本發(fā)明涉及太陽(yáng)能空調(diào)領(lǐng)域，特別涉及一種具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)由太陽(yáng)能電池、控制器、蓄電池和變頻空調(diào)器等部分組成?，F(xiàn)有的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)存在如下缺陷：控制器防雷保護(hù)措施不力，影響系統(tǒng)安全性能；蓄電池的多個(gè)單體蓄電池之間的容量和自放電不可避免的存在不一致的情形，影響蓄電池壽命。

另外，當(dāng)出現(xiàn)連續(xù)的幾個(gè)陰雨天時(shí)，蓄電池的電力不足以維持被供電設(shè)備工作的需要，這將會(huì)影響被供電設(shè)備的正常工作，要解決該問(wèn)題，可以加大蓄電池和太陽(yáng)能電池板的容量，這樣就不可避免需要敷設(shè)電源線(xiàn)，就會(huì)帶來(lái)大量施工和高額成本，其成本會(huì)大幅度上升。另外，電磁干擾也會(huì)影響太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)，其使用時(shí)可靠性不高。

在通常的H橋逆變電路的設(shè)計(jì)應(yīng)用中，四個(gè)橋臂采用相同的功率開(kāi)關(guān)管(采用IGBT管或MOS管)，不論是采用IGBT管組成的H橋逆變電路，或是采用MOS管組成的H橋逆變電路，在實(shí)際應(yīng)用中都存在一些問(wèn)題。存在的問(wèn)題如下：1、采用IGBT管時(shí)，由于IGBT管導(dǎo)通壓降的非線(xiàn)性特性使得IGBT管的導(dǎo)通壓降并不會(huì)隨著導(dǎo)通電流的增加而顯著增加，在滿(mǎn)負(fù)荷工作時(shí)，逆變轉(zhuǎn)換效率較高；反之，由于IGBT管導(dǎo)通壓降的非線(xiàn)性特性使得IGBT管的導(dǎo)通壓降并不會(huì)隨著導(dǎo)通電流的減小而顯著減小，在輕負(fù)荷時(shí)，逆變轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較低。另一方面是由于IGBT管的開(kāi)關(guān)頻率低，因此由IGBT管組成的H橋逆變電路的頻率特性不理想。2、采用MOS管時(shí)，頻率特性提高了，但由于MOS管的導(dǎo)通壓降是線(xiàn)性的，使得MOS管的導(dǎo)通壓降會(huì)隨著導(dǎo)通電流的增加而顯著增加，在滿(mǎn)負(fù)荷工作時(shí)，逆變轉(zhuǎn)換效率較低；反之，MOS管的導(dǎo)通壓降也會(huì)隨著導(dǎo)通電流的減小而顯著減小，在輕負(fù)荷時(shí)，逆變轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較高。3、逆變效率會(huì)隨前級(jí)直流源功率變化而變化。采用IGBT管組成的H橋逆變電路，逆變效率會(huì)隨前級(jí)直流源功率的增大而增大；采用MOS管組成的H橋逆變電路，逆變效率會(huì)隨前級(jí)直流源功率的增大而減小。在光伏發(fā)電逆變器或風(fēng)能發(fā)電逆變器中，此電路的缺點(diǎn)顯現(xiàn)的更突出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種可以有效防雷、提高系統(tǒng)安全性能、安裝方便、成本較低、可靠性較高、不論負(fù)載是在輕載工作下還是在滿(mǎn)載工作下都有較高的效率的具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)，包括太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能控制器、蓄電池和變頻空調(diào)器，所述太陽(yáng)能控制器包括充電電路、控制電路、防雷電路和放電電路，所述變頻空調(diào)器包括逆變電路和壓縮機(jī)，所述太陽(yáng)能電池與所述充電電路連接，所述充電電路通過(guò)所述控制電路與所述放電電路連接，所述充電電路和放電電路還均與所述蓄電池連接，所述控制電路通過(guò)所述防雷電路與所述蓄電池連接，所述放電電路還通過(guò)所述逆變電路與所述壓縮機(jī)連接；

