一種基于rtv涂料的中壓電纜附件缺陷模型的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，其主要特點(diǎn)是：包括主絕緣體、絕緣屏蔽層、導(dǎo)體壓接管和冷縮中間接頭，絕緣屏蔽層設(shè)置在主絕緣體的兩端，導(dǎo)體壓接管將兩端電纜連接后，冷縮中間接頭設(shè)置在整體外部，在主絕緣體、絕緣屏蔽層和冷縮中間接頭上設(shè)有如下四種缺陷模型之一：導(dǎo)體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型；半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模型；主絕緣劃傷缺陷模型；防水缺陷模型。本發(fā)明采用透明硅橡膠制作成的冷縮中間接頭，對中壓電纜現(xiàn)場施工過程中多發(fā)的問題進(jìn)行模擬，并利用RTV處理缺陷驗(yàn)證不同類型缺陷的處理效果，為后期進(jìn)行試驗(yàn)對比分析，總結(jié)消除缺陷隱患打下基礎(chǔ)，對提高電纜供電可靠性、降低運(yùn)行及維護(hù)成本有著重要意義。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于中壓電纜【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模 型。 -種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電網(wǎng)的發(fā)展，中壓（額定電壓6?35kV)電纜附件的使用量逐年增加，運(yùn)行中 電纜附件也時(shí)常發(fā)生故障。電纜附件在電網(wǎng)中運(yùn)行的質(zhì)量取決于多方面的因素，包括設(shè)計(jì)、 產(chǎn)品本身質(zhì)量、施工安裝工藝、電纜線路運(yùn)行狀況等。隨著現(xiàn)代科技的不斷發(fā)展及材料技 術(shù)、生產(chǎn)工藝的不斷提高，產(chǎn)品本身質(zhì)量原因造成故障的概率越來越少，而現(xiàn)場的安裝質(zhì)量 已直接影響中壓電纜附件的故障率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于RTV涂料的中壓電纜附件 缺陷模型，解決中壓電纜施工過程中多發(fā)故障的模擬分析及處理問題。
[0004] 本發(fā)明解決現(xiàn)有的技術(shù)問題是采取以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0005] -種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，包括主絕緣體、絕緣屏蔽層、導(dǎo)體壓 接管和冷縮中間接頭，所述的絕緣屏蔽層設(shè)置在主絕緣體的兩端，導(dǎo)體壓接管將兩端電纜 連接后，所述的冷縮中間接頭設(shè)置在整體外部，在主絕緣體、絕緣屏蔽層和冷縮中間接頭上 設(shè)有如下四種缺陷之一：
[0006] ⑴在導(dǎo)體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙并使用RTV填補(bǔ)，構(gòu)成導(dǎo)體壓接管與主 絕緣間氣隙缺陷模型；
[0007] ⑵在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有半導(dǎo)電斷口劃傷并使用RTV填補(bǔ)，從而 構(gòu)成半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模型；
[0008] ⑶在主絕緣體上制有劃傷并使用RTV填補(bǔ)，從而構(gòu)成主絕緣劃傷缺陷模型；
[0009] ⑷在主絕緣體的導(dǎo)體壓接處制有滲水縫隙并使用RTV填補(bǔ)，從而構(gòu)成防水缺陷模 型。
[0010] 而且，所述導(dǎo)體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型中的氣隙為l-2mm。
[0011] 而且，所述半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模型中的半導(dǎo)電斷口劃傷為沿?cái)嗫谧呦虻沫h(huán)狀劃 傷，對于10kV電纜：該劃傷寬度為0· 5臟，深度為1mm ;對于35kV電纜：該劃傷寬度為1mm， 深度為1. 5謹(jǐn)。
[0012] 而且，所述主絕緣劃傷缺陷模型中的劃傷深度及位置為：對于10kV電纜，劃傷深 度為0· 5-lmm，劃傷長度為25mm，末端距主絕緣體端部40-50mm ;對于35kV電纜，劃傷深度 為0· 5-1. 5mm，劃痕長度為30mm，末端距主絕緣端部60_80mm。
[0013] 而且，所述的冷縮中間接頭采用透明硅橡膠制成。
[0014] 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：
[0015] 本發(fā)明采用透明硅橡膠制作成的冷縮中間接頭，對中壓電纜現(xiàn)場施工過程中多發(fā) 的問題進(jìn)行模擬，并利用RTV處理缺陷，可以用來驗(yàn)證不同類型缺陷的處理效果，為后期進(jìn) 行試驗(yàn)對比分析，總結(jié)消除缺陷隱患的施工處理方法打下基礎(chǔ)，對提高電纜供電可靠性、降 低運(yùn)行及維護(hù)成本有著重要意義。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是本發(fā)明的導(dǎo)體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型示意圖；
[0017] 圖2是本發(fā)明的半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模型示意圖；
[0018] 圖3是本發(fā)明的主絕緣劃傷缺陷模型示意圖；
[0019] 圖4是本發(fā)明的防水缺陷模型示意圖；
