供用于功率轉(zhuǎn)換器中的接收電路的制作方法
【專利摘要】供用在功率轉(zhuǎn)換器控制器中的接收電路，包括第一放大器，該第一放大器被耦合以接收一個輸入脈沖。第二放大器被耦合至所述第一放大器的第一輸出。所述第一輸出被耦合以響應(yīng)于所述輸入脈沖和所述第二放大器的第二輸出。輸出電路被耦合以響應(yīng)于所述第二輸出而生成輸出信號。
【專利說明】供用于功率轉(zhuǎn)換器中的接收電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及要求流電隔離(galvanic isolation)的多個電路之間的通信。更具體地，本發(fā)明的實施例涉及開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器中跨隔離勢魚(isolation barrier)的通?目。
【背景技術(shù)】
[0002]開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器廣泛用于需要經(jīng)調(diào)節(jié)的直流(dc)源來供其運(yùn)行的家用器具或工業(yè)器具，例如像在電子移動設(shè)備中普遍使用的電池充電器。離線ac-dc轉(zhuǎn)換器將低頻(例如，50Hz或60Hz)高壓ac (交流)輸入電壓轉(zhuǎn)換成所要求電平的dc輸出電壓。一些類型的開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器由于其良好的經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出、高效率和小尺寸以及其安全和保護(hù)特征而普及。普及的開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浒ɑ貟?flyback)、前向、升壓、降壓、半橋和全橋拓?fù)洌约鞍ㄖC振類型的許多其他拓?fù)洹?br> [0003]除了輸出處的電壓電平變化，隔離式(isolated)開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的安全需求還通常要求使用高頻變壓器以提供開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的輸入和輸出之間的流電隔離。
[0004]開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的市場中的一個主要挑戰(zhàn)是，降低開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的尺寸和成本，同時維持高性能運(yùn)行規(guī)范。在已知的隔離式開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器中,對開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的輸出的感測以及對用于調(diào)節(jié)開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器輸出參數(shù)(例如，電流或電壓)的反饋信號的傳送通常使用外部隔 離部件(例如像光耦合器)來完成。這些已知方法為開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器增加了不想要的附加尺寸以及成本。此外，光耦合器運(yùn)行緩慢，且在許多情形中，會限制開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的反饋帶寬和瞬態(tài)響應(yīng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供供用于功率轉(zhuǎn)換器控制器中的接收電路，該接收電路包括:
[0006]第一放大器，被耦合以接收一個輸入脈沖；
[0007]第二放大器，被耦合至所述第一放大器的第一輸出，其中所述第一輸出被耦合，以響應(yīng)于所述輸入脈沖以及所述第二放大器的第二輸出；
[0008]一個輸出電路，被耦合以響應(yīng)于所述第二輸出而生成一個輸出信號；
[0009]第一預(yù)偏置電路，被I禹合以響應(yīng)于所述輸出信號而將所述第一輸出重置為第一值；以及
[0010]第二預(yù)偏置電路，被耦合以響應(yīng)于所述輸出信號而將所述第二輸出重置為第二值。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供功率轉(zhuǎn)換器，該功率轉(zhuǎn)換器包括:
[0012]一個能量傳遞元件；
[0013]一個開關(guān)，被耦合至所述能量傳遞元件，且被耦合至所述功率轉(zhuǎn)換器的輸入；以及
[0014]一個控制器電路，被耦合以控制所述開關(guān)的開關(guān)，從而控制通過所述能量傳遞元件從所述功率轉(zhuǎn)換器的輸入至所述功率轉(zhuǎn)換器的輸出的能量傳遞，所述控制器電路包括一個接收電路，所述接收電路包括:
[0015]第一放大器，被耦合以接收一個輸入脈沖；
[0016]第二放大器，被耦合至所述第一放大器的第一輸出，其中所述第一輸出被耦合，以響應(yīng)于所述輸入脈沖和所述第二放大器的第二輸出；以及
[0017]一個輸出電路，被耦合以響應(yīng)于所述第二輸出而生成一個輸出信號。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]參照下列附圖描述本發(fā)明的非限制性和非窮舉的實施方案，其中在所有各個視圖中，相同的參考數(shù)字指代相同的部分，除非另有規(guī)定。
[0019]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的帶有接收電路的同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的一個實施例的示意圖，該接收電路經(jīng)由功率轉(zhuǎn)換器的控制器的兩個芯片(die)之間的磁耦合通信鏈路接收來自發(fā)射機(jī)的信號。
[0020]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的發(fā)射機(jī)借助于磁耦合通信鏈路發(fā)送脈沖至接收機(jī)以及接收電路響應(yīng)于接收來自所述發(fā)射機(jī)的脈沖而輸出一個輸出電壓的示意圖。
[0021]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的一個示例時序圖，示出了由發(fā)射機(jī)所生成的一個電流和相應(yīng)的電壓、由接收電路所接收的輸入脈沖電壓以及由該接收電路所生成的輸出電壓。
