本發(fā)明涉及電路結(jié)構(gòu)，具體涉及風(fēng)扇搖頭電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的風(fēng)扇搖頭電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路中，驅(qū)動(dòng)電路都采用分立元件進(jìn)行組合?？刂菩酒敵龅尿?qū)動(dòng)信號(hào)，通過限流電阻，而后經(jīng)過三極管驅(qū)動(dòng)搖頭電機(jī)。同時(shí)，為消除電機(jī)負(fù)載產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)對(duì)三極管以及控制芯片帶來的影響，需要設(shè)置二極管，用于電流續(xù)流。如圖1所示，現(xiàn)有的這種驅(qū)動(dòng)電路，分立元件數(shù)量多，成本較高，失效率較高，且電路集成度低，占用較大的線路板空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種用于風(fēng)扇搖頭電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明解決了現(xiàn)有的同類驅(qū)動(dòng)電路，分立元件數(shù)量多，成本較高，失效率較高，且電路集成度低，占用較大的線路板空間的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種用于風(fēng)扇搖頭電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，包括穩(wěn)壓電源、控制芯片（MCU）、驅(qū)動(dòng)芯片和負(fù)載電機(jī)；所述驅(qū)動(dòng)芯片包含兩個(gè)輸入端(INA、INB)，兩個(gè)輸出端(OA、OB)，一個(gè)低壓邏輯控制電源端(VCC)，一個(gè)功率驅(qū)動(dòng)電源端(VDD)，兩個(gè)地端；所述驅(qū)動(dòng)芯片的輸入端（INA、INB）與控制芯片(MCU)相連；所述驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端(OA和OB)與負(fù)載電機(jī)相連；所述驅(qū)動(dòng)芯片的邏輯電源、控制芯片的電源與穩(wěn)壓電源輸出相連。所述驅(qū)動(dòng)芯片的功率電源端直接連接到電源輸入端口。

所述驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部采用PMOS作為輸出功率級(jí)的高邊開關(guān)，采用NMOS作為輸出功率級(jí)低邊開關(guān)。

所述驅(qū)動(dòng)芯片采用SOP8或者DIP8塑料或陶瓷封裝。

本發(fā)明的風(fēng)扇搖頭電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部具備溫度保護(hù)功能；驅(qū)動(dòng)電路連接到控制芯片，驅(qū)動(dòng)電路的輸出連接到負(fù)載電機(jī)，驅(qū)動(dòng)電路集成為驅(qū)動(dòng)芯片。驅(qū)動(dòng)芯片除了具備高度集成之外，驅(qū)動(dòng)芯片增加了溫度保護(hù)功能，防止芯片過熱燒毀。

附圖說明

圖1是本發(fā)明背景技術(shù)風(fēng)扇搖頭電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理圖,圖1中100表示穩(wěn)壓電源，200表示風(fēng)扇搖頭電機(jī)，300表示控制器芯片;

圖2是本發(fā)明的電路圖，圖2中100表示穩(wěn)壓電源、200表示控制器芯片，300表示驅(qū)動(dòng)芯片，400表示負(fù)載電機(jī)；

圖3 圖2中驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部原理圖；圖2中500表示溫度保護(hù)電路；

圖4是圖3中溫度保護(hù)電路的原理圖。

具體實(shí)施方式

下面用最佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的說明。

如圖2所示，一種用于風(fēng)扇搖頭電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，包括穩(wěn)壓電源、控制芯片（MCU）、驅(qū)動(dòng)芯片和負(fù)載電機(jī)；所述驅(qū)動(dòng)芯片包含兩個(gè)輸入端(INA、INB)，兩個(gè)輸出端(OA、OB)，一個(gè)低壓邏輯控制電源端(VCC)，一個(gè)功率驅(qū)動(dòng)電源端(VDD)，兩個(gè)地端；所述驅(qū)動(dòng)芯片的輸入端（INA、INB）與控制芯片(MCU)相連；所述驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端(OA和OB)與負(fù)載電機(jī)相連；所述驅(qū)動(dòng)芯片的邏輯電源、控制芯片的電源與穩(wěn)壓電源輸出相連。所述驅(qū)動(dòng)芯片的功率電源端直接連接到電源輸入端口。所述驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部采用PMOS作為輸出功率級(jí)的高邊開關(guān)，采用NMOS作為輸出功率級(jí)低邊開關(guān)。所述驅(qū)動(dòng)芯片采用SOP8或者DIP8塑料或陶瓷封裝。

