80v尖峰浪涌抑制模塊的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種80V尖峰浪涌抑制模塊，包括尖峰浪涌抑制器、MOS管，功率電阻和外圍阻容器件，所述尖峰浪涌抑制器通過所述MOS管與所述功率電阻和外圍阻容器件連接，所述尖峰浪涌抑制器由尖峰過壓抑制電路、過壓浪涌抑制電路和正常輸出電路組成，其特點是體積更小，可有效的避免MOS管因過流導(dǎo)致?lián)p壞。
【專利說明】80V尖峰浪涌抑制模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種尖峰浪涌抑制器。

【背景技術(shù)】
[0002]目前在國內(nèi)范圍，80V尖峰浪涌抑制器由80V降到40V，主要是靠內(nèi)部MOS管瞬時承受，一方面MOS管體積偏大，導(dǎo)致外形體積偏大；另一方面瞬時過電流很容易損傷MOS管，瞬時承受過載內(nèi)力很差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于提供一種體積更小，且盡最大可能地去避免MOS管因過流而導(dǎo)致?lián)p壞。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣的:本實用新型80V尖峰浪涌抑制模塊，包括尖峰浪涌抑制器、MOS管，功率電阻和外圍阻容器件，所述尖峰浪涌抑制器通過所述MOS管與所述功率電阻和外圍阻容器件連接，所述尖峰浪涌抑制器由尖峰過壓抑制電路、過壓浪涌抑制電路和正常輸出電路組成。
[0005]本實用新型所涉及的方案主要是靠內(nèi)部MOS管和功率電阻來瞬時承受，功率電阻提供MOS關(guān)斷限流，大大降低了 MOS管過流損壞；同時功率電阻還起到分擔(dān)功率的作用，大大降低MOS管所需承受的總功率，減小了 MOS管的體積，從而80V尖峰浪涌抑制器的體積得以減小。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1:本實用新型工作原理圖。
[0007]圖2:本實用新型尖峰浪涌抑制器的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實施方式】
[0008]以下結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】對本實用新型做進一步說明。
[0009]如圖1所不，本實用新型80V尖峰浪涌抑制t旲塊，包括尖峰浪涌抑制器、MOS管，功率電阻和外圍阻容器件，所述尖峰浪涌抑制器通過所述MOS管與所述功率電阻和外圍阻容器件連接。
[0010]如圖2所示，本實用新型所涉及的尖峰浪涌抑制器由尖峰過壓抑制電路(I)、過壓浪涌抑制電路(2 )和正常輸出電路(3 )組成。
[0011]結(jié)合圖2，描述本實用新型的幾種工作狀態(tài):
[0012]1、正常工作時，輸入電壓+28.5VDC，尖峰過壓抑制電路(I)、過壓浪涌抑制電路
(2)不工作，通過正常輸出電路(3)輸出；
[0013]2、過壓浪涌時，在正常工作狀態(tài)下，引入+80V(+50V)的過電壓，持續(xù)時間為50mS，尖峰過壓抑制電路(I)不工作，過壓浪涌保護電路(2)工作，將80V降到40V左右后通過正常輸出電路(3)輸出；
[0014]3、尖峰電壓時，在正常工作狀態(tài)下，引入+600V (+200V)的過電壓，持續(xù)時間為20 μ S，尖峰過壓抑制電路(I)工作，將其抑制在+90VDC左右，再通過過壓浪涌保護電路(2)將+90V抑制到+40V左右后通過正常輸出電路(3)輸出。
【權(quán)利要求】
1.一種80V尖峰浪涌抑制模塊，包括尖峰浪涌抑制器和MOS管，其特征在是:還包括功率電阻和外圍阻容器件，所述尖峰浪涌抑制器通過所述MOS管與所述功率電阻和外圍阻容器件連接，所述尖峰浪涌抑制器由尖峰過壓抑制電路、過壓浪涌抑制電路和正常輸出電路組成。
【文檔編號】H02H9/04GK204046154SQ201420193671
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年4月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月21日
【發(fā)明者】陳玉鵬 申請人:西安霍威電源有限公司