用于rf能量獲取的超低壓自供電整流器電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于：包括全波整流器電路，全波整流電路包括自偏置橋式整流電路和偏置電路；所述自偏置橋式整流電路包括連接成自偏置形式的兩個(gè)NMOS晶體管和兩個(gè)PMOS晶體管，兩個(gè)NMOS晶體管的漏端短接在一起，同時(shí)接地端；兩個(gè)PMOS晶體管的漏端短接在一起，作為橋式整流電路的輸出端。本發(fā)明提供了一種用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，能夠有效地將從外部空間獲取的能量轉(zhuǎn)換為可直接為電子設(shè)備供電的直流電壓，完成AC/DC轉(zhuǎn)換，同時(shí)最大化利用所獲取的外界能量。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著便攜式消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和深亞微米CMOS集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，環(huán)境污 染和能量損耗逐漸成為了限制1C設(shè)計(jì)的重要原因。為了解決這一問(wèn)題，能量獲取技術(shù)作為 一種新型可替代電源，得到了越來(lái)越多的關(guān)注。
[0003] 能量獲取技術(shù)是指從外部空間獲取多余的能量，并將其轉(zhuǎn)化為可用的電能。外 部空間包括的能量源有：振動(dòng)能、溫差能、光能、和射頻能（射頻能即RF能，RF:Radio Frequency)。其中，RF能由于不受時(shí)間和空間的限制，工作環(huán)境自由，傳輸范圍大等優(yōu)點(diǎn)， 成為了當(dāng)前能量獲取技術(shù)的主流研究方向之一，可作為替代電池為長(zhǎng)期免維護(hù)系統(tǒng)提供所 需的電能。
[0004] 整流器電路是能量獲取技術(shù)中的核心單元，負(fù)責(zé)將天線(xiàn)采集到的微小交流信號(hào)轉(zhuǎn) 換為可用的直流電壓信號(hào)，具有交流到直流（AC/DC)的轉(zhuǎn)換功能。理想的整流器電路必須 滿(mǎn)足超低壓的工作條件，且能夠提供足夠大的輸出電壓以最大化轉(zhuǎn)換所獲取的能量，同時(shí)， 自身消耗的能量應(yīng)盡可能的小。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路， 能夠有效地將從外部空間獲取的能量轉(zhuǎn)換為可直接為電子設(shè)備供電的直流電壓，完成AC/ DC轉(zhuǎn)換，同時(shí)最大化利用所獲取的外界能量。
[0006] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：
[0007] -種用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于：包括全波整流器 電路和有源開(kāi)關(guān)管電路；全波整流電路包括自偏置橋式整流電路和偏置電路；所述自偏置 橋式整流電路包括連接成自偏置形式的兩個(gè)NM0S晶體管和兩個(gè)PM0S晶體管，兩個(gè)NM0S晶 體管的漏端短接在一起，同時(shí)接地；兩個(gè)PM0S晶體管的漏端短接在一起，作為橋式整流電 路的輸出端；所述偏置電路包括，一個(gè)PM0S晶體管和一個(gè)NM0S晶體管構(gòu)成的超低壓分壓電 路，PM0S晶體管和NM0S晶體管串聯(lián)，公共端連接到所述橋式整流電路中的PM0S晶體管的 襯底端，提供襯底偏置信號(hào)。
[0008] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括PM0S晶體管，PM0S晶體管的 源端連接所述橋式整流電路的輸出端，PM0S的漏端作為所述超低壓自供電整流器電路的輸 出端；所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括共柵極運(yùn)算放大器電路，該運(yùn)算放大器的同相輸入端連接 到PM0S開(kāi)關(guān)管的漏端，同時(shí)連接到超低壓自供電整流器電路的輸出，該運(yùn)算放大器的反相 輸入端連接到PM0S開(kāi)關(guān)管的源端，同時(shí)連接到所述橋式整流電路的輸出；所述有源開(kāi)關(guān)管 電路包括襯底調(diào)制電路，該襯底調(diào)制電路包括三個(gè)PM0S晶體管和一個(gè)反相器電路。
[0009] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述全波整流電路還包括自偏置橋式整流電路，其中， 所有晶體管均連接成自偏置結(jié)構(gòu)，即一組NMOS晶體管和PMOS晶體管的源端相連，接輸入交 流電壓的正相端，另一組NM0S晶體管和PM0S晶體管的源端相連，接輸入交流電壓的反相 端，輸入交流電壓作為晶體管的柵端控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)自偏置結(jié)構(gòu)，兩個(gè)NM0S晶體管的漏端 相連并接地，兩個(gè)PM0S晶體管的漏端相連，并作為全波整流電路的輸出端。
