一種gis環(huán)氧套管生產(chǎn)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法，該方法包括以下步驟：采用納米氧化鋁與硅烷進行偶聯(lián)，得到偶聯(lián)納米氧化鋁；對端部電極的表面進行噴砂；將偶聯(lián)納米氧化鋁和環(huán)氧樹脂與經(jīng)過表面噴砂后的所述端部電極熱成型為環(huán)氧套管。利用上述生產(chǎn)方法，可以使環(huán)氧套管與端部電極結(jié)合緊密，從而避免GIS中絕緣氣體的泄漏。
【專利說明】一種GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及機械制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著我國經(jīng)濟建設(shè)的快速發(fā)展，電力行業(yè)無疑是需要重點發(fā)展的領(lǐng)域之一。
[0003]我們知道，日常生活中的電能是通過變電站輸送到千家萬戶中去的。而變電站的作用是將發(fā)電廠輸送過來的電能進行調(diào)壓，然后分配；就在調(diào)壓和分配的過程中，會用到諸多電氣設(shè)備；例如隔離開關(guān)、互感器以及斷路器等高壓設(shè)備。這些高壓設(shè)備需要具有良好的絕緣性能以保證安全。
[0004]一般來說，我們將全部或者部分采用氣體作為絕緣介質(zhì)的金屬封閉開關(guān)設(shè)備稱之為氣體絕緣組合電器設(shè)備，也就是GIS ;GIS通常由斷路器、隔離開關(guān)、接地開關(guān)、互感器和電纜終端等組成，這些設(shè)備或部件全部封閉在金屬接地的外殼中，在其內(nèi)部充有絕緣性能較強的SF6(六氟化硫)氣體作為絕緣介質(zhì)；在正常運行時，SF6需要保持一定的壓力，倘若SF6壓力不足，就會導(dǎo)致絕緣性能降低，甚至?xí)l(fā)生電擊穿。
[0005]GIS端部的環(huán)氧套管是GIS電纜終端的絕緣主體。在GIS電纜終端中，環(huán)氧套管是與GIS連接的主要部件，因此環(huán)氧套管的氣密性的好壞直接決定著GIS能否安全正常的運行。
[0006]對于現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)氧套管，包括端部電極和絕緣主體，其中的端部電極為金屬制成，環(huán)氧套管的絕緣主體為環(huán)氧樹脂，環(huán)氧樹脂包裹在端部金屬電極的外側(cè)；在溫度適宜的環(huán)境下，這種環(huán)氧套管很容易實現(xiàn)氣密封。但是對于地處嚴寒地帶的變電站來說，由于室外溫度較低，金屬與環(huán)氧樹脂在低溫下的膨脹率不同，容易導(dǎo)致在兩者的結(jié)合面處產(chǎn)生縫隙，導(dǎo)致SF6泄露，對GIS造成安全隱患。
[0007]因此，如何確保GIS環(huán)氧套管的使用安全是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)冋題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是提供一種GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法，該方法可以解決絕緣氣體泄漏的問題。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法，該方法包括以下步驟:
[0010]Al)采用納米氧化鋁與硅烷進行偶聯(lián)，得到偶聯(lián)納米氧化鋁；
[0011]A2)對端部電極的表面進行噴砂；
[0012]A3)將環(huán)氧樹脂和所述偶聯(lián)納米氧化鋁與經(jīng)過表面噴砂后的所述端部電極進行熱成型處理，得到環(huán)氧套管。
[0013]優(yōu)選地，所述納米氧化鋁的質(zhì)量百分比的范圍為3%?5%。
[0014]優(yōu)選地，所述噴砂的顆粒直徑在0.03mm?0.08mm之間。
[0015]相對于上述【背景技術(shù)】，本發(fā)明所提供的加工GIS環(huán)氧套管的方法，是將納米氧化鋁與硅烷進行偶聯(lián)，得到偶聯(lián)納米氧化鋁。由于結(jié)合偶聯(lián)納米氧化鋁的環(huán)氧樹脂具有較強的粘附力，利用這種環(huán)氧樹脂生產(chǎn)出的套管，當它與端部電極粘接時，得到的GIS環(huán)氧套管是一個整體，使其在低溫環(huán)境下，套管的膨脹率與端部電極的膨脹率相同或相近。此外，在端部電極的表面進行噴砂處理，可以增大電極的表面積；同時，當套管壓合在端部電極的外表面時，能夠增大套管與電極外表面的摩擦力，使得套管與端部電極緊密的貼合在一起，減小了套管與端部電極之間產(chǎn)生縫隙的可能性；因此，采用本發(fā)明所提供的加工GIS環(huán)氧套管的方法能夠解決在低溫環(huán)境下，絕緣氣體泄漏的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明中GIS環(huán)氧套管剖面的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0017]本發(fā)明的核心是提供一種加工GIS環(huán)氧套管的方法，該方法可以有效解決在低溫環(huán)境下絕緣氣體泄漏的問題。