所述充電電路包括第二十一二極管、第二十二二極管、第二十三發(fā)光二極管、第二十電阻、第二十一電阻、第二十二電阻、第二十三電阻、第二十四電阻、第二十五電阻、第二十六電阻、第二十七電阻、第二十八電阻、第二十一熱敏電阻、第二十二熱敏電阻、第二十一三極管、第二十一電容、第二十二電容和第二十一充電管理芯片，所述第二十一二極管的陽(yáng)極與所述太陽(yáng)能電池的正極連接，所述第二十一二極管的陰極分別與所述第二十一電容的一端、第二十電阻的一端、第二十一電阻的一端、第二十三電阻的一端、第二十一熱敏電阻的一端連接，所述第二十一電容的另一端接地并與所述充電管理芯片的第六引腳連接，所述第二十電阻的另一端與所述充電管理芯片的第三引腳連接，所述第二十一電阻的另一端分別與所述第二十二電阻的一端和充電管理芯片的第八引腳連接，所述第二十二電阻的另一端與所述充電管理芯片的第一引腳連接，所述第二十三電阻的另一端分別與所述第二十四電阻的一端和第二十一三極管的發(fā)射極連接，所述第二十四電阻的另一端與所述充電管理芯片的第一引腳連接，所述第二十一三極管的基極通過(guò)所述第二十五電阻與所述充電管理芯片的第七引腳連接，所述第二十一三極管的集電極通過(guò)所述第二十六電阻與所述第二十二二極管的陽(yáng)極連接，所述第二十二二極管的陰極分別與所述充電管理芯片的第二引腳、第二十二電容的一端和蓄電池的正極連接，所述第二十二電容的另一端接地，所述第二十一熱敏電阻的另一端分別與所述第二十八電阻的一端和第二十二熱敏電阻的一端連接，所述第二十八電阻的另一端與所述充電管理芯片的第四引腳連接，所述第二十二熱敏電阻的另一端接地，所述充電管理芯片的第五引腳通過(guò)所述第二十七電阻與所述第二十三發(fā)光二極管的陽(yáng)極連接，所述第二十三發(fā)光二極管的陰極接地；

所述逆變電路包括第五十一IGBT管、第五十二IGBT管、第五十三MOS管、第五十四MOS管、第五十一二極管、第五十二二極管、第五十三二極管、第五十四二極管、第五十一電阻、第五十二電阻、第一交流電、第二交流電和交流源，所述第五十一IGBT管的集電極通過(guò)所述第五十一電阻與所述直流電源連接，所述第五十一二極管的陽(yáng)極與所述第五十一IGBT管的發(fā)射極連接，所述第五十一二極管的陰極與所述直流電源連接，所述第五十二IGBT管的集電極通過(guò)所述第五十二電阻與所述直流電源連接，所述第五十二二極管的陽(yáng)極與所述第五十二IGBT管的發(fā)射極連接，所述第五十二二極管的陰極與所述直流電源連接，所述第五十一IGBT管的發(fā)射極還分別與所述第一交流電的一端和第五十三MOS管的漏極連接，所述第五十三MOS管的源極接地，所述第五十三二極管的陽(yáng)極接地，所述第五十三二極管的陰極與所述第五十三MOS管的漏極連接，所述第五十二IGBT管的發(fā)射極分別與所述第二交流電的一端和第五十四MOS管的漏極連接，所述第一交流電的另一端通過(guò)所述交流源與所述第二交流電的另一端連接，所述第五十四MOS管的源極接地，所述第五十四二極管的陽(yáng)極接地，所述第五十四二極管的陰極與所述第五十四MOS管的漏極連接。

在本發(fā)明所述的具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)中，所述逆變電路還包括第五十三電阻和第五十四電阻，所述第五十三電阻的一端與所述第五十一IGBT管的發(fā)射極連接，所述第五十三電阻的另一端與所述第五十三MOS管的漏極連接，所述第五十四電阻的一端與所述第五十二IGBT管的發(fā)射極連接，所述第五十四電阻的另一端與所述第五十四MOS管的漏極連接。