[0022]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的接收電路的一個示例框圖示意圖，所述接收電路包括放大器和預(yù)偏置電路系統(tǒng)。
[0023]圖5示出了示出根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的可被用在接收電路中的放大器和預(yù)偏置電路系統(tǒng)的一個實施例的示意圖。
[0024]在附圖的各個視圖中，相應(yīng)的參考數(shù)字指示相應(yīng)的部件。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，附圖中的元件是出于簡化和清楚的目的而被示出，且未必按比例繪制。例如，附圖中的一些元件的尺寸可相對于其他元件被夸大，以有助于提高對本發(fā)明的多個實施方案的理解。此外，通常未描繪在商業(yè)可行的實施方案中有用或必要的、常見但容易理解的元件，以便于較不受妨礙地查看本發(fā)明的這些實施方案。
【具體實施方式】
[0025]在下文的描述中，闡明了許多具體細(xì)節(jié)，以提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明了，實施本發(fā)明無需采用所述具體細(xì)節(jié)。在其他情況下，為了避免模糊本發(fā)明，沒有詳細(xì)描述眾所周知的材料或方法。
[0026]本說明書全文提到“一個實施方案”、“一實施方案”、“一個實施例”或“一實施例”意指，關(guān)于該實施方案或?qū)嵤├枋龅木唧w特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實施方案中。因此，本說明書全文多處出現(xiàn)的短語“在一個實施方案中”、“在一實施方案中”、“一個實施例”或“一實施例”未必全都指相同的實施方案或?qū)嵤├?。再者，所述具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可在一個或多個實施方案或?qū)嵤├幸匀魏魏线m的組合和/或子組合結(jié)合。具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可被包括在集成電路、電子電路、組合邏輯電路或其他提供所描述的功能的合適的部件中。此外，應(yīng)理解，這里提供的圖出于向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員解釋的目的，并且這些圖未必按比例繪制。
[0027]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100的一個實施例的示意圖，所述同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100具有接收機(jī)160，所述接收機(jī)160經(jīng)由同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100的集成電路控制器140的兩個芯片之間的磁耦合通信鏈路146接收來自發(fā)射機(jī)162的信號。
[0028]在圖1中示出的實施例中，同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100利用次級控制。應(yīng)理解，針對回掃轉(zhuǎn)換器的次級控制具有輸出調(diào)節(jié)較嚴(yán)格和對負(fù)載瞬變的響應(yīng)較快速的優(yōu)勢。然而，次級控制的常規(guī)方法通常使用外部隔離裝置(例如像光耦合器)，這增加了開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的復(fù)雜性和成本。通過利用帶有經(jīng)流電隔離的初級控制芯片和次級控制芯片具有磁耦合通信鏈路146的示例多芯片隔離式集成電路控制器140，可不再需要外部添加的隔離部件例如光耦合器。流電隔離防止了初級控制芯片和次級控制芯片之間的dc電流。換句話說，施加在初級控制芯片和次級控制芯片之間的dc電壓基本上不會在集成電路控制器140的初級控制芯片和次級控制芯片之間產(chǎn)生dc電流。集成電路控制器140的封裝可通過使用該封裝的引線框架來提供磁耦合通信鏈路146。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，可以幾乎零附加成本地維持開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的初級側(cè)和次級側(cè)之間的流電隔離，而不需要添加外部隔離部件。
[0029]在該示例同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100中，初級控制器和次級控制器彼此流電隔離，但是根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)在初級控制器和次級控制器之間仍存在可靠的通信。應(yīng)理解，盡管圖1的實施例示出了同步回掃轉(zhuǎn)換器，但是標(biāo)準(zhǔn)的回掃轉(zhuǎn)換器——其中用二極管替代同步整流電路126——也將受益于本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0030]在圖1示出的實施例中，同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100包括能量傳遞元件124,所述能量傳遞元件124包括初級繞組110和次級繞組112,如所示。箝位電路106被稱合在能量傳遞元件124的初級繞組110兩端，箝位電路106被耦合至同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100的輸入Vin102的第一線路。
[0031]在所描繪的實施例中，開關(guān)裝置SI 150在初級繞組110處被耦合至能量傳遞元件124，且在初級接地104處被耦合至同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100的輸入。在所示出的實施例中，開關(guān)裝置SI 150可被包括在集成電路封裝內(nèi)的單塊結(jié)構(gòu)或混合結(jié)構(gòu)中。如所描繪的實施例中示出的，集成電路控制器140被耦合為控制開關(guān)裝置S1150的開關(guān)(經(jīng)由開關(guān)信號148)，以控制能量從輸入Vin102通過能量傳遞元件124至輸出VQ120的傳遞。集成電路控制器140包括初級芯片142和次級芯片144。箝位電路106被耦合以對開關(guān)裝置S1150兩端由初級繞組110的漏電感所引起的任何關(guān)斷尖峰(turn-off spike)進(jìn)行箝位。
