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一種移動(dòng)電源用反饋電壓調(diào)整型過充保護(hù)充電系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):11958103閱讀:217來源:國知局
一種移動(dòng)電源用反饋電壓調(diào)整型過充保護(hù)充電系統(tǒng)的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種電源充電系統(tǒng),具體是指一種移動(dòng)電源用反饋電壓調(diào)整型過充保護(hù)充電系統(tǒng)。



背景技術(shù):

隨著人們生活水平不斷提高,移動(dòng)電子設(shè)備已經(jīng)廣泛的出現(xiàn)在人們的生活當(dāng)中。移動(dòng)電子設(shè)備使用一段時(shí)間后需要對(duì)其移動(dòng)電源進(jìn)行充電,充電的過程由電源充電系統(tǒng)來完成。目前的充電系統(tǒng)都具有過充保護(hù)功能,以防止移動(dòng)電源過充。然而,現(xiàn)有的充電系統(tǒng)無法準(zhǔn)確的對(duì)移動(dòng)電源的電量進(jìn)行檢測(cè),在移動(dòng)電源充電完成后不能及時(shí)的斷開開關(guān),無法有效的對(duì)移動(dòng)電源進(jìn)行過充保護(hù)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有的充電系統(tǒng)穩(wěn)定性較低,無法有效的對(duì)電源進(jìn)行過充保護(hù)的缺陷,提供一種移動(dòng)電源用反饋電壓調(diào)整型過充保護(hù)充電系統(tǒng)。

本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案現(xiàn)實(shí):一種移動(dòng)電源用反饋電壓調(diào)整型過充保護(hù)充電系統(tǒng),主要由放大器P1,放大器P2,P極與放大器P1的負(fù)極相連接、N極與放大器P2的輸出端相連接的二極管D5,N極經(jīng)電阻R6后與放大器P1的輸出端相連接、P極經(jīng)電阻R7后與放大器P2的輸出端相連接的二極管D6,正極與放大器P2的負(fù)極相連接、負(fù)極則與二極管D6的P極相連接的電容C6,串接在放大器P1的負(fù)極和放大器P2的負(fù)極之間的電阻R5,與放大器P1的負(fù)極相連接的電壓跟隨電路,與電壓跟隨電路相連接的電源電路,分別與二極管D6的N極和P極相連接的基極觸發(fā)電路,設(shè)置在基極觸發(fā)電路中的繼電器K,與放大器P1的正極相連接的反饋鏈路,以及與反饋鏈路相連接的反饋電壓調(diào)整電路組成;所述放大器P2的正極與放大器P1的正極相連接的同時(shí)接地;所述基極觸發(fā)電路與電壓跟隨電路相連接;所述繼電器K的常開觸點(diǎn)K-1則串接在電源電路和反饋電壓調(diào)整電路之間。

進(jìn)一步的,所述反饋電壓調(diào)整電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS1,場(chǎng)效應(yīng)管MOS2,三極管VT4,三極管VT5,三極管VT6,三極管VT7,負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極相連接、正極則經(jīng)繼電器K的常開觸點(diǎn)K-1后與電源電路相連接的電容C9,正極經(jīng)電阻R16后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的柵極相連接、負(fù)極接地的電容C11,N極與電容C11的正極相連接、P極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接的二極管D11,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R14后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接的電容C10,N極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的集電極相連接、P極經(jīng)電阻R13后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的二極管D10,一端與三極管VT4的發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)電阻R17后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接的電阻R18,正極與三極管VT4的基極相連接、負(fù)極與三極管VT5的基極相連接的電容C12,負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接、正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接的電容C13,串接在三極管VT6的基極和三極管VT7的集電極之間的電阻R19,以及P極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、N極則與三極管VT7的發(fā)射極相連接的二極管D12組成;所述三極管VT4的基極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接、其發(fā)射極則與三極管VT6的集電極相連接;所述三極管VT5的發(fā)射極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、其集電極則與三極管VT7的集電極相連接;所述三極管VT7的基極與其發(fā)射極相連接、其發(fā)射極則與反饋鏈路相連接。

所述基極觸發(fā)電路由三極管VT2,三極管VT3,正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R9后與二極管D6的P極相連接的電容C7,串接在三極管VT2的發(fā)射極和三極管VT3的基極之間的電阻R10,正極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R11后與電容C9的正極共同形成輸出端的電容C8,N極與三極管VT2的集電極相連接、P極經(jīng)繼電器K后與三極管VT3的集電極相連接的二極管D7,以及N極與二極管D7的P極相連接、P極與三極管VT3的集電極相連接的二極管D8組成;所述三極管VT2的基極與二極管D6的N極相連接、其集電極則與電壓跟隨電路相連接。

所述反饋鏈路由P極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R8后與放大器P1的正極相連接的同時(shí)接地的二極管D9組成。