在本發(fā)明所述的具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)中，所述逆變電路還包括第五十五電阻和第五十六電阻，所述第五十五電阻的一端與所述第五十三MOS管的源極連接，所述第五十五電阻的另一端接地，所述第五十六電阻的一端與所述第五十四MOS管的源極連接，所述第五十六電阻的另一端接地。

在本發(fā)明所述的具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)中，所述第五十一IGBT管和第五十二IGBT管均為N型IGBT管。

在本發(fā)明所述的具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)中，所述第五十三MOS管和第五十四MOS管均為P溝道MOS管。

實(shí)施本發(fā)明的具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)，具有以下有益效果：由于設(shè)有防雷電路，這樣就可以有效防雷，提高系統(tǒng)安全性能；另外，太陽(yáng)能電池將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能，充電管理芯片對(duì)整個(gè)充電電路進(jìn)行管理，保證空調(diào)能量需要，同時(shí)可以避免敷設(shè)電源線(xiàn)帶來(lái)的大量施工和高額成本，還能減少電磁干擾對(duì)系統(tǒng)的影響，逆變電路相對(duì)于現(xiàn)有的H橋逆變電路，不論負(fù)載是在輕載工作還是在滿(mǎn)載的工作情況下，都有較高的效率，具有明顯的節(jié)能效果；所以其可以有效防雷、提高系統(tǒng)安全性能、安裝方便、成本較低、可靠性較高、不論負(fù)載是在輕載工作下還是在滿(mǎn)載工作下都有較高的效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為所述實(shí)施例中充電電路的電路原理圖；

圖3為所述實(shí)施例中逆變電路的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)實(shí)施例中，該具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。圖1中，該具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)包括太陽(yáng)能電池PV、太陽(yáng)能控制器1、蓄電池BAT和變頻空調(diào)器2，其中，太陽(yáng)能控制器1包括充電電路11、控制電路12、防雷電路14和放電電路13，變頻空調(diào)器2包括逆變電路21和壓縮機(jī)22，太陽(yáng)能電池PV與充電電路11連接，充電電路11通過(guò)控制電路12與放電電路13連接，充電電路11和放電電路13還均與蓄電池BAT連接，控制電路12通過(guò)防雷電路14與蓄電池BAT連接，放電電路13還通過(guò)逆變電路21與壓縮機(jī)22連接。太陽(yáng)能電池PV是將太陽(yáng)的輻射轉(zhuǎn)換為電能，或送往蓄電池BAT中存儲(chǔ)起來(lái)，或推動(dòng)變頻空調(diào)器2工作。太陽(yáng)能控制器1的作用是控制整個(gè)具有充電和H橋逆變的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)的工作狀態(tài)，并對(duì)蓄電池BAT起到過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放電保護(hù)的作用。蓄電池BAT的作用是在有光照時(shí)將太陽(yáng)能電池PV所發(fā)出的電能儲(chǔ)存起來(lái)，到需要的時(shí)候再釋放出來(lái)。變頻空調(diào)器2作為交流源，可以方便地調(diào)速。

太陽(yáng)能控制器1通過(guò)其防雷電路14可以有效防雷，增強(qiáng)系統(tǒng)的防雷能力，提高系統(tǒng)的安全性能，蓄電池BAT在不損失太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換能量的前提下，提高了蓄電池組3的充電效率及太陽(yáng)能電源的實(shí)際使用效率，蓄電池BAT進(jìn)行充電的同時(shí)又可以保證蓄電池BAT的活性，避免了蓄電池BAT發(fā)生沉積，從而較大程度的延長(zhǎng)了蓄電池BAT的壽命。

圖2為本實(shí)施例中充電電路的電路原理圖，圖2中，充電電路11包括第二十一二極管D21、第二十二二極管D22、第二十三發(fā)光二極管LED23、第二十電阻R20、第二十一電阻R21、第二十二電阻R22、第二十三電阻R23、第二十四電阻R24、第二十五電阻R25、第二十六電阻R26、第二十七電阻R27、第二十八電阻R28、第二十一熱敏電阻RT21、第二十二熱敏電阻RT22、第二十一三極管Q21、第二十一電容C21、第二十二電容C22和第二十一充電管理芯片U21，其中，第二十電阻R20、第二十四電阻R24、第二十六電阻R26和第二十八電阻R28均為限流電阻，用于進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，提高系統(tǒng)的安全性能。

