本實用新型涉及一種保護電路，尤其涉及一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路。

背景技術(shù)：

對電視機、手機、機頂盒中的視頻端子等高速信號端子的接口保護常見的保護電路是采用二極管嵌位電路，并用電容濾波電路防外界靜電等干擾信號。其存在的缺點為：不能將接口輸入信號和后級芯片電路之間的連接切斷，造成關(guān)機或切斷電源時外界干擾也會對后級芯片造成損壞；用兩個二極管將信號輸入線和電源及地連接，對交流通路兩個二極管的結(jié)電容并聯(lián)增大，限制了信號的帶寬；尤其重要的是，對視頻等高速信號，由于采用的濾波電路的帶寬較寬，當(dāng)二極管損壞時，整個保護電路的功能將大大降低，使后級芯片很容易被干擾信號損壞，從而使產(chǎn)品的使用壽命縮短。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路。

本實用新型通過下述方案實現(xiàn)：

一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路，包括輸入端子和后級芯片，在所述端子和后級芯片之間串接有MOS管、三極管和電容，所述三極管的兩端接地并且與8V電源電連接；

在所述輸入端子和后級芯片之間依次串接有三極管T1、MOS管M1、電容C1和二極管D3，所述三極管T1與8V電源連接，所述三極管T1還與接地端對應(yīng)連接，在所述電容C1和二極管D3之間還并聯(lián)連接有二極管D1、二極管D2和電阻R5，所述二極管D1、二極管D2為串接關(guān)系；

所述三極管T1與電源之間串接有電阻R2，所述三極管T1直接與接地端對應(yīng)連接或者通過電阻R2與接地端對應(yīng)連接，所述三極管T1通過電阻R1與輸入端子對應(yīng)連接，在所述電容C1和二極管D3之間連接有電阻R4和電源。

在所述輸入端子和后級芯片之間依次串接有電容C2、三極管T2和MOS管M2，所述三極管T2的另外兩端分別與8V電源和接地端對應(yīng)電連接。

所述三極管T2與8V電源之間串接有電阻R22，在所述三極管T2與電容C2之間串接有電阻R23，在所述8V電源與電容C2之間串接有電阻R21，在所述8V電源與電容C2之間還設(shè)有與電阻R21并聯(lián)的二極管D3、二極管D4，所述二極管D3與二極管D4為串接關(guān)系。

在所述輸入端子和后級芯片之間依次串接有電容C3、三極管T3、MOS管M3、電容C4、三極管T4和MOS管M4。

在所述三極管T3與8V電源之間串接有電阻R32，在所述8V電源與電容C3之間串接有電阻R31，在所述電容C3與三極管T3之間串接有電阻R33，在所述三極管T4與8V電源之間串接有電阻R34，在所述三極管T4與電容C4之間串接有電阻R35，在所述三極管T4與接地端之間串接有電阻R36。

所述輸入端子為視頻端子或其他高速端子。

所述后級芯片連接到DSP或其他處理芯片。

本實用新型的有益效果為：本實用新型的一種可自適應(yīng)通斷的高速接口 保護電路設(shè)置在輸入端子的信號線到后級芯片之間，該保護電路可以自適應(yīng)控制，在電源掉電或輸入存在負高壓干擾或輸入存在正正壓干擾或輸入存在正負高壓干擾和正常信號輸入時自適應(yīng)的接通或斷開開關(guān)，使干擾信號不能通過開關(guān)到達后級芯片，達到保護后級芯片的目的。

附圖說明

圖1為本實用新型的電路連接圖；

圖2為本實用新型又一實施例的電路連接圖；

圖3為本實用新型又一實施例的電路連接圖。

具體實施方式

下面結(jié)合圖1-3和具體實施例對本實用新型進一步說明：

實施例1

如圖1所示，一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路，包括輸入端子和后級芯片，在所述端子和后級芯片之間串接有MOS管M1、三極管T1和電容C1，所述三極管T1的兩端分別接地與8V電源電連接。

在所述輸入端子和后級芯片之間依次串接有三極管T1、MOS管M1、電容C1和二極管D3，所述三極管T1與8V電源連接，所述三極管T1還與接地端對應(yīng)連接，在所述電容C1和二極管D3之間還并聯(lián)連接有二極管D1、二極管D2和電阻R5，所述二極管D1、二極管D2為串接關(guān)系。

所述三極管T1與電源之間串接有電阻R2，所述三極管T1直接與接地端對應(yīng)連接或者通過電阻R2與接地端對應(yīng)連接，所述三極管T1通過電阻R1與輸入端子對應(yīng)連接，在所述電容C1和二極管D3之間連接有電阻R4和電源。