[0032]如圖1的實施例中所示出的，同步整流電路126在次級側(cè)處被耦合至次級繞組112，且用作同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100的同步整流器。在一個實施例中，通過來自次級芯片144的信號128來控制同步整流電路126，所述次級芯片144被耦合至同步整流電路126的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)開關(guān)的柵極。當(dāng)同步整流電路126的MOSFET開關(guān)通過來自次級芯片144的信號128導(dǎo)通時，該同步整流電路126的MOSFET開關(guān)可傳導(dǎo)電流。在所描繪的實施例中，次級紋波通過輸出濾波電容C1116變平滑，并且dc輸出Vq120被施加至負(fù)載123，具有負(fù)載電流1。118。輸出VQ120可由感測電路152經(jīng)由輸出感測信號隊156感測。次級芯片144可在次級芯片144的反饋引腳處接收來自感測電路152的反饋信號Ufb154。應(yīng)理解，在其他實施例中，感測電路152可被集成在集成電路控制器140內(nèi)，同時仍受益于本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0033]在啟動時，初級芯片142——其以初級接地104為參考——開始開關(guān)裝置S1150的開關(guān)，這開始將能量傳遞至同步回掃開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器100的次級側(cè)。初級芯片142和次級芯片144之間的通信可通過由磁耦合通信鏈路146提供的磁耦合，所述磁耦合通信鏈路146由集成電路封裝的引線框架的隔離導(dǎo)體形成。在所示出的實施例中，接收機(jī)160被布置在初級芯片142上，發(fā)射機(jī)162被布置在次級芯片144上。在另一實施例中，接收機(jī)160可被布置在次級芯片144上，發(fā)射機(jī)162可被布置在初級芯片142上。在又一實施例中，發(fā)射機(jī)162和接收機(jī)160可被布置在初級芯片142和次級芯片144 二者上。在多個實施例中，使用包括在集成電路封裝的引線框架中的流電隔離的導(dǎo)電回路(conductive loop)來實現(xiàn)磁耦合通信鏈路146。
[0034]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的、發(fā)射機(jī)262借助于磁耦合通信鏈路246將輸入脈沖發(fā)送至接收機(jī)260的示意圖。在所示出的實施例中，通過經(jīng)感應(yīng)回路(inductiveloop)生成發(fā)射機(jī)電流Ιτ264來形成輸入脈沖，這在感應(yīng)回路上感生出電壓VT266。當(dāng)發(fā)射機(jī)電流Ιτ264隨時間改變或變化時，它在感應(yīng)回路附近產(chǎn)生變化的磁場。由于電磁感應(yīng)法貝U，在經(jīng)受變化的磁場的導(dǎo)體兩端生成電壓。響應(yīng)于發(fā)射機(jī)電流Ιτ264變化，可在發(fā)射機(jī)262的感應(yīng)回路附近的接收機(jī)導(dǎo)體兩端感生出接收機(jī)電壓VK268。因此，接收機(jī)260可經(jīng)由磁耦合通信鏈路246接收來自發(fā)射機(jī)262的輸入脈沖。在所示出的實施例中，接收機(jī)260響應(yīng)于接收到輸入脈沖而輸出一個輸出電壓VoUT270。
[0035]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的一個示例時序圖，示出了由發(fā)射機(jī)(例如，發(fā)射機(jī)262)所生成的發(fā)射機(jī)電流Ιτ364和相應(yīng)的電壓VT366。實線的發(fā)射機(jī)電流Ιτ364和電壓VT366代表理想信號，而虛線308和310代表所估計的實際信號。實踐中，實際信號很可能不同于理想信號，因為在磁耦合通信鏈路246中可能存在寄生元件，例如電容和/或電感等。例如，這些寄生元件可導(dǎo)致發(fā)射機(jī)和/或接收機(jī)中的損耗，導(dǎo)致較低振幅的電壓VT366和/或電壓VK368。
[0036]在圖3的示例時序圖中，電壓VT366在I1和t3之間的處于值Vtp的正振幅信號相應(yīng)于發(fā)射機(jī)電流Ιτ364在&和t3之間的從O至Itp的朝上斜坡302。這種關(guān)系表明，通過發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路的發(fā)射機(jī)電流Ιτ364在以相應(yīng)于朝上斜坡302的速率增大，以及通過發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路的增大的電流在該感應(yīng)回路上感生出值為Vtp的正電壓。在一個實施例中，值Vtp在L和t3之間為40mV。
[0037]VT366在t3和t5之間的零振幅信號相應(yīng)于發(fā)射機(jī)電流Ιτ364在t3和t5之間的處于Itp的平頂部304。這種關(guān)系表明，發(fā)射機(jī)電流Ιτ364在&和&之間基本恒定。由于恒定電流不會在發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路上感生相應(yīng)的電壓，所以VT366在t3和t5之間具有基本為零的振幅。
[0038]電壓VT366在t5和t6之間的處于值Vtm的負(fù)振幅信號相應(yīng)于發(fā)射機(jī)電流Ιτ364在t5和t6之間的從Itp至O的朝下斜坡306。這種關(guān)系表明，通過發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路的發(fā)射機(jī)電流Ιτ364在以相應(yīng)于朝下斜坡306的速率減小，以及通過發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路的減小的電流在發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路上感生出值為Vtm的負(fù)電壓。
