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電源電路、相關(guān)發(fā)送電路、集成電路和發(fā)送信號(hào)的方法與流程

文檔序號(hào):11958635閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種電源電路,包括:

切換級(jí),包括:

a)具有至少一個(gè)初級(jí)繞組和一個(gè)次級(jí)繞組的變壓器;

b)設(shè)置在所述變壓器的所述初級(jí)側(cè)上的至少一個(gè)電子開關(guān),用于通過(guò)所述初級(jí)繞組向所述次級(jí)繞組選擇性地傳送能量;以及

c)設(shè)置在所述變壓器的所述次級(jí)側(cè)上的蓄能器,其中所述蓄能器由向所述次級(jí)繞組傳送的所述能量充電;

監(jiān)視電路,被配置用于監(jiān)視在所述變壓器的所述次級(jí)側(cè)上的至少一個(gè)信號(hào)并且根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)生成反饋信號(hào);以及

發(fā)送電路,設(shè)置在所述變壓器的所述次級(jí)側(cè)上并且被配置用于從所述蓄能器向所述次級(jí)繞組選擇性地傳送能量以便發(fā)送所述反饋信號(hào),其中所述發(fā)送電路包括:

a)第一電子開關(guān),具有驅(qū)動(dòng)所述第一開關(guān)的切換的控制端子;以及

b)用于所述第一電子開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器電路,其中所述驅(qū)動(dòng)器電路包括:

-電荷累積電容器,連接到所述第一開關(guān)的所述控制端子;以及

-充電電路,被配置用于從所述次級(jí)繞組汲取能量并且通過(guò)所述汲取的能量對(duì)所述電荷累積電容器充電。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源電路,其中所述蓄能器包括被配置用于供應(yīng)負(fù)載的電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源電路,其中所述發(fā)送電路包括設(shè)置在所述次級(jí)繞組與所述蓄能器之間的第二開關(guān),用于從所述蓄能器向所述次級(jí)繞組選擇性地傳送能量以便發(fā)送所述反饋信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電源電路,其中所述第一開關(guān)和所述 第二開關(guān)分別是第一n-MOSFET和第二n-MOSFET,其中所述第一晶體管的漏極連接到所述第二晶體管的柵極,并且所述第一晶體管的源極連接到所述第二晶體管的源極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源電路,其中所述充電電路包括連接到所述次級(jí)繞組的端子的去耦合電容器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電源電路,其中所述充電電路包括布置在所述去耦合電容器與所述電荷累積電容器之間的多個(gè)二極管,用于將在所述次級(jí)繞組的所述端子上的電壓的上升和下降轉(zhuǎn)變傳送到所述電荷累積電容器上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源電路,其中所述驅(qū)動(dòng)器電路包括用于根據(jù)所述反饋信號(hào)選擇性地對(duì)所述電荷累積電容器的充電進(jìn)行激活和去激活的裝置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源電路,其中所述驅(qū)動(dòng)器電路包括用于限制跨所述電荷累積電容器的所述電壓的裝置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源電路,其中所述切換級(jí)是反激轉(zhuǎn)換器,所述反激轉(zhuǎn)換器包括設(shè)置在所述次級(jí)繞組與所述蓄能器之間的輸出二極管,用于通過(guò)向所述次級(jí)繞組傳送的所述能量對(duì)所述蓄能器充電。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源電路,其中所述輸出二極管的陽(yáng)極連接到所述蓄能器的第一端子,并且所述輸出二極管的陰極連接到所述次級(jí)繞組的端子,并且其中所述充電電路被配置用于從所述輸出二極管的所述陰極連接到的所述端子汲取能量。

11.一種發(fā)送電路,所述發(fā)送電路被設(shè)計(jì)為在包括變壓器的電子轉(zhuǎn)換器中發(fā)送反饋信號(hào),所述變壓器有至少一個(gè)初級(jí)繞組和一個(gè)次級(jí)繞組,所述發(fā)送電路包括:

第一n-MOSFET,被配置為向所述次級(jí)繞組選擇性地傳送能量以便發(fā)送所述反饋信號(hào);

第二n-MOSFET,具有連接到所述第一n-MOSFET的柵極的漏極和連接到所述第一n-MOSFET的源極的源極;以及

驅(qū)動(dòng)器電路,被配置為驅(qū)動(dòng)所述第二n-MOSFET,其中所述驅(qū)動(dòng)器電路包括:

電荷累積電容器,連接到所述第二n-MOSFET的柵極;以及

充電電路,被配置為從所述第一n-MOSFET的所述漏極汲取能量并且利用所述汲取的能量對(duì)所述電荷累積電容器充電。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)送電路,實(shí)施為集成電路。

13.一種用于在電源電路中發(fā)送信號(hào)的方法,包括:

監(jiān)視在變壓器的次級(jí)側(cè)上的至少一個(gè)信號(hào);

根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)生成反饋信號(hào);以及

選擇性地對(duì)電荷累積電容器的充電進(jìn)行激活和去激活以便發(fā)送所述反饋信號(hào)。

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