[0020] 圖中，1 :主絕緣體，2 :導(dǎo)體壓接管與主絕緣間氣隙，3 :絕緣屏蔽層，4:半導(dǎo)電斷口 劃傷，5 :導(dǎo)體壓接管，6 :主絕緣劃傷，7 :滲水縫隙，8 :冷縮中間接頭。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 以下結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例做進(jìn)一步詳述。
[0022] 一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，如圖1至圖4所示，包括主絕緣體1、 絕緣屏蔽層3,絕緣屏蔽層設(shè)置在主絕緣體的兩端，兩端電纜用導(dǎo)體壓接管5連接，外部套 有冷縮中間接頭8,所述的冷縮中間接頭采用透明硅橡膠制成，在主絕緣體、絕緣屏蔽層和 冷縮中間接頭上設(shè)有如下四種缺陷之一：
[0023] 如圖1所示，在導(dǎo)體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙2,該氣隙使用RTV填補(bǔ)，構(gòu)成 導(dǎo)體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型。該缺陷模型的制作方法為：電纜主絕緣體剝切及導(dǎo) 體壓接后，在纏繞半導(dǎo)電帶時(shí)在主絕緣體和導(dǎo)體壓接管之間留出約l_2mm的縫隙，并使用 RTV填補(bǔ)導(dǎo)體壓接管與主絕緣體之間的氣隙。
[0024] 如圖2所示，在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有沿?cái)嗫谧呦虻沫h(huán)狀劃傷4,并 使用RTV沿?cái)嗫诰鶆蛲磕ㄒ恢?，并在其干燥后打磨平滑，從而?gòu)成半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模 型。該缺陷模型的制作方法為：當(dāng)完成電纜絕緣屏蔽層的剝除后，在絕緣屏蔽層與主絕緣 體的斷口處留下半導(dǎo)電斷口劃傷，劃痕的寬度及深度為，10kV :寬0· 5mm，深1mm ;35kV :寬 1_，深1.5_，并使用RTV沿?cái)嗫诰鶆蛲磕ㄒ恢?，并在其干燥后打磨平滑?br> [0025] 如圖3所示，在主絕緣體上制有劃傷6,并使用RTV覆蓋住劃傷部位，在其干燥后打 磨平滑，從而構(gòu)成主絕緣劃傷缺陷模型。本缺陷模型的制作方法為：在完成電纜絕緣屏蔽層 的剝除后，在電纜主絕緣體上留下主絕緣劃傷，劃痕的深度及位置，10kV :0. 5-lmm，劃痕約 長25mm，末端距主絕緣端部約40-50mm ;35kV 5-1. 5mm，劃痕約長30mm，末端距主絕緣端 部約60-80mm,然后使用RTV覆蓋住劃傷部位，在其干燥后打磨平滑。
[0026] 如圖4所示，在主絕緣體的導(dǎo)體壓接處制有滲水縫隙7,使用RTV對中間接頭中可 能滲水的縫隙進(jìn)行填補(bǔ)，從而構(gòu)成防水缺陷模型。在制作該缺陷模型時(shí)，使用RTV對中間接 頭中的滲水縫隙進(jìn)行填補(bǔ)。
[0027] 本中壓電纜附件缺陷模型應(yīng)用于10kV及35kV兩個(gè)電壓等級的中壓電纜。本處理 模型根據(jù)電纜的型號確定尺寸其尺寸，其中，10kV電纜截面240mm 2,35kV電纜截面300mm2。
[0028] 需要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明所述的實(shí)施例是說明性的，而不是限定性的，因此本發(fā)明包 括并不限于【具體實(shí)施方式】中所述的實(shí)施例，凡是由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案 得出的其他實(shí)施方式，同樣屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，其特征在于：包括主絕緣體、絕緣屏蔽 層、導(dǎo)體壓接管和冷縮中間接頭，所述的絕緣屏蔽層設(shè)置在主絕緣體的兩端，導(dǎo)體壓接管將 兩端電纜連接后，所述的冷縮中間接頭設(shè)置在整體外部，在主絕緣體、絕緣屏蔽層和冷縮中 間接頭上設(shè)有如下四種缺陷之一： ⑴在導(dǎo)體壓接管與主絕緣體之間制有氣隙并使用RTV填補(bǔ)，構(gòu)成導(dǎo)體壓接管與主絕緣 間氣隙缺陷模型； ⑵在絕緣屏蔽層與主絕緣體的斷口處制有半導(dǎo)電斷口劃傷并使用RTV填補(bǔ)，從而構(gòu)成 半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模型； ⑶在主絕緣體上制有劃傷并使用RTV填補(bǔ)，從而構(gòu)成主絕緣劃傷缺陷模型； ⑷在主絕緣體的導(dǎo)體壓接處制有滲水縫隙并使用RTV填補(bǔ)，從而構(gòu)成防水缺陷模型。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，其特征在于： 所述導(dǎo)體壓接管與主絕緣間氣隙缺陷模型中的氣隙為1_2_。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，其特征在于： 所述半導(dǎo)電斷口劃傷缺陷模型中的半導(dǎo)電斷口劃傷為沿?cái)嗫谧呦虻沫h(huán)狀劃傷，對于10kV 電纜：該劃傷寬度為〇· 5mm，深度為1mm ;對于35kV電纜：該劃傷寬度為1mm，深度為1. 5mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，其特征在于： 所述主絕緣劃傷缺陷模型中的劃傷深度及位置為：對于10kV電纜，劃傷深度為0. 5-1_，劃 傷長度為25mm，末端距主絕緣體端部40-50mm ;對于35kV電纜，劃傷深度為0· 5-1. 5mm，劃 痕長度為30mm，末端距主絕緣端部60_80mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的一種基于RTV涂料的中壓電纜附件缺陷模型，其 特征在于：所述的冷縮中間接頭采用透明硅橡膠制成。
【文檔編號】H02G15/00GK104065020SQ201410328430
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】朱曉輝, 李旭, 郭勇 申請人:國家電網(wǎng)公司, 國網(wǎng)天津市電力公司