[0010] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述偏置電路包括連接成二極管結(jié)構(gòu)的PM0S和NM0S 晶體管，其中，NM0S的柵端連接PM0S的源端，并接所述自供電整流器的輸出端，PM0S的漏端 和NM0S的漏端相接，作為偏置電路的輸出端，連接到所述橋式整流電路中的PM0S晶體管的 襯底端，提供偏置信號(hào)。
[0011] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述有源開(kāi)關(guān)管電路還包括PM0S有源開(kāi)關(guān)管，在優(yōu)選 原則下，PM0S晶體管傳輸高電平性能比NM0S好。
[0012] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述有源開(kāi)關(guān)管電路還包括共柵極運(yùn)算放大器電路， 該運(yùn)算放大器電路包括啟動(dòng)級(jí)電路、共柵極輸入級(jí)電路、和輸出級(jí)電路三部分。
[0013] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述共柵極運(yùn)算放大器電路還包括啟動(dòng)級(jí)電路，包括 一對(duì)NM0S電流鏡、共源級(jí)PM0S有源負(fù)載、和源級(jí)跟隨器PM0S晶體管，為運(yùn)算放大器電路提 供啟動(dòng)信號(hào)，當(dāng)運(yùn)算放大器正常工作后，啟動(dòng)電路關(guān)斷以節(jié)省功耗。
[0014] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述共柵極運(yùn)算放大器電路還包括共柵極輸入級(jí)電 路，包括一對(duì)共柵極差分輸入NM0S晶體管和PM0S電流鏡有源負(fù)載，輸入信號(hào)加在NM0S差 分對(duì)的源端，以提高增益和帶寬，并減小電源電壓，PM0S電流鏡完成了雙端輸入到單端輸出 的轉(zhuǎn)換。
[0015] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述共柵極運(yùn)算放大器電路還包括輸出級(jí)電路，由同 相施密特觸發(fā)器構(gòu)成，具有直流滯回電壓，可以濾除輸入信號(hào)上的噪聲，得到一個(gè)干凈的數(shù) 字輸出信號(hào)。
[0016] 作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括襯底調(diào)制電路和啟動(dòng)電路； 其中，由兩個(gè)PM0S晶體管將有源開(kāi)關(guān)管的源、漏端分別與襯底相連，所述共柵極運(yùn)算放大 器的輸出端連接其中一個(gè)PM0S晶體管的柵端，所述共柵極運(yùn)算放大器的輸出端經(jīng)過(guò)反相 器產(chǎn)生反相信號(hào)后，連接至另一個(gè)PM0S晶體管的柵端，控制PM0S晶體管的開(kāi)啟和關(guān)斷，該 兩個(gè)PM0S晶體管交替將有源開(kāi)關(guān)管的襯底端連接至高電位；啟動(dòng)電路由連接成二極管結(jié) 構(gòu)的PM0S晶體管構(gòu)成，該P(yáng)M0S晶體管連接在有源開(kāi)關(guān)管的源漏端，避免有源開(kāi)關(guān)管工作在 零狀態(tài)，當(dāng)有源開(kāi)關(guān)管正常工作后，該P(yáng)M0S二極管關(guān)斷以節(jié)省功耗。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的整流器電路，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，轉(zhuǎn)換效率高，由于采用了 超低壓偏置電路，為橋式整流電路提供偏置信號(hào)，提高了輸出電壓擺幅；采用共柵極運(yùn)算放 大器結(jié)構(gòu)，為有源開(kāi)關(guān)管和襯底調(diào)制電路提供了干凈的數(shù)字控制信號(hào)，具有功耗低、增益帶 寬積大、轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為本發(fā)明所述的超低壓自供電高效整流器電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0019] 圖2為本發(fā)明所述的全波整流電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0020] 圖3為本發(fā)明所述的有源開(kāi)關(guān)管電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0021] 