其中，第二十一二極管D21的陽(yáng)極與太陽(yáng)能電池的正極PV+連接，第二十一二極管D21的陰極分別與第二十一電容C21的一端、第二十電阻R20的一端、第二十一電阻R21的一端、第二十三電阻R23的一端、第二十一熱敏電阻RT21的一端連接，第二十一電容C21的另一端接地并與充電管理芯片U21的第六引腳連接，第二十電阻R20的另一端與充電管理芯片U21的第三引腳連接，第二十一電阻R21的另一端分別與第二十二電阻R22的一端和充電管理芯片U21的第八引腳連接，第二十二電阻R22的另一端與充電管理芯片U21的第一引腳連接，第二十三電阻R23的另一端分別與第二十四電阻R24的一端和第二十一三極管Q21的發(fā)射極連接，第二十四電阻R24的另一端與充電管理芯片U21的第一引腳連接。

本實(shí)施例中，第二十一三極管Q21的基極通過(guò)第二十五電阻R25與充電管理芯片U21的第七引腳連接，第二十一三極管Q21的集電極通過(guò)第二十六電阻R26與第二十二二極管D22的陽(yáng)極連接，第二十二二極管D22的陰極分別與充電管理芯片U21的第二引腳、第二十二電容C22的一端和蓄電池的正極BAT+連接，第二十二電容C22的另一端接地，第二十一熱敏電阻RT21的另一端分別與第二十八電阻R28的一端和第二十二熱敏電阻RT22的一端連接，第二十八電阻R28的另一端與充電管理芯片U21的第四引腳連接，第二十二熱敏電阻RT22的另一端接地，充電管理芯片U21的第五引腳通過(guò)第二十七電阻R27與第二十三發(fā)光二極管LED23的陽(yáng)極連接，第二十三發(fā)光二極管LED23的陰極接地。

本實(shí)施例中，充電管理芯片U21的第一引腳為充電電流感測(cè)輸入，第二引腳為蓄電池電壓輸入，第三引腳為工作電源輸入，第四引腳為溫度感測(cè)輸入，第五引腳為充電狀態(tài)輸出，第六引腳為工作電源地輸入，第七引腳為充電控制輸出，第八引腳為充電速率補(bǔ)償輸入。太陽(yáng)能電池板PV為該充電電路11提供充電電壓，第二十一二極管D21用于反向截止，防止充電電路11反向送電，第二十一電容C21是充電管理芯片U21的濾波電容，第二十二電容C22是輸出充電電壓的濾波電容，第二十二二極管D21用于反向截止，防止因?yàn)榈诙蝗龢O管Q21存在漏電流而導(dǎo)致蓄電池BAT的電量損耗。

本實(shí)施例中，充電管理芯片U21的第一引腳能夠檢測(cè)第二十三電阻R23的壓降，從而控制充電電流大小，第二引腳用于檢測(cè)充電電壓和電池電壓，第三引腳和第六引腳用于接入工作電源，第四引腳可以通過(guò)第二十一熱敏電阻RT11和第二十二熱敏電阻RT22檢測(cè)蓄電池BAT的溫度，防止在蓄電池BAT的溫度過(guò)高時(shí)充電，由于該充電電路11不需檢測(cè)蓄電池BAT的溫度，故將第二十一熱敏電阻RT11和第二十二熱敏電阻RT22設(shè)為相同阻值，第五引腳為充電狀態(tài)輸出，在充電時(shí)第二十三發(fā)光二極管LED23亮，充滿(mǎn)后第二十三發(fā)光二極管LED23滅，第七引腳通過(guò)第二十五電阻R25控制第二十一三極管Q21通過(guò)的電流大小，從而起到控制充電電流的作用，第八引腳通過(guò)檢測(cè)第二十一電阻R21和第二十二電阻R22之間的分壓，以補(bǔ)償蓄電池BAT的內(nèi)部阻抗和電路中的壓降，從而提高充電速率。