[0039]在所示出的實施例中，注意到，對于電流Ιτ364，增大斜坡302比減小斜坡306更陡，所以值Vtp比值Vtm更大，因為根據(jù)電磁感應(yīng)法則，在感應(yīng)回路上所感生的電壓成正比例于感應(yīng)回路中的電流的斜率。此外，與發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路放電相比，在更短的時間段內(nèi)完成為發(fā)射機(jī)的感應(yīng)回路充電。即使這樣，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識到，電壓VT366在h和t3之間的正振幅信號下方的面積應(yīng)當(dāng)與電壓VT366在t5和t6之間的負(fù)振幅信號下方的面積相同，以保持磁耦合通信鏈路中的基本為零的凈能量。
[0040]圖3還示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的、由一個接收機(jī)(例如，接收機(jī)260)所接收的示例輸入脈沖電壓VK368和由該接收機(jī)所生成的輸出電壓370。類似于發(fā)射機(jī)電流Ιτ364和電壓VT366的時序圖，用于電壓VK368的實線代表理想信號，而虛線312代表所估計的實際信號。如上面所討論的，在具有變化的電流的感應(yīng)回路附近的接收機(jī)的導(dǎo)體上感生出一個電壓。因此，電壓VK368基本跟蹤發(fā)射機(jī)電流Ιτ364和電壓VT366。如前面所提及的，磁耦合通信鏈路中的寄生元件可導(dǎo)致?lián)p耗。在一個實施例中，接收機(jī)中的損耗可能大于發(fā)射機(jī)中的損耗。如所示出的，這可能使得，電壓VK368的實際信號的振幅大小比電壓VT366的實際信號的相應(yīng)大小更低。
[0041]當(dāng)電壓VK368的實際信號大于接收機(jī)中的閾值電壓Vth時，接收機(jī)生成輸出電壓VOUT370中的H輸出電壓。當(dāng)電壓VK368的實際信號小于接收機(jī)中的閾值電壓Vth時，接收機(jī)生成輸出電壓VoUT370中的L輸出電壓。由于使實際信號相對于理想信號延遲的寄生電容和/或電感，響應(yīng)于電壓VK368，輸出電壓V.370的脈沖可能略微延遲(例如，延遲h和t2之間的時間段，或者延遲〖3和〖4之間的時間段)。在 一個實施例中，開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)(例如，開關(guān)SI 150)響應(yīng)于輸出電壓Vot370而開關(guān)。在一個實施例中，輸出電壓Vtot370的脈沖的脈沖寬度為約20ns。
[0042]如圖3中進(jìn)一步示出的，發(fā)射機(jī)可發(fā)送連續(xù)的脈沖，例如被一個時間段間隔開的發(fā)射機(jī)電流Ιτ364的第一脈沖和發(fā)射機(jī)電流Ιτ364的第二脈沖。在一個實施例中，該時間段具有由開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)周期Ts所確定的長度。類似地，接收機(jī)可接收連續(xù)的脈沖，例如也被該時間段間隔開的電壓VK368的第一脈沖和電壓VK368的第二脈沖。圖3中還示出了電路穩(wěn)定時間(circuit settling time)t6至t7,該電路穩(wěn)定時間相應(yīng)于電壓VK368的第一脈沖的負(fù)振幅信號的結(jié)束和電壓VK368的第二脈沖的正振幅信號的開始之間的時間段。在該時間段中，接收機(jī)內(nèi)的接收電路可具有時間來穩(wěn)定和/或重置，以準(zhǔn)備接收可能在初始脈沖之后的隨后脈沖。
[0043]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的接收電路400的一個示例框圖示意圖，所述接收電路400可被納入接收機(jī)160或260中。如所描繪的實施例中示出的，接收電路400包括第一放大器410、第二放大器430、輸出電路460、延遲電路480、第一預(yù)偏置電路420和第二預(yù)偏置電路450。在所不出的實施例中，第一放大器410被I禹合以接收輸入脈沖UIN402,第二放大器430被耦合至第一放大器410的第一輸出412。第一放大器410的第一輸出412被耦合以響應(yīng)于輸入脈沖UIN402，并且響應(yīng)于第二放大器430的第二輸出440。在一個實施例中，輸入脈沖Uin402相應(yīng)于電壓VK368。正反饋信號Upfb432為第一放大器410提供來自第二放大器430的第二輸出440的反饋。輸出電路460被f禹合，以響應(yīng)于第二輸出440而生成輸出信號11(^470。在一個實施例中，輸出信號11(^470是一個電壓,且相應(yīng)于輸出電壓VOUT370o
[0044]在運(yùn)行時,第一放大器410放大輸入脈沖Uin402。第二放大器430被稱合至第一放大器410的第一輸出412,并且通過進(jìn)一步放大第一輸出412而生成第二輸出440。如上面所討論的，正反饋信號Upfb432為第一放大器410提供來自第二放大器430的第二輸出440的反饋。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，在運(yùn)行時，隨著第一放大器410接收輸入脈沖Uin402以及正反饋信號Upfb432這兩者的結(jié)合，響應(yīng)于輸入脈沖Uin402的第一輸出412的變化率增大。輸出電路460被耦合至第二輸出440，且響應(yīng)于第二輸出440和閾值電壓Vth的比較，生成輸出信號11(^470。輸出信號11(^470可以是具有邏輯高電平和邏輯低電平的電壓。在一個實施例中，當(dāng)?shù)诙敵?40大于閾值電壓Vth時，輸出信號Uqut470是邏輯低，當(dāng)?shù)诙敵?40小于閾值電壓Vth時，輸出信號Uajl^TO是邏輯高。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，在多個實施例中，輸出電路460可包括比較器、反相器、驅(qū)動器等，以生成輸出信號Utot470。
[0045]在所不出的實施例中，第一預(yù)偏置電路420被I禹合,從而響應(yīng)于輸出信號Uqut470而將第一輸出412重置為第一值。在圖4中描繪的實施例中，第一值是％。第一預(yù)偏置電路420可包括第一開關(guān)SW022，所述第一開關(guān)SW022被耦合以將第一輸出412重置為所述第一值。如所不出的，第二預(yù)偏置電路450被I禹合,從而響應(yīng)于輸出信號Uqut470而將第二輸出440重置為第二值。在圖4中描繪的實施例中，第二值是V2。第二預(yù)偏置電路450可包括第二開關(guān)SW2452，所述第二開關(guān)SW2452被耦合以將所述第二輸出440重置為所述第二值。