如圖3所示，所述驅(qū)動(dòng)芯片的一種具體實(shí)現(xiàn)電路，圖中的一系列邏輯門實(shí)現(xiàn)了輸入信號(hào)對(duì)輸出信號(hào)的控制，當(dāng)芯片溫度處于正常范圍時(shí)，輸入輸出信號(hào)控制關(guān)系為：1、當(dāng)輸入信號(hào)INA為高，INB為低時(shí)，OA輸出高電平、OB輸出低電平，電流由PMOS功率管P1經(jīng)端口OA流入電機(jī)，通過電機(jī)流入端口B，從NMOS功率開關(guān)N2 流入功率地，該電流驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。2、當(dāng)輸入信號(hào)INA為低，INB為高時(shí)，OA輸出低電平，OB輸出高電平，電流由PMOS功率管P2經(jīng)端口OB流入電機(jī)，通過電機(jī)流入端口A，從NMOS功率管N1流入功率地，該電流方向與INA 為高、INB為低時(shí)流過電機(jī)的電流方向相反，因此電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)方向也相反。3、INA、INB輸入信號(hào)同時(shí)為高時(shí)，PMOS功率開關(guān)管P1、P2截止，NMOS功率開關(guān)管N1、N2導(dǎo)通，OA和OB輸出為低，無電流流過電機(jī)，電機(jī)不轉(zhuǎn)動(dòng)。4、INA、INB輸入信號(hào)同時(shí)為低電平時(shí)，功率開關(guān)管P1、P2、N1、N2都處于截止?fàn)顟B(tài)，OA和OB輸出三態(tài)，同樣無電流流過電機(jī)，電機(jī)不轉(zhuǎn)動(dòng)。

所述驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部溫度保護(hù)的一種具體實(shí)現(xiàn)電路如圖4所示，溫度保護(hù)電路500受輸入信號(hào)控制，當(dāng)兩個(gè)輸入信號(hào)同時(shí)為低電平時(shí)，溫度保護(hù)電路不起作用，電路進(jìn)入待機(jī)低功耗模式。當(dāng)有任意一個(gè)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，溫度保護(hù)電路正常工作。當(dāng)芯片溫度處于正常水平時(shí)，溫度保護(hù)電路輸出低電平，不影響正常的輸入輸出邏輯控制。一旦溫度異常，溫度保護(hù)電路輸出狀態(tài)變化為高電平，此電平將會(huì)立即關(guān)斷所有功率開關(guān)管，切斷電機(jī)的電流通路，防止繼續(xù)過熱。切斷電流通路后，芯片溫度下降，下降到安全值后，溫度保護(hù)電路判斷電路溫度恢復(fù)正常，輸出信號(hào)重新變?yōu)榈碗娖?，此時(shí)可正常控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。如果電機(jī)仍然處于異常狀態(tài)，芯片溫度繼續(xù)升高，超過溫度保護(hù)點(diǎn)，溫度保護(hù)電路又會(huì)再次起作用，維持芯片的溫度始終在一個(gè)合理的水平，直到負(fù)載恢復(fù)正常。

如圖4所示，P1、P2、P3、P4為pmos管，N1、N2、N3為nmos管。啟動(dòng)電路連接到N1的柵；P1的柵和漏、P2的柵、P3的柵、P4的柵和N1的漏連接在一起；N1的柵、N2的柵、P2的漏和NPN2的集電極連接在一起；N1的源連接到NPN1的集電極；NPN1的發(fā)射極連接R1到地；NPN1的基極、NPN2的基極和N2的源連接在一起，再連接R2到地；P3的漏串聯(lián)3個(gè)電阻R5、R4、R3到地；P4的漏連接到NPN3的集電極。

電路上電時(shí)啟動(dòng)電路產(chǎn)生電流脈沖注入到PTAT電流產(chǎn)生電路中，正常工作后，P3和P4均會(huì)輸出與絕對(duì)溫度成正比的PTAT電流。由于NPN3的EB結(jié)電壓是負(fù)溫度特性，隨著溫度的升高EB結(jié)電壓逐漸降低，當(dāng)溫度升高到設(shè)計(jì)值之后，NPN3的EB結(jié)電壓低于PTAT電流在R4上產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓，NPN進(jìn)入飽和工作模式，其集電極電壓由高電平轉(zhuǎn)為低電平。該電平經(jīng)過施密特觸發(fā)器整形，產(chǎn)生最終的輸出信號(hào)。

當(dāng)發(fā)生過溫保護(hù)事件后，N3關(guān)斷，NPN3基極電壓提升，溫度必須下降到一定的程度，NPN3才會(huì)重新進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。

最后應(yīng)說明的是：顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。