1.一種復(fù)合材料線缺陷聲子晶體寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)，其特征在于，所述寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)包括復(fù)合材料線缺陷聲子晶體，所述復(fù)合材料線缺陷聲子晶體由散射體嵌入基體中并在基體中周期陣列排布得到，其中一行散射體為缺陷散射體外包覆聚合物層形成的復(fù)合材料線缺陷結(jié)構(gòu)，其余散射體為鉛柱散射體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料線缺陷聲子晶體寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)，其特征在于，所述二維二組元聲子晶體的晶格形式為正方形，鉛柱散射體及缺陷散射體橫截面形狀為圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料線缺陷聲子晶體寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)，其特征在于，所述二維二組元聲子晶體的晶格常數(shù)a＝10～50mm，鉛柱半徑r0＝0.35a，缺陷散射體半徑為r＝0.05a～0.35a，聚合物層半徑R＝0.35a～0.45a。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料線缺陷聲子晶體寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)，其特征在于，所述基體為硅橡膠材料；所述缺陷散射體為鋁柱；所述聚合物層為硅橡膠材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料線缺陷聲子晶體寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)，其特征在于，所述寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)還包括壓電片，所述壓電片鑲嵌于聚合物層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料線缺陷聲子晶體寬頻分布式振動(dòng)能量回收系統(tǒng)，其特征在于，振動(dòng)能量回收裝置的回收頻率范圍為0～1000Hz。