圖4為本發(fā)明所述的共柵極運(yùn)算放大器電路的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 為使得本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)表達(dá)得更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及具 體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明再做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0023] 首先對(duì)本發(fā)明涉及的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行說(shuō)明如下：
[0024] PMOS :P_channel metal oxide semiconductor FET，P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管；
[0025] NMOS :N_channel metal oxide semiconductor FET，N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管；
[0026] 如圖1所示，本發(fā)明所述的超低壓自供電高效整流器電路的一實(shí)施例包括全波整 流電路和有源開(kāi)關(guān)管電路，其中：
[0027] 本發(fā)明該實(shí)施例所述全波整流電路包括自偏置橋式整流電路和超低壓偏置電路。
[0028] 所述自偏置橋式整流電路包括連接成自偏置形式的兩個(gè)NM0S晶體管和兩個(gè)PM0S 晶體管，如圖2所示，兩個(gè)NM0S晶體管的漏端短接在一起，同時(shí)接地；兩個(gè)PM0S晶體管的漏 端短接在一起，作為橋式整流電路的輸出端，一組NM0S和PM0S晶體管的柵極由輸入交流信 號(hào)的正相電壓驅(qū)動(dòng)，另一組NM0S和PM0S晶體管的柵極由輸入交流信號(hào)的反相電壓驅(qū)動(dòng)，與 傳統(tǒng)的二極管結(jié)構(gòu)M0S晶體管相比，自偏置M0S晶體管降低了導(dǎo)通電阻，保證了較寬的輸出 電壓范圍，提高了帶負(fù)載能力，NM0S晶體管的襯底端接地，防止寄生效應(yīng)，PM0S晶體管的襯 底由所述偏置電路驅(qū)動(dòng)，降低其閾值電壓。
[0029] 所述超低壓偏置電路，由PM0S和NM0S晶體管串聯(lián)構(gòu)成，PM0S晶體管的柵端和漏 端相連，連接為二極管形式，NM0S的柵端連接到，PM0S晶體管的源端和所述整流器電路的 輸出端，即自供電結(jié)構(gòu)，降低了偏置電路所需的最小工作電壓，實(shí)現(xiàn)了超低壓低功耗設(shè)計(jì)， PM0S和NM0S晶體管的公共端作為偏置電路的輸出，連接到所述橋式整流電路中的PM0S晶 體管的襯底端，為自偏置PM0S晶體管提供襯底偏置信號(hào)，降低了 PM0S晶體管的閾值電壓和 導(dǎo)通電阻，提高了所述橋式整流電路的輸出電壓，適用于超低壓設(shè)計(jì)。
[0030] 本發(fā)明該實(shí)施例所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括：PM0S有源開(kāi)關(guān)管、共柵極運(yùn)算放大器 和襯底調(diào)制電路。
[0031] 所述PM0S有源開(kāi)關(guān)管，如圖3所示，其源級(jí)連接到所述全波整流電路的輸出端，并 連接到所述共柵極運(yùn)算放大器的反相輸入端，漏端為所述超低壓自供電高效整流器電路的 輸出端，并連接到所述共柵極運(yùn)算放大器的同相輸入端，同時(shí)為整個(gè)電路提供工作電源電 壓，柵端由所述共柵極運(yùn)算放大器的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)，運(yùn)算放大器控制了有源PM0S開(kāi)關(guān)管的 導(dǎo)通和關(guān)斷，襯底端由所述襯底調(diào)制電路驅(qū)動(dòng)，以降低閾值電壓，提高輸出電壓擺幅。
[0032] 所述共柵極運(yùn)算放大器包括啟動(dòng)級(jí)電路、共柵極輸入級(jí)電路、和輸出級(jí)電路，如圖 4所示。
[0033] 所述啟動(dòng)級(jí)電路中，晶體管MP4、MP5的源端和襯底端相連，并連接至所述整流器 電路的輸出端，二極管形式的MP4晶體管的柵端和漏端相連，并連接到晶體管MN4的漏端， MN4的源端和襯底接地，MN4的柵端和NM5的柵端及漏端相連，構(gòu)成NM0S電流鏡結(jié)構(gòu)，MN5 的源端和襯底接地，漏端作為所述啟動(dòng)級(jí)電路的輸出信號(hào)，為所述共柵極輸入級(jí)電路提供 初始的觸發(fā)信號(hào)，避免電路工作在零狀態(tài)，共源級(jí)晶體管MP5的漏端與麗5的漏端相連，柵 端與所述共柵極輸入級(jí)電路中的MP6-MP7電流鏡結(jié)構(gòu)的柵端相連，且連接到源級(jí)跟隨器晶 體管MN6的漏端，MN6的柵端連接到MP4的漏端，其襯底和源端接地，MN6的作用在于，當(dāng)共 柵極運(yùn)算放大器電路開(kāi)始正常工作后，將啟動(dòng)級(jí)電路關(guān)斷，以節(jié)省功耗，滿(mǎn)足超低壓設(shè)計(jì)要 求。