所述電壓跟隨電路由三極管VT1,單向晶閘管D3,負(fù)極與單向晶閘管D3的P極相連接、正極經(jīng)電阻R3后與電源電路相連接的電容C4,P極與三極管VT1的集電極相連接、N極經(jīng)電阻R3后與電容C4的正極相連接的二極管D4,與二極管D4相并聯(lián)的電感L,一端與三極管VT1的發(fā)射極相連接、另一端接地的電阻R4,以及正極與單向晶閘管D3的控制端相連接、負(fù)極則與放大器P1的正極相連接的電容C5組成;所述單向晶閘管D3的N極接地;所述二極管D4的N極與三極管VT2的集電極相連接。

所述電源電路由變壓器T,二極管整流器U1,穩(wěn)壓芯片U2,P極與穩(wěn)壓芯片U2的ADJ管腳相連接、N極經(jīng)電阻R2后與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接的二極管D1,正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極則與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接的同時(shí)接地的電容C2,正極與穩(wěn)壓芯片U2的VOUT管腳相連接、負(fù)極與二極管D1的N極相連接的電容C3,N極與電容C3的正極相連接、P極與電容C3的負(fù)極相連接的二極管D2,正極與穩(wěn)壓芯片U2的VIN管腳相連接、負(fù)極與穩(wěn)壓芯片U2的VOUT管腳相連接的電容C1,以及與電容C1相并聯(lián)的電阻R1組成;所述二極管整流器U1的輸入端分別與變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接;所述變壓器T的副邊電感線圈的抽頭則與二極管D4的N極相連接;所述穩(wěn)壓芯片U2的VIN管腳與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、其VOUT管腳則經(jīng)繼電器K的常開觸點(diǎn)K-1后與電容C9的正極相連接。

所述穩(wěn)壓芯片U2為LM317T集成芯片。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:

(1)本發(fā)明可以對(duì)移動(dòng)電源的反饋電壓進(jìn)行處理,使反饋電壓更加穩(wěn)定,從而使本發(fā)明可以準(zhǔn)確的檢測(cè)移動(dòng)電源的電量,因此,當(dāng)移動(dòng)電源充滿電后本發(fā)明可以及時(shí)的斷開開關(guān),停止充電,避免移動(dòng)電源長時(shí)間過充而損壞。

(2)本發(fā)明可以使輸入的電壓保持穩(wěn)定,極大的提高了本發(fā)明的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的反饋電壓調(diào)整電路的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。

實(shí)施例

如圖1所示,本發(fā)明主要由放大器P1,放大器P2,P極與放大器P1的負(fù)極相連接、N極與放大器P2的輸出端相連接的二極管D5,N極經(jīng)電阻R6后與放大器P1的輸出端相連接、P極經(jīng)電阻R7后與放大器P2的輸出端相連接的二極管D6,正極與放大器P2的負(fù)極相連接、負(fù)極則與二極管D6的P極相連接的電容C6,串接在放大器P1的負(fù)極和放大器P2的負(fù)極之間的電阻R5,與放大器P1的負(fù)極相連接的電壓跟隨電路,與電壓跟隨電路相連接的電源電路,分別與二極管D6的N極和P極相連接的基極觸發(fā)電路,設(shè)置在基極觸發(fā)電路中的繼電器K,與放大器P1的正極相連接的反饋鏈路,以及與反饋鏈路相連接的反饋電壓調(diào)整電路組成。所述放大器P2的正極與放大器P1的正極相連接的同時(shí)接地。所述基極觸發(fā)電路與電壓跟隨電路相連接。所述繼電器K的常開觸點(diǎn)K-1則串接在電源電路和反饋電壓調(diào)整電路之間。

其中,所述基極觸發(fā)電路由三極管VT2,三極管VT3,電阻R9,電阻R10,電阻R11,電容C7,電容C8,二極管D7,二極管D8以及繼電器K組成。

連接時(shí),電容C7的正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接,其負(fù)極經(jīng)電阻R9后與二極管D6的P極相連接。電阻R10串接在三極管VT2的發(fā)射極和三極管VT3的基極之間。電容C8的正極與三極管VT3的發(fā)射極相連接,負(fù)極經(jīng)電阻R11后與繼電器K的常開觸發(fā)K-1的輸出端共同形成輸出端,該輸出端接移動(dòng)電源。二極管D7的N極與三極管VT2的集電極相連接,P極經(jīng)繼電器K后與三極管VT3的集電極相連接。二極管D8的N極與二極管D7的P極相連接,P極與三極管VT3的集電極相連接。所述三極管VT2的基極與二極管D6的N極相連接,其集電極則與電壓跟隨電路相連接。