[0046]根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，在運(yùn)行時，響應(yīng)于輸出信號UoUT470而將第一輸出412和第二輸出440分別重置為第一值和第二值，可在一個短的時間段內(nèi)使得接收電路400準(zhǔn)備好接收并且放大跟隨在輸入脈沖Uin402之后的一個接下來的輸入脈沖。在一些應(yīng)用中，接收電路400可接收代表功率轉(zhuǎn)換器的狀態(tài)的信息(經(jīng)由輸入脈沖)，并且可被配置為響應(yīng)于快速的輸入脈沖流。在一個實施例中，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，這將允許使功率轉(zhuǎn)換器的輸出量(例如，輸出VJ20)被更加嚴(yán)格地調(diào)節(jié)。
[0047]在一個實施 例中，延遲電路480被耦合以接收輸出信號Uqut470，延遲電路480還被耦合以生成響應(yīng)于輸出信號Uqut470的預(yù)偏置控制信號Upke482。延遲電路480可被進(jìn)一步耦合至第一預(yù)偏置電路420，以及被耦合至第二預(yù)偏置電路450。延遲電路480還可被耦合以生成預(yù)偏置控制信號Upke482的脈沖，所述預(yù)偏置控制信號Upke482的脈沖相對于輸出信號Uqut470的相應(yīng)脈沖延遲。在一個實施例中，延遲電路480將輸出信號Uqut470延遲約20ns。在一個實施例中，延遲電路480可包括一個耦合至電容器的電流源，從而通過將輸出信號Uot470延遲而生成預(yù)偏置控制信號Upke482。
[0048]圖5示出了示出根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)的、可被用在接收電路400中的放大器和預(yù)偏置電路系統(tǒng)的一個實施例的示意圖。第一放大器510是第一放大器410的一個可能實施例。如所描繪的實施例中所示出的，第一放大器510包括晶體管QWOS'QjOS'QAOT'QAOg、Q4511、Q5513、Q6515、Q7517、Q8514 和 Q9526。在圖 5 所示的實施例中，晶體管 Qq503 和 QA05是雙極結(jié)型晶體管(BJT)，晶體管Q4511、Q5513、Q6515和Q7517是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，晶體管Q2517、Q3509、Q8514和Q9526是η溝道MOSFET。
[0049]在所示出的實施例中，第一放大器510包括具有單端輸出的差分放大器。差分放大器包括晶體管Qc)503和0^05，所述晶體管QW03和Qi505在其基極處被耦合在一起。晶體管QA05被耦合，以在晶體管QA05的發(fā)射極處接收輸入脈沖Uin502。晶體管Qq503和QA05的發(fā)射極可被認(rèn)為是差分放大器的輸入端子。晶體管％503的發(fā)射極被耦合至地504，而晶體管(^505的發(fā)射極被耦合至一個輸入節(jié)點，所述輸入節(jié)點可被耦合至包括接收機(jī)(例如，接收機(jī)260)的感應(yīng)回路的一部分的導(dǎo)體。在所不出的實施例中,地504代表參考電壓或電位，相對于該參考電壓或電位來限定或測量所述放大器和預(yù)偏置電路系統(tǒng)的所有其他電壓或電位。在一個實施例中，感應(yīng)回路的一端可被耦合至地504，而感應(yīng)回路的另一端可通過導(dǎo)體被耦合至輸入節(jié)點。因此，輸入脈沖Uin502可基本上由感應(yīng)回路上的電壓加上地504來確定。通過感應(yīng)回路附近的變化的磁場，可在感應(yīng)回路的兩端感生出一個電壓。如果在感應(yīng)回路附近不存在變化的磁場，則輸入脈沖Uin502基本為地504 (B卩，晶體管Qi505的發(fā)射極接收不到輸入脈沖)。晶體管Qi505可代表與晶體管QW03相同的且被并聯(lián)地耦合在一起(即，基極被耦合在一起，發(fā)射極被耦合在一起，集電極被耦合在一起)的任何數(shù)目的晶體管。結(jié)果，對于相同的基極-發(fā)射極電壓，晶體管％505的集電極電流基本等于晶體管％503的集電極電流乘以晶體管％505所代表的相同的晶體管的數(shù)目。在所示出的第一放大器510的實施例中，晶體管QA05代表被并聯(lián)耦合在一起的兩個相同的晶體管(例如，與Qq503相同)，從而對于相同的基極-發(fā)射極電壓，晶體管(^505需求的集電極電流是晶體管QW03的集電極電流的兩倍。
[0050]第一放大器510的第一分支包括晶體管Q6515、Q4511、Q2507和Qq503。第一放大器510的第二分支包括晶體管Q7517、Q5513、Q3509和Q1SOS0晶體管Q6515和Q7517用作電流源，以供應(yīng)電流至第一放大器510的第一分支和第二分支。在一個實施例中，這些晶體管被定尺寸，使得晶體管Q7517的寬高比(即，晶體管的寬度與晶體管的長度的比率)與晶體管Q6515的寬高比的比率小于晶體管貼05所代表的相同晶體管的數(shù)目。在所示出的第一放大器510的實施例中，晶體管Q7517的寬高比小于晶體管Q6515的寬高比的兩倍。結(jié)果，晶體管Q7517可提供至第一放大器510的第二分支的電流比晶體管Q6515可提供至第一放大器510的第一分支的電流的兩倍小。
[0051]對于第一放大器5 10的運(yùn)行，這具有兩種含義。第一，當(dāng)晶體管Qi505的發(fā)射極在輸入節(jié)點處接收不到輸入脈沖時(即，當(dāng)晶體管(^505的基極-發(fā)射極電壓變?yōu)榈扔诰w管Q0503的基極-發(fā)射極電壓時)，第一放大器510的第二分支不能滿足晶體管％505的電流需求迫使第一輸出512下降。需要附加的電流來滿足晶體管(^505的電流需求，以使第一放大器510穩(wěn)定。該電流可來自第二放大器530的晶體管Q23535,以使第一放大器510穩(wěn)定，使得第一輸出512處于不足以接通晶體管Q2(i539的電平(即，傳導(dǎo)第二放大器530的第二分支上可獲得的全電流)。
[0052]第二種含義是，晶體管QP03和Qi505的基極-發(fā)射極電壓需要有差別，以將晶體管QA05的電流需求降低至能夠提升第一輸出512。具體地，晶體管Qi505的基極-發(fā)射極電壓需要比晶體管QW03的基極-發(fā)射極電壓小某一量，以便第一輸出512升高至足以接通晶體管Q2(i539的電平(從而，將輸出信號Utot570從邏輯低轉(zhuǎn)變至邏輯高)。晶體管Qq503的基極-發(fā)射極電壓和晶體管Qi505的基極-發(fā)射極電壓之間的差可被認(rèn)為是第一放大器510的補(bǔ)償(offset)或者接收電路400的檢測閾值。換句話說，輸入信號UIN502需要通過該補(bǔ)償(檢測閾值)來升高到地504之上，從而將第一輸出512提升至所需的電平。
