一種應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)led的高壓levelshift電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，其包括NMOS管、上拉電阻、齊納二極管單元、限流電阻；上拉電阻一端、齊納二極管單元的陰極端、高壓PMOS管的源極均與高壓端連接，上拉電阻另一端、齊納二極管單元的陽極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管的柵極均與NMOS管的漏極連接，NMOS管的柵極與低壓控制模塊的輸出端連接。其中，本發(fā)明只需要1個(gè)NMOS管、上拉電阻、限流電阻和齊納二極管單元，即可達(dá)到LEVELSHIFT目的，且省去額外的LEVELSHIFT電源，因此，本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡單，而且，只使用了1個(gè)NMOS管，從而大大減小電路的占用面積。
【專利說明】—種應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及交流驅(qū)動(dòng)LED【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT (即 level shift,電平轉(zhuǎn)換)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，交流驅(qū)動(dòng)LED電路中使用到的高壓PMOS管的柵源耐壓(SP|Vgs|)—般小于數(shù)十伏，這就要求高壓PMOS的柵極電壓應(yīng)相對于電源電壓的壓差保持恒定，而開關(guān)邏輯控制通常是使用低壓電源輸出(即交流驅(qū)動(dòng)LED電路的低壓控制模塊輸出)，因此需要LEVELSHIFT單元。常規(guī)的LEVELSHIFT電路需要至少4個(gè)高壓MOS管(即耐高壓的MOS管)，還需要產(chǎn)生一個(gè)額外的相對于電源電壓保持恒定壓差的電源，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜；并且高壓MOS管的面積很大，LEVELSHIFT電路采用多個(gè)高壓MOS管，其電路占用的面積勢必會(huì)較大，不利于產(chǎn)品的小型化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種電路結(jié)構(gòu)簡單、電路占用面積較小的應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，包括NMOS管、上拉電阻、齊納二極管單元、限流電阻；所述上拉電阻一端、齊納二極管單元的陰極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管的源極均與高壓端連接，所述上拉電阻另一端、齊納二極管單元的陽極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管的柵極均與NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的柵極與交流驅(qū)動(dòng)LED電路的低壓控制模塊的輸出端連接，所述NMOS管的源極與限流電阻一端連接，所述限流電阻另一端接地。
[0005]較佳地，所述NMOS管為高壓NMOS管。
[0006]較佳地，所述齊納二極管單元為I個(gè)齊納二極管，該齊納二極管的陰極為所述齊納二極管單元的陰極端、而陽極為所述齊納二極管單元的陽極端。
[0007]較佳地，所述齊納二極管單元為若干個(gè)齊納二極管串聯(lián)組成。
[0008]本發(fā)明有益效果在于:
[0009]本發(fā)明只需要I個(gè)NMOS管、上拉電阻、限流電阻和齊納二極管單元，即可達(dá)到LEVELSHIFT目的，且省去額外的LEVELSHIFT電源，因此，本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡單，而且，只使用了 I個(gè)NMOS管，從而大大減小電路的占用面積。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。[0012]請參考圖1，本發(fā)明應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，包括NMOS管NO、上拉電阻R0、齊納二極管單元、限流電阻Rs。上拉電阻RO—端、齊納二極管單元的陰極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管PO的源極均與高壓端(VPP)連接，上拉電阻RO另一端、齊納二極管單元的陽極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管PO的柵極均與NMOS管NO的漏極連接，NMOS管NO的柵極與交流驅(qū)動(dòng)LED電路的低壓控制模塊I的輸出端連接，NMOS管NO的源極與限流電阻Rs —端連接，限流電阻Rs另一端接地。
[0013]其中，上述NMOS管NO為高壓NMOS管(即耐高壓NMOS管)。在本實(shí)施例中，齊納二極管單元為I個(gè)齊納二極管Z0，該齊納二極管ZO的陰極為齊納二極管單元的陰極端、而陽極為齊納二極管單元的陽極端。當(dāng)然，根據(jù)被控制的交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管PO的柵源耐壓值不同，齊納二極管單元也可以為若干個(gè)齊納二極管串聯(lián)組成。
[0014]本發(fā)明的工作原理，如下:
[0015]當(dāng)交流驅(qū)動(dòng)LED電路的低壓控制模塊I輸出為“I”(即邏輯高電平)時(shí)，NMOS管NO開啟，將上拉電阻R0、齊納二極管ZO的上下端壓差嵌位至齊納二極管ZO的擊穿電壓，使交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管PO的柵極電壓保持恒定，而限流電阻Rs是用來限制NMOS管NO的下拉電流；當(dāng)交流驅(qū)動(dòng)LED電路的低壓控制模塊I輸出為“O”(即邏輯低電平)時(shí)，NMOS管NO關(guān)閉，齊納二極管ZO的陽極、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管PO的柵極均被上拉電阻RO上拉至高壓VPP。這樣，即實(shí)現(xiàn)了 LEVELSHIFT功能，且可省去額外的LEVELSHIFT電源。
[0016]因此，本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡單，而且，只使用了 I個(gè)NMOS管NO，從而大大減小電路的占用面積，故本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED電路中。
[0017]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，其特征在于:包括NMOS管、上拉電阻、齊納二極管單元、限流電阻；所述上拉電阻一端、齊納二極管單元的陰極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管的源極均與高壓端連接，所述上拉電阻另一端、齊納二極管單元的陽極端、交流驅(qū)動(dòng)LED電路的高壓PMOS管的柵極均與NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的柵極與交流驅(qū)動(dòng)LED電路的低壓控制模塊的輸出端連接，所述NMOS管的源極與限流電阻一端連接，所述限流電阻另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，其特征在于:所述NMOS管為高壓匪OS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，其特征在于:所述齊納二極管單元為I個(gè)齊納二極管，該齊納二極管的陰極為所述齊納二極管單元的陰極端、而陽極為所述齊納二極管單元的陽極端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于交流驅(qū)動(dòng)LED的高壓LEVELSHIFT電路，其特征在于:所述齊納二極管 單元為若干個(gè)齊納二極管串聯(lián)組成。
【文檔編號】H02M3/155GK103904889SQ201410076864
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月4日
【發(fā)明者】唐飛球 申請人:東莞博用電子科技有限公司