所述反饋鏈路由P極與反饋電壓調(diào)整電路相連接,N極經(jīng)電阻R8后與放大器P1的正極相連接的同時(shí)接地的二極管D9組成。

該電壓跟隨電路由三極管VT1,單向晶閘管D3,電阻R3,電阻R4,電容C4,電容C5,電感L以及二極管D4組成。

連接時(shí),電容C4的負(fù)極與單向晶閘管D3的P極相連接,正極經(jīng)電阻R3后與電源電路相連接。二極管D4的P極與三極管VT1的集電極相連接,N極經(jīng)電阻R3后與電容C4的正極相連接。電感L與二極管D4相并聯(lián)。電阻R4的一端與三極管VT1的發(fā)射極相連接,另一端接地。電容C5的正極與單向晶閘管D3的控制端相連接,負(fù)極則與放大器P1的正極相連接。所述單向晶閘管D3的N極接地。所述二極管D4的N極與三極管VT2的集電極相連接。

另外,電源電路由變壓器T,二極管整流器U1,穩(wěn)壓芯片U2,電阻R1,電阻R2,電容C1,電容C2,電容C3,二極管D1以及二極管D2組成。

連接時(shí),二極管D1的P極與穩(wěn)壓芯片U2的ADJ管腳相連接,N極經(jīng)電阻R2后與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接。電容C2的正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接,負(fù)極則與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接的同時(shí)接地。電容C3的正極與穩(wěn)壓芯片U2的VOUT管腳相連接,負(fù)極與二極管D1的N極相連接。二極管D2的N極與電容C3的正極相連接,P極與電容C3的負(fù)極相連接。電容C1的正極與穩(wěn)壓芯片U2的VIN管腳相連接,負(fù)極與穩(wěn)壓芯片U2的VOUT管腳相連接。電阻R1與電容C1相并聯(lián)。

所述二極管整流器U1的輸入端分別與變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接。所述變壓器T的副邊電感線圈的抽頭則與二極管D4的N極相連接。所述穩(wěn)壓芯片U2的VIN管腳與二極管整流器U1的正極輸出端相連接,其VOUT管腳則經(jīng)繼電器K的常開觸點(diǎn)K-1后與反饋電壓調(diào)整電路相連接。所述變壓器T的原邊電感線圈的同名端和非同名端則形成本發(fā)明的輸入端并與市電相連接。為了更好的實(shí)施本發(fā)明,所述穩(wěn)壓芯片U2優(yōu)先采用LM317T集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

該反饋電壓調(diào)整電路的結(jié)構(gòu)如圖2所示,其由場(chǎng)效應(yīng)管MOS1,場(chǎng)效應(yīng)管MOS2,三極管VT4,三極管VT5,三極管VT6,三極管VT7,電阻R12,電阻R13,電阻R14,電阻R15,電阻R16,電阻R17,電阻R18,電阻R19,二極管D10,二極管D11,二極管D12,電容C9,電容C10,電容C11,電容C12以及電容C13。

連接時(shí),電容C9的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極相連接,正極則經(jīng)繼電器K的常開觸點(diǎn)K-1后與穩(wěn)壓芯片U2的VOUT管腳相連接。電容C11的正極經(jīng)電阻R16后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的柵極相連接,負(fù)極接地。二極管D11的N極與電容C11的正極相連接,P極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接。電容C10的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極相連接,負(fù)極經(jīng)電阻R14后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接。二極管D10的N極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的集電極相連接,P極經(jīng)電阻R13后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的漏極相連接。電阻R18的一端與三極管VT4的發(fā)射極相連接,另一端經(jīng)電阻R17后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接。電容C12的正極與三極管VT4的基極相連接,負(fù)極與三極管VT5的基極相連接。電容C13的負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接,正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接。電阻R19串接在三極管VT6的基極和三極管VT7的集電極之間。二極管D12的P極與三極管VT5的發(fā)射極相連接,N極則與三極管VT7的發(fā)射極相連接。

所述三極管VT4的基極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極相連接,其發(fā)射極則與三極管VT6的集電極相連接。所述三極管VT5的發(fā)射極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的漏極相連接,其集電極則與三極管VT7的集電極相連接。所述三極管VT7的基極與其發(fā)射極相連接,其發(fā)射極則與二極管D9的P極相連接。

在電池電量低時(shí),放大器P1和放大器P2均輸出高電平,這時(shí)三極管VT2和三極管VT3導(dǎo)通,繼電器K得電其常開觸點(diǎn)K-1閉合,系統(tǒng)開始對(duì)移動(dòng)電源充電。當(dāng)檢測(cè)到移動(dòng)電源充滿電后,其電壓達(dá)到預(yù)定值,這時(shí)放大器P1的輸出高電平,放大器P2則輸出低電平,三極管VT2的基極則通過二極管D6被箝位于低電平,此時(shí),三極管VT2和三極管VT3均截止,繼電器K失電其常開觸點(diǎn)K-1則重新斷開,停止對(duì)移動(dòng)電源充電,避免移動(dòng)電源因過充而損壞。

如上所述,便可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。

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