MOS管MPO的源極通過(guò)所述電阻Rl連接到電源VBB，所述P型MOS管MPl的源極通過(guò)所述電阻R2連接到所述電源VBB，所述P型MOS管MP2的源極通過(guò)所述電阻R3連接到所述電源VBB ； 所述N型MOS管MNO與所述P型MOS管MP3組成傳輸門(mén)，所述N型MOS管MNO的漏極與所述P型MOS管MP3的源極連接，所述N型MOS管MNO的源極與所述P型MOS管MP3的漏極連接； 所述N型MOS管MNO的柵極與所述P型MOS管MPO的漏極連接，所述P型MOS管MP3的柵極與所述P型MOS管MP2的漏極連接；所述N型MOS管MNO的柵極與所述P型MOS管MPl的漏極連接； 所述二極管DO跨接于所述N型MOS管MNO的柵極和源極之間，所述二極管DO的負(fù)極與所述N型MOS管MNO的柵極連接；所述二極管Dl跨接于所述P型MOS管MP3，所述二極管Dl的正極與所述P型MOS管MP3的柵極連接； 所述N型MOS管麗I的漏極與所述P型MOS管MPO的漏極連接；所述N型MOS管麗I的源極與地電位GND連接； 所述功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括數(shù)字控制信號(hào)CTL、數(shù)字控制信號(hào)CTL_P以及數(shù)字控制信號(hào)CTL_N，其中所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_P與所述數(shù)字控制信號(hào)CTL同相，所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_N與所述數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)反相； 所述功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括將所述數(shù)字控制信號(hào)CTL通過(guò)電平轉(zhuǎn)換電路得到數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP和數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN信號(hào)，其中所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP與所述數(shù)字控制信號(hào)CTL同相，所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN與所述數(shù)字控制信號(hào)CTL信號(hào)反相，所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN與所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP在VBB-5V到VBB之間變化； 所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_P為所述N型MOS管麗I的輸入信號(hào)；所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_HP為所述P型MOS管MPO的輸入信號(hào)，所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_HN為所述P型MOS管MPl的輸入信號(hào)； 所述P型MOS管MP3的源極與所述功率管的柵極連接，所述P型MOS管MP3的漏極與所述功率管的源極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的功率管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括P型MOS管MP4、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN6和二極管D2，其中 所述P型MOS管MP4的源極與所述P型MOS管MP3的柵極連接，所述P型MOS管MP4的漏極與所述N型MOS管麗2的漏極連接，所述P型MOS管MP4的柵極與所述N型MOS管MN3的漏極連接，所述二極管D2跨接于所述P型MOS管MP4的源極和柵極之間，所述二極管D2的正極與所述P型MOS管MP4的柵極連接； 所述N型MOS管麗2的源極與所述地電位GND連接； 所述N型MOS管麗3的源極與所述P型MOS管MP6的漏極連接； 所述N型MOS管MN6的源極與地電位GND連接； 所述數(shù)字控制信號(hào)CTL_N為所述N型MOS管麗2的柵極和所述N型MOS管麗3的柵極的輸入信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的功率管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述功率管驅(qū)動(dòng)電路還包括N型MOS管MN4和N型MOS管MN5，其中 所述N型MOS管麗5跨接于所述N型MOS管麗I與所述地電位GND之間，所述N型MOS管麗5的漏極與所述N型MOS管麗I的源極連接，所述N型MOS管麗5的源極與所述地電位GND連接，所述N型MOS管麗5的柵極與所述N型MOS管MN4的柵極連接，所述N型MOS管麗5的柵極與所述N型MOS管MN6的柵極連接； 所述N型MOS管MN4的柵極與漏極連接，所述N型MOS管MN4的源極與所述地電位GND連接； 所述偏置電壓BIAS為所述 N型MOS管MN4的柵極的輸入信號(hào)。
【文檔編號(hào)】H02M1/088GK203747634SQ201320840167
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】張明星, 王良坤, 朱鐵柱, 夏存寶, 陳路鵬, 黃武康 申請(qǐng)人:嘉興中潤(rùn)微電子有限公司