[0034] 所述共柵極輸入級(jí)電路包括共柵極輸入差分對(duì)管MN7和MN8，MN7的源端為所述運(yùn) 算放大器的反相輸入端，MN8的源端為所述運(yùn)算放大器的同相輸入端，MN7和MN8的柵端相 連，并與所述啟動(dòng)級(jí)電路的輸出端相連，麗7和MN8的襯底接地，麗7的漏端接MP6的漏端和 柵端，MN8的漏端接MP7的漏端，并作為所述輸入級(jí)電路的輸出端，MP6和MP7的源端和襯底 相連，并連接到所述整流器電路的輸出端，MP6和MP7的柵端相連，構(gòu)成共柵極輸入差分對(duì) 管的有源電流鏡負(fù)載，將雙端輸入轉(zhuǎn)換為單端輸出。
[0035] 所述輸出級(jí)電路由同相施密特觸發(fā)器構(gòu)成，晶體管MP8和MN9構(gòu)成第一級(jí)反相器。 與MP10和麗11構(gòu)成的第二級(jí)反相器級(jí)聯(lián)，晶體管MP8和MN9的柵極相連，作為第一級(jí)反相 器的輸入端，并連接至所述運(yùn)算放大器輸入級(jí)的輸出端，晶體管MP10和MN11的柵極相連， 作為第二級(jí)反相器的輸入端，接至MP8和MN9的漏端，同時(shí)與MP9和麗10的漏端相連，晶體 管MP10和麗11的漏端相連，作為所述運(yùn)算放大器的輸出端，同時(shí)與MP9和麗10的柵端相 連，所有PM0S晶體管的源端和襯底相連，并連接到所述整流器電路的輸出端，所有NM0S晶 體管的源端和襯底相連，并接地，晶體管MP9和MN10用來(lái)調(diào)整第一級(jí)反相器的開(kāi)關(guān)閾值，以 實(shí)現(xiàn)直流滯回電壓，消除輸入信號(hào)上的噪聲，加快信號(hào)的翻轉(zhuǎn)速度，所述輸出級(jí)最終輸出一 個(gè)較為干凈的數(shù)字信號(hào)。
[0036] 所述襯底調(diào)制電路中，晶體管MPB1的源端和襯底相連，并連接至PM0S有源開(kāi)關(guān)管 的源端，MPB1的漏端和MPB2的漏端相連，并連接至PM0S有源開(kāi)關(guān)管的襯底端，以及晶體管 MPB3的襯底端，晶體管MPB2的源端和襯底相連，并連接至PM0S有源開(kāi)關(guān)管的漏端，作為所 述整流器電路的輸出端，同時(shí)連接至MPB3的柵端和漏端，MPB3的源端與PM0S有源開(kāi)關(guān)管的 源端相連，MPB1的柵端由所述運(yùn)算放大器的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)，所述運(yùn)算放大器的輸出信號(hào)連 接至反相器Inv，Inv的輸出信號(hào)連接到MPB2的柵端，MPB1和MPB2管交替導(dǎo)通，以保證所述 PM0S有源開(kāi)關(guān)管的襯底端始終連至高電位，從而減小其導(dǎo)通電阻，提高輸出電壓擺幅，晶體 管MPB3并聯(lián)在PM0S有源開(kāi)關(guān)管的兩端，保證開(kāi)關(guān)管的正常開(kāi)啟，避免了零工作狀態(tài)，一旦 PM0S有源開(kāi)關(guān)管正常工作，MPB3關(guān)斷，以減小功耗。
[0037] PM0S晶體管的閾值電壓表達(dá)式為
[0038]
【權(quán)利要求】
1. 一種用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于：包括全波整流器電 路和有源開(kāi)關(guān)管電路，全波整流電路包括自偏置橋式整流電路和偏置電路； 所述自偏置橋式整流電路包括連接成自偏置形式的兩個(gè)NMOS晶體管和兩個(gè)PMOS晶體 管，兩個(gè)NMOS晶體管的漏端短接在一起，同時(shí)接地；兩個(gè)PMOS晶體管的漏端短接在一起，作 為橋式整流電路的輸出端； 所述偏置電路包括，一個(gè)PMOS晶體管和一個(gè)NMOS晶體管構(gòu)成的超低壓分壓電路，PMOS 晶體管和NMOS晶體管串聯(lián)，公共端連接到所述橋式整流電路中的PMOS晶體管的襯底端，提 供襯底偏置信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括PMOS晶體管，PMOS晶體管的源端連接所述橋式整流電路的輸出 端，PMOS的漏端作為所述超低壓自供電整流器電路的輸出端； 所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括共柵極運(yùn)算放大器電路，該運(yùn)算放大器的同相輸入端連接到 