[0018]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步的詳細說明。
[0019]請參考圖1，圖1為本發(fā)明中GIS環(huán)氧套管剖面的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]本發(fā)明所提供的GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法包括以下步驟:
[0021]Al)采用純度在3%?5%的納米氧化鋁與硅烷進行偶聯(lián)，得到偶聯(lián)納米氧化鋁。
[0022]在這里，我們利用納米氧化鋁代替原來的普通氧化鋁，能夠使生成的環(huán)氧樹脂具有較好的分子結(jié)構(gòu)。
[0023]同時，根據(jù)實際經(jīng)驗，我們將納米氧化鋁的質(zhì)量百分比控制在3%?5%之間，其余組成部分為填料。這樣做可以使納米氧化鋁與環(huán)氧樹脂結(jié)合的更加充分，偶聯(lián)后得到的環(huán)氧樹脂質(zhì)量$父尚。
[0024]當然，我們還可以根據(jù)實際情況，減小填料的比例，這樣做是為了增加納米氧化鋁純度；此外，我們還可以將填料的粒徑變小，這是為了使填料與納米氧化鋁之間的接觸面積加大，從而增大兩者之間的摩擦力。通過上述的方式，能夠使納米氧化鋁與硅烷的偶聯(lián)更加充分，得到質(zhì)量更高的環(huán)氧樹脂。
[0025]A2)將環(huán)氧樹脂熱成型為環(huán)氧套管20。
[0026]此步驟是將環(huán)氧樹脂熱成型為環(huán)氧套管20 ;根據(jù)所需尺寸，將第一步中偶聯(lián)得到的環(huán)氧樹脂加工成為環(huán)氧套管20。
[0027]A3)端部電極的表面進行噴砂。
[0028]這一步驟是將端部電極進行表面噴砂處理，得到上部電極10。
[0029]此外，為了使上部電極10能夠與環(huán)氧套管20緊密的結(jié)合在一起，我們可以選擇顆粒直徑在0.03mm?0.08mm之間的噴砂顆粒。
[0030]當然，根據(jù)不同實際情況，我們可以選擇不同顆粒直徑的噴砂。在此不再贅述。
[0031]在這里，對端部電極的表面進行噴砂的步驟可以位于GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法的第一步。也就是說，我們可以先進行端部電極的表面進行噴砂處理，得到上部電極10，然后再進行納米氧化鋁與硅烷的偶聯(lián)工藝，而后形成環(huán)氧套管20。可以看出，端部電極的表面處理與環(huán)氧套管20的生產(chǎn)，并無先后順序。兩者可以同時進行，也可以一先一后進行，并且兩者之間并不存在先后順序。
[0032]A4)將環(huán)氧套管20與經(jīng)過表面噴砂后的端部電極粘接。
[0033]也就是說，將環(huán)氧套管20與上部電極10進行粘接，得到完整的GIS環(huán)氧套管。
[0034]以上對本發(fā)明所提供的GIS環(huán)氧套管生產(chǎn)方法進行了詳細介紹。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種以3環(huán)氧套管生產(chǎn)方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: A1)采用納米氧化鋁與硅烷進行偶聯(lián)，得到偶聯(lián)納米氧化鋁； A2)對端部電極的表面進行噴砂； A3)將環(huán)氧樹脂和所述偶聯(lián)納米氧化鋁與經(jīng)過表面噴砂后的所述端部電極進行熱成型處理，得到環(huán)氧套管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以3環(huán)氧套管生產(chǎn)方法，其特征在于，所述納米氧化鋁的質(zhì)量百分比的范圍為3%?5%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以3環(huán)氧套管生產(chǎn)方法，其特征在于，所述噴砂的顆粒直徑在0.03臟?0.08臟之間。
【文檔編號】H02B3/00GK104505757SQ201510012717
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2015年1月9日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月9日
【發(fā)明者】李小軍, 徐義全, 楊柏志 申請人:中科英華高技術(shù)股份有限公司