[0053]實踐中，第一放大器510的輸出處的信號電平不會對輸入脈沖Uin502的變化立即做出反應(yīng)。因此，第一輸出512處的信號電平不僅依賴于輸入脈沖Uin502的大小，而且依賴于輸入脈沖Uin502的持續(xù)時間。例如，較短的輸入脈沖需要具有較大的大小，以產(chǎn)生與具有較小大小的較長的輸入脈沖所產(chǎn)生的相同的第一輸出512。在一個實施例中，輸入脈沖需要持續(xù)15ns為至少22mV，以能夠?qū)⒌谝惠敵?12提升至接通晶體管Q2(l539所需的電平。
[0054]在所示的實施例中，晶體管％507和％509具有相同的寬度和長度(從而，相同的寬高比)，并且在它們的柵極處被耦合在一起，以形成電流鏡。類似地，晶體管Q4511和Q5513也在它們的柵極處被耦合，以形成電流鏡。在所示的實施例中，這些電流鏡增大第一放大器510的增益。
[0055]在圖5中，晶體管Q9526被耦合至供電電壓\，從而為晶體管QA05和QP03提供基極電流。在一個實施例中，晶體管Q9526可供應(yīng)比晶體管QP03和Qi505所需要的更多的電流，以確保晶體管Qc)503和Qi505總是能夠傳導(dǎo)電流。晶體管Q8514被耦合，以將過電流吸收至地504。
[0056]在所示的實施例中，在耦合至晶體管Q8514、Q10528和Q12524的柵極的一個偏置節(jié)點處接收偏置電壓Vbias。在一個實施例中，該偏置電壓Vbias是由一個單獨的電路生成且被提供至偏置節(jié)點的溫度不敏感電壓。該偏置電壓Vbias可被用于生成關(guān)于第一放大器510和第二放大器530的溫度基本恒定的參考電流。此外，偏置電壓Vbias可用于設(shè)置晶體管Q8514和Q12524可傳導(dǎo)的電流的量。在所示的實施例中，偏置電壓V—被施加至Q1(l528的柵極，以生成參考電流Ibias，所述參考電流Ibias則被反射通過電流鏡組合Qn527-Q6515、Qn527_Q7517、Qn527-Q18538和Qn527_Q22539，以生成用于第一放大器510和第二放大器530的第一分支和第二分支的期望電流。以此方式，晶體管Q6515、Q7517、Q18538和Q22539可運(yùn)行作為被耦合至供電電壓\的電流源，從而提供期望電流至第一放大器510和第二放大器530的第一分支和第二分支。根據(jù)晶體管Q6、Q7> Q18和Q22的寬高比而定，第一放大器510和第二放大器530的第一分支和第二分支中的電流可與參考電流Ibias相同或者不同。作為一個例子，晶體管Q6可具有與晶體管Q11的寬高比相同的寬高比，使得第一放大器530的第一分支中的電流基本與參考電流Ibias相同。
[0057]如前面所討論的，第一放大器的第一分支是相應(yīng)于晶體管(^503、Q2507、Q4511和Q6515的支路，以及第二分支是相應(yīng)于晶體管QP05、Q3509、Q5513和Q7517的另一支路。第二放大器530的第一分支是相應(yīng)于晶體管Q14532、Q15533、Q16534、Q17537和Q18538的支路，第二分支是相應(yīng)于晶體管Q19531、Q2(i539、Q21536和Q22539的另一支路。晶體管Q6515和Q7517的寬高比可以不同于晶體管Q18538和Q22539的寬高比。在這種情況下，第一放大器510的第一分支和第二分支中的電流不同于第二放大器530的第一分支和第二分支中的電流。在所示出的實施例中，第二放大器530的第一分支和第二分支可具有相同的電流，這對于設(shè)置第一輸出512上的晶體管Q2(l539的偏置電壓(B卩，柵極-源極電壓)可能是重要的。
[0058] 參考第二放大器530，晶體管Q2(i539的偏置電壓被設(shè)置成一個值，使得當(dāng)輸入節(jié)點處不存在輸入脈沖時，晶體管Q2(i539不導(dǎo)通(即，不傳導(dǎo)第二放大器530的第二分支上可獲得的全電流)，但是仍傳導(dǎo)某一電流。這樣，晶體管Q2(i539可被認(rèn)為在閾值以下的區(qū)域中運(yùn)行，這通過將晶體管Q2(i539的柵極-源極電壓設(shè)置為略微低于晶體管Q2(i539的閾值電壓(Vt)的值來實現(xiàn)。這樣做的一個原因是，保持第二放大器530的第二輸出540在輸出電路560的閾值電壓之上。否則，如果當(dāng)不存在輸入脈沖時，晶體管Q2(1539傳導(dǎo)第二放大器530的第二分支上可獲得的全電流，則第二輸出540可下降到輸出電路560的閾值電壓之下，錯誤地導(dǎo)致輸出信號Utot570從邏輯低轉(zhuǎn)變至邏輯高。實踐中，輸出電路560響應(yīng)于接收到一個輸入脈沖UIN502，應(yīng)當(dāng)僅生成一個輸出邏輯高。
[0059]如所例示的實施例中示出的，多個晶體管(具體地，晶體管Q19531、Q14532、Q15533、Q16534和Q23535)被用于設(shè)置晶體管Q2(l539的偏置電壓。在所例不的實施例中，晶體管Q19531、Q14532、Q16534和Q235 3 5全都具有相同的面積，意味著對于相同的集電極電流，它們的基極-發(fā)射極電壓(Vbe)彼此基本相同。晶體管Q23535的集電極電流可不同于晶體管Q14532、Q16534和Q19531的集電極電流，而晶體管Q14532、Q16534和Q19531可與具有相同寬高比的晶體管Q18538和Q22539具有相同的電流允許量(current courtesy),如前面所提及的。然而，晶體管Q23535的基極-發(fā)射極電壓可仍非常接近于晶體管Q14532、Q16534和Q19531的VBE，因為Vbe的小變化可關(guān)聯(lián)于集電極電流的大變化。假定第一放大器510和第二放大器530的第一分支和第二分支中的電流小(以減小功耗)，晶體管Q15的柵極-源極電壓被迫等于(或者非常接近于)晶體管Q15的閾值電壓。在一個實施例中，晶體管Q15和Q2tl具有相等的閾值電壓。出于這種考慮，晶體管Q23535的基極電壓可等于晶體管Q14532的Vbe與Q15513的柵極-源極電壓(即，晶體管Q15的Vt)加上晶體管Q16534的Vbe之和。