所述輸入端子為視頻端子或其他高速端子。

所述后級芯片連接到DSP或其他處理芯片。

當(dāng)電路電源切斷時，8V電源的電壓為0v，MOS管M1將關(guān)斷，將輸入端子和后級芯片之間隔開，保護后級芯片；

當(dāng)電路電源正常時，如果輸入端子線路上存在高壓，則三極管T1導(dǎo)通，使MOS管M1關(guān)斷，將輸入端子和后級芯片之間隔開，保護后級芯片；

二極管D1、二極管D2為串接關(guān)系，則其與電容C1串聯(lián)，則其結(jié)電容串聯(lián)，總的對地結(jié)電容減小。

當(dāng)輸入端子上有負電壓干擾時，首先二極管D1、二極管D2對其嵌位，而二極管D3反向截止，使干擾不能進入后級芯片，保護后級芯片；

如果MOS管M1或二極管D3損壞，則輸入端子和后級芯片之間斷開，使后級芯片得到保護。

實施例2

如圖2所示，一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路，包括輸入端子和后級芯片，在所述端子和后級芯片之間串接有MOS管、三極管和電容，所述三極管的兩端接地并且與8V電源電連接。

在所述輸入端子和后級芯片之間依次串接有電容C2、三極管T2和MOS管M2，所述三極管T2的另外兩端分別與8V電源和接地端對應(yīng)電連接。

所述三極管T2與8V電源之間串接有電阻R22，在所述三極管T2與電容C2之間串接有電阻R23，在所述8V電源與電容C2之間串接有電阻R21，在所述8V電源與電容C2之間還設(shè)有與電阻R21并聯(lián)的二極管D3、二極管D4，所述二極管D3與二極管D4為串接關(guān)系。

所述輸入端子為視頻端子或其他高速端子。

所述后級芯片連接到DSP或其他處理芯片。

當(dāng)電路電源切斷時，8V電源的電壓為0v，M2關(guān)斷，將端子輸入電路和 后級芯片隔開，保護后級電路；

當(dāng)電路電源正常時，如果輸入端子線路上存在負高壓，則M2關(guān)斷，將端子輸入電路和后級芯片隔開，保護后級電路；D3、D4串接，則其結(jié)電容串聯(lián)，總電容減小，擴展了可傳輸?shù)男盘枎?；?dāng)輸入端子上有正電壓干擾時，首先D3、D4對其嵌位，使干擾不能進入后級芯片；如果M2損壞則端子輸入信號和后級芯片斷開，使后級芯片得到保護。

實施例3

如圖3所示，一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路，包括輸入端子和后級芯片，在所述端子和后級芯片之間串接有MOS管、三極管和電容，所述三極管的兩端接地并且與8V電源電連接。

在所述輸入端子和后級芯片之間依次串接有電容C3、三極管T3、MOS管M3、電容C4、三極管T4和MOS管M4，

在所述三極管T3與8V電源之間串接有電阻R32，在所述8V電源與電容C3之間串接有電阻R31，在所述電容C3與三極管T3之間串接有電阻R33，在所述三極管T4與8V電源之間串接有電阻R34，在所述三極管T4與電容C4之間串接有電阻R35，在所述三極管T4與接地端之間串接有電阻R36。

所述輸入端子為視頻端子或其他高速端子。

所述后級芯片連接到DSP或其他處理芯片。

當(dāng)電路電源切斷時，8V電源為0v，M3和M4都關(guān)斷，將端子輸入電路和后級芯片隔開，保護后級電路；

當(dāng)電路電源正常時，如果輸入端子線路上存在負高壓，則M3關(guān)斷，而如果輸入端子線路上存在正高壓，則M4關(guān)斷，將端子輸入電路和后級芯片隔開，保護后級電路；如果M3或M4損壞則端子輸入信號和后級芯片斷開，使后級 芯片得到保護。

本實用新型的MOS管是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。其中M1和M4為N溝道增強型MOS管；M2和M3為P溝道增強型MOS管。

本實用新型的一種可自適應(yīng)通斷的高速接口保護電路設(shè)置在輸入端子的信號線到后級芯片之間，該保護電路可以自適應(yīng)控制，在電源掉電或輸入存在負高壓干擾或輸入存在正正壓干擾或輸入存在正負高壓干擾和正常信號輸入時自適應(yīng)的接通或斷開開關(guān)，使干擾信號不能通過開關(guān)到達后級芯片，達到保護后級芯片的目的。

盡管已經(jīng)對本實用新型的技術(shù)方案做了較為詳細的闡述和列舉，應(yīng)當(dāng)理解，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，對上述實施例做出修改或者采用等同的替代方案，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是顯而易見，在不偏離本實用新型精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進，均屬于本實用新型要求保護的范圍。