PMOS開(kāi)關(guān)管的漏端，同時(shí)連接到超低壓自供電整流器電路的輸出，該運(yùn)算放大器的反相輸 入端連接到PMOS開(kāi)關(guān)管的源端，同時(shí)連接到所述橋式整流電路的輸出； 所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括襯底調(diào)制電路，該襯底調(diào)制電路包括三個(gè)PMOS晶體管和一 個(gè)反相器電路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述全波整流電路還包括自偏置橋式整流電路，其中，所有晶體管均連接成自偏置結(jié)構(gòu)，即 一組NMOS晶體管和PMOS晶體管的源端相連，接輸入交流電壓的正相端，另一組NMOS晶體 管和PMOS晶體管的源端相連，接輸入交流電壓的反相端，輸入交流電壓作為晶體管的柵端 控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)自偏置結(jié)構(gòu)，兩個(gè)NMOS晶體管的漏端相連并接地，兩個(gè)PMOS晶體管的漏端 相連，并作為全波整流電路的輸出端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述偏置電路包括連接成二極管結(jié)構(gòu)的PMOS和NMOS晶體管，其中，NMOS的柵端連接PMOS 的源端，并接所述自供電整流器的輸出端，PMOS的漏端和NMOS的漏端相接，作為偏置電路 的輸出端，連接到所述橋式整流電路中的PMOS晶體管的襯底端，提供偏置信號(hào)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述有源開(kāi)關(guān)管電路還包括PMOS有源開(kāi)關(guān)管，在優(yōu)選原則下，PMOS晶體管傳輸高電平性能 比NMOS好。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述有源開(kāi)關(guān)管電路還包括共柵極運(yùn)算放大器電路，該運(yùn)算放大器電路包括啟動(dòng)級(jí)電路、 共柵極輸入級(jí)電路、和輸出級(jí)電路三部分。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述共柵極運(yùn)算放大器電路還包括啟動(dòng)級(jí)電路，包括一對(duì)NMOS電流鏡、共源級(jí)PMOS有源負(fù) 載、和源級(jí)跟隨器PMOS晶體管，為運(yùn)算放大器電路提供啟動(dòng)信號(hào)，當(dāng)運(yùn)算放大器正常工作 后，啟動(dòng)電路關(guān)斷以節(jié)省功耗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述共柵極運(yùn)算放大器電路還包括共柵極輸入級(jí)電路，包括一對(duì)共柵極差分輸入NMOS晶 體管和PMOS電流鏡有源負(fù)載，輸入信號(hào)加在NMOS差分對(duì)的源端，以提高增益和帶寬，并減 小電源電壓，PMOS電流鏡完成了雙端輸入到單端輸出的轉(zhuǎn)換。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述共柵極運(yùn)算放大器電路還包括輸出級(jí)電路，由同相施密特觸發(fā)器構(gòu)成，具有直流滯回 電壓，可以濾除輸入信號(hào)上的噪聲，得到一個(gè)干凈的數(shù)字輸出信號(hào)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于RF能量獲取的超低壓自供電整流器電路，其特征在于： 所述有源開(kāi)關(guān)管電路包括襯底調(diào)制電路和啟動(dòng)電路； 其中，由兩個(gè)PM0S晶體管將有源開(kāi)關(guān)管的源、漏端分別與襯底相連，所述共柵極運(yùn)算 放大器的輸出端連接其中一個(gè)PM0S晶體管的柵端，所述共柵極運(yùn)算放大器的輸出端經(jīng)過(guò) 反相器產(chǎn)生反相信號(hào)后，連接至另一個(gè)PM0S晶體管的柵端，控制PM0S晶體管的開(kāi)啟和關(guān) 斷，該兩個(gè)PM0S晶體管交替將有源開(kāi)關(guān)管的襯底端連接至高電位； 啟動(dòng)電路由連接成二極管結(jié)構(gòu)的PM0S晶體管構(gòu)成，該P(yáng)M0S晶體管連接在有源開(kāi)關(guān)管 的源漏端，避免有源開(kāi)關(guān)管工作在零狀態(tài)，當(dāng)有源開(kāi)關(guān)管正常工作后，該P(yáng)M0S二極管關(guān)斷 以節(jié)省功耗。
【文檔編號(hào)】H02M7/219GK104143929SQ201410360864
【公開(kāi)日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】李婭妮, 丁瑞雪, 劉簾曦, 楊銀堂, 朱樟明 申請(qǐng)人:西安電子科技大學(xué)