[0060]已知的是，晶體管Q235 3 5被耦合以傳導(dǎo)電流(當(dāng)在輸入節(jié)點處不存在輸入脈沖時)，所述電流從供電電壓Va通過第一放大器510的晶體管QA05和Q3509行進(jìn)至地504。因而，晶體管Q2(i539的柵極電壓等于晶體管Q235 3 5的基極電壓(2Vbe+Vt)減去晶體管Q23535的VBE。也就是說，晶體管Q2(i539的柵極電壓是VBE+VT。如前面所提及的，晶體管Q19531的Vbe與晶體管Q14532、Q16534和Q23 5 3 5的Vbe基本相同。由于在晶體管Q19531的集電極、基極和發(fā)射極之間存在電阻 分壓器(由電阻器1^584和1?2586形成)，所以晶體管Q19531的集電極電壓變?yōu)?1+?/?) Vbe，這也是晶體管Q2Q539的源極電壓。在所示的實施例中，電阻器札584是50萬歐姆，電阻器R2586是3兆歐姆，從而晶體管Q19531的集電極電壓是VBE+VBE/6。這樣，晶體管Q2(i539的柵極-源極電壓為約Vt-Vbe/6。在所示的實施例中，晶體管Q14532、Q16534、Q19531和Q23535的Vbe為約0.65伏，因此晶體管Q2(l539的柵極-源極電壓低于晶體管Q2(l539的閾值電壓約100mV。在晶體管Q2(i539的柵極電壓升高到高于晶體管Q2(l539的源極電壓的量等于或者大于晶體管Qm的閾值電壓(這在輸入節(jié)點處有合適的輸入脈沖時發(fā)生)之前，第二輸出540保持大于輸出電路560的閾值，結(jié)果，輸出信號Uqut570保持邏輯低。
[0061]當(dāng)輸入脈沖在輸入節(jié)點處(即，在晶體管(^505的發(fā)射極處)被接收時，晶體管Qi505的基極-發(fā)射極電壓減小，導(dǎo)致晶體管(^505的集電極電流較低。作為響應(yīng)，第一輸出512開始升高。當(dāng)?shù)谝惠敵?12達(dá)到一個電平使得晶體管Q2(i539的柵極-源極電壓變得高于晶體管Q；m539的閾值電壓時，晶體管Qm539導(dǎo)通,傳導(dǎo)第二放大器530的第二分支上全部可獲得的電流。隨后，第二輸出540開始下降，且可下降到輸出電路560的閾值之下，這使輸出信號Uot570從邏輯低轉(zhuǎn)變至邏輯高。
[0062]即使在輸入脈沖Uin502已經(jīng)消失之后，第一輸出512仍可以足夠長時間地保持高，以保持晶體管Q2Q539導(dǎo)通。類似地，第二輸出540可以足夠長時間地保持低，以使輸出信號UOUT570比期望的更長時間地保持邏輯高。因而，如果在初始輸入脈沖之后，隨后的輸入脈沖太快地到達(dá)，第一放大器510和第二放大器530可能未準(zhǔn)備好適當(dāng)?shù)貙﹄S后的脈沖做出反應(yīng)。
[0063]為解決這個可能的問題，第一預(yù)偏置電路520可運(yùn)行，以通過從第一輸出512提取電流將第一輸出512返回到或重置為第一初始值，從而將第一輸出512朝第一初始值拉低。在所不出的實施例中，延遲電路580使第一預(yù)偏置電路520延遲將第一輸出512重置為第一初始值。具體地，延遲電路580通過延遲輸出信號Uqut570來生成預(yù)偏置控制信號Upke582，并且提供預(yù)偏置控制信號Upke582至第一預(yù)偏置電路520以導(dǎo)通晶體管Q13522。當(dāng)在輸入節(jié)點處不存在輸入脈沖時，第一初始值可為晶體管Q2(i539的柵極電壓。換句話說，第一初始值可以是VBE+VT，如上面所討論的。延遲電路580還可提供預(yù)偏置控制信號Upke582至第二預(yù)偏置電路550，以導(dǎo)通晶體管Q24552，這繼而將第二輸出540提升至第二初始值，如所示出的。
[0064]在討論圖4時，正反饋信號432為第一放大器410提供來自第二放大器430的第二輸出440的正反饋信號Upfb432。圖5示出了可被實施以提供正反饋信號UPFB432的電路系統(tǒng)的一個實施例。具體地，晶體管Q21536的柵極和漏極之間的寄生電容CDe541將第二輸出540耦合至晶體管Q5513的柵極。隨著晶體管Q2Q539的柵極-源極電壓增大以及晶體管Q20539響應(yīng)于增大第一輸出512而傳導(dǎo)更多電流,第二輸出540降低。由于第二輸出540被耦合(經(jīng)由寄生電容CDe541)至晶體管Q5513的柵極，晶體管Q5513的柵極電壓相對于晶體管Q5513的源極電壓變得更負(fù)，這對于P溝道MOSFET意味著晶體管傳導(dǎo)更多的電流。因此，晶體管Q5513將傳導(dǎo)更多的電流，驅(qū)動第一輸出512以更快的速率增大。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，以這種方式，圖4的正反饋信號Upfb432從第二輸出540通過寄生電容CDe541被提供至第一放大器510。因而，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，第一放大器510可具有更快的響應(yīng)時間，用于一旦接收到輸入脈沖Uin502以及來自第二輸出540的正反饋信號，就將第一輸出512提升至接通晶體管Q2(i539所必需的電平。
[0065]上文對所示出的本發(fā)明的實施例的描述，包括摘要中描述的內(nèi)容，不意在是窮舉性的或者是對所公開的確切形式的限制。盡管出于示例目的在本文中描述了本發(fā)明的具體實施方案和實施例，但在不偏離本發(fā)明的較寬泛精神和范圍的前提下，多種等同修改是可行的。事實上，應(yīng)認(rèn)識到，具體的示例電壓、電流、頻率、功率范圍值、時間等是出于解釋目的而提供的，并且根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，在其他實施方案和實施例中也可采用其他值。
【權(quán)利要求】
1.供用于功率轉(zhuǎn)換器控制器中的接收電路，包括: 第一放大器，被耦合以接收一個輸入脈沖； 第二放大器，被耦合至所述第一放大器的第一輸出，其中所述第一輸出被耦合，以響應(yīng)于所述輸入脈沖以及所述第二放大器的第二輸出； 一個輸出電路，被耦合以響應(yīng)于所述第二輸出而生成一個輸出信號； 第一預(yù)偏置電路，被I禹合以響應(yīng)于所述輸出信號而將所述第一輸出重置為第一值；以及 第二預(yù)偏置電路，被耦合以響應(yīng)于所述輸出信號而將所述第二輸出重置為第二值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收電路，還包括一個延遲電路，所述延遲電路被耦合以接收所述輸出信號，其中所述延遲電路被耦合以響應(yīng)于所述輸出信號而生成一個預(yù)偏置控制信號，以及其中所述延遲電路被耦合至所述第一預(yù)偏置電路和所述第二預(yù)偏置電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接收電路，其中所述延遲電路被耦合以生成所述預(yù)偏置控制信號的一個脈沖， 所述脈沖從所述輸出信號的相應(yīng)脈沖延遲所述輸入脈沖的至少脈沖寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制器，其中所述延遲電路包括一個電流源，所述電流源被率禹合至一個電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收電路，其中所述第一預(yù)偏置電路包括第一開關(guān)，所述第一開關(guān)被耦合以將所述第一輸出重置為所述第一值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收電路，其中所述第二預(yù)偏置電路包括第二開關(guān)，所述第二開關(guān)被耦合以將所述第二輸出重置為所述第二值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收電路，其中所述第二放大器包括第二放大器開關(guān)，所述第二放大器開關(guān)被耦合以通過所述第一放大器的所述第一輸出來控制，以及其中所述第一值剛好就在所述第二放大器開關(guān)的導(dǎo)通值以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制器，其中所述第一放大器包括一個差分放大器，所述差分放大器具有第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和第二晶體管在它們的基極處被耦合在一起，其中所述第一晶體管在所述第一晶體管的發(fā)射極處接收所述輸入脈沖。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制器，其中所述輸出電路包括一個反相器，所述反相器被耦合以將所述第二放大器的輸出與一個閾值電壓進(jìn)行比較，所述反相器還被耦合以輸出所述輸出信號。
10.功率轉(zhuǎn)換器，包括: 一個能量傳遞元件； 一個開關(guān)，被耦合至所述能量傳遞元件，且被耦合至所述功率轉(zhuǎn)換器的輸入；以及一個控制器電路，被耦合以控制所述開關(guān)的開關(guān)，從而控制通過所述能量傳遞元件從所述功率轉(zhuǎn)換器的輸入至所述功率轉(zhuǎn)換器的輸出的能量傳遞，所述控制器電路包括一個接收電路，所述接收電路包括: 第一放大器，被耦合以接收一個輸入脈沖； 第二放大器，被耦合至所述第一放大器的第一輸出，其中所述第一輸出被耦合，以響應(yīng)于所述輸入脈沖和所述第二放大器的第二輸出；以及 一個輸出電路，被耦合以響應(yīng)于所述第二輸出而生成一個輸出信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，還包括一個磁耦合通信鏈路，所述磁耦合通信鏈路被耦合在所述功率轉(zhuǎn)換器的初級側(cè)和所述功率轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)之間，其中所述第一放大器被耦合以經(jīng)由所述磁耦合通信鏈路接收所述輸入脈沖。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述開關(guān)被耦合，以響應(yīng)于所述輸出信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述接收電路還包括: 第一預(yù)偏置電路，被I禹合以響應(yīng)于所述輸出信號而將所述第一輸出重置為第一值；以及 第二預(yù)偏置電路，被耦合以響應(yīng)于所述輸出信號而將所述第二放大器的第二輸出重置為第二值。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率轉(zhuǎn)換器，還包括一個延遲電路，所述延遲電路被耦合以接收所述輸出信號，其中所述延遲電路被耦合以響應(yīng)于所述輸出信號而生成一個預(yù)偏置控制信號，以及其中所述延遲電路被耦合至所述第一預(yù)偏置電路和所述第二預(yù)偏置電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述延遲電路被耦合以生成所述預(yù)偏置控制信號的一個脈沖，所述 脈沖從所述輸出信號的相應(yīng)脈沖延遲所述輸入脈沖的至少脈沖覽度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述第一預(yù)偏置電路包括第一開關(guān)，所述第一開關(guān)被耦合以將所述第一輸出重置為所述第一值。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述第二預(yù)偏置電路包括第二開關(guān)，所述第二開關(guān)被耦合以將所述第二輸出重置為所述第二值。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述第二放大器包括第二放大器開關(guān)，所述第二放大器開關(guān)被耦合以通過所述第一放大器的所述第一輸出來控制，以及其中在所述接收機(jī)電路中不存在所述輸入脈沖的情況下，所述第一輸出的第一值剛好就在所述第二放大器開關(guān)的導(dǎo)通值以下。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述第一放大器包括一個差分放大器，所述差分放大器具有第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和第二晶體管在它們的基極處被耦合在一起，其中所述第一晶體管在所述第一晶體管的發(fā)射極處接收所述輸入脈沖。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述輸出電路包括一個反相器，所述反相器被耦合以將所述第二放大器的輸出與一個閾值電壓進(jìn)行比較，所述反相器還被耦合以輸出所述輸出信號。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述接收電路被耦合以從一個發(fā)射機(jī)接收所述輸入脈沖，其中所述接收電路被布置在一個單獨的半導(dǎo)體芯片上。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的功率轉(zhuǎn)換器，其中所述接收電路被布置在第一芯片上，所述發(fā)射機(jī)被布置在第二芯片上，以及其中所述第一芯片被布置在所述功率轉(zhuǎn)換器的初級側(cè)，所述發(fā)射機(jī)被布置在所述功率轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)。
【文檔編號】H02M7/217GK103944424SQ201410031000
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年1月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月22日
【發(fā)明者】A·B·詹格里安, S·劉, L·倫德 申請人:電力集成公司