該充電電路11能夠利用太陽(yáng)能電池PV向蓄電池BAT補(bǔ)充電能，其中太陽(yáng)能電池PV把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能，充電管理芯片U21對(duì)整個(gè)充電電路11進(jìn)行管理，保證空調(diào)的能量需要，同時(shí)可避免敷設(shè)電源線(xiàn)帶來(lái)的大量施工和高額成本，還可減少電磁干擾對(duì)該具有充電控制的太陽(yáng)能空調(diào)系統(tǒng)的影響。因此該充電電路11具有安裝方便、成本低廉和使用可靠的優(yōu)點(diǎn)。

圖3是本實(shí)施例中逆變電路的電路原理圖。圖3中，該逆變電路21包括第五十一IGBT管Q51、第五十二IGBT管Q52、第五十三MOS管Q53、第五十四MOS管Q54、第五十一二極管D51、第五十二二極管D52、第五十三二極管D53、第五十四二極管D54、第五十一電阻R51、第五十二電阻R52、第一交流電AC1、第二交流電AC2和交流源。其中，第五十一IGBT管和第五十二IGBT管Q52為上半橋的功率開(kāi)關(guān)元件，第五十三MOS管Q53和第五十四MOS管Q54為下半橋的功率開(kāi)關(guān)元件。第五十一電阻R51和第五十二電阻R52均為限流電阻，用于進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，提高系統(tǒng)的安全性能。

本實(shí)施例中，第五十一IGBT管Q51的集電極通過(guò)第五十一電阻R51與直流電源VDD連接，第五十一二極管D51的陽(yáng)極與第五十一IGBT管Q51的發(fā)射極連接，第五十一二極管D51的陰極與直流電源VDD連接，第五十一二極管D51是第五十一IGBT管Q51的保護(hù)二極管。第五十二IGBT管Q52的集電極通過(guò)第五十二電阻R52與直流電源VDD連接，第五十二二極管D52的陽(yáng)極與第五十二IGBT管Q52的發(fā)射極連接，第五十二二極管D52的陰極與直流電源VDD連接，第五十二二極管D52是第五十二IGBT管Q52的保護(hù)二極管。

本實(shí)施例中，第五十一IGBT管Q51的發(fā)射極還分別與第一交流電AC1的一端和第五十三MOS管Q53的漏極連接，第五十三MOS管Q53的源極接地，第五十三二極管D53的陽(yáng)極接地，第五十三二極管D53的陰極與第五十三MOS管Q53的漏極連接，第五十三二極管D53是第五十三MOS管Q53的保護(hù)二極管。第五十二IGBT管Q52的發(fā)射極分別與第二交流電AC2的一端和第五十四MOS管Q54的漏極連接，第一交流電AC1的另一端通過(guò)交流源與第二交流電AC2的另一端連接，第五十四MOS管Q54的源極接地，第五十四二極管D54的陽(yáng)極接地，第五十四二極管D54的陰極與第五十四MOS管Q54的漏極連接。第五十四二極管D54是第五十四MOS管Q54的保護(hù)二極管。

當(dāng)控制電路12的PWM控制信號(hào)控制第五十一IGBT管Q51導(dǎo)通、第五十二IGBT管Q52關(guān)斷，同時(shí)控制電路12的SPWM控制信號(hào)控制第五十四MOS管Q54導(dǎo)通、第五十三MOS管Q53關(guān)斷時(shí)，電流方向由直流電源VDD經(jīng)第五十一IGBT管Q51、第一交流電AC1、交流源、第二交流電AC2、第五十四MOS管Q54到接地GND；當(dāng)控制電路12的PWM控制信號(hào)控制第五十二IGBT管Q52導(dǎo)通、第五十一IGBT管Q51關(guān)斷；同時(shí)SPWM控制信號(hào)控制第五十三MOS管Q53導(dǎo)通、第五十四MOS管Q54關(guān)斷時(shí)，電流方向由直流電源VDD經(jīng)第五十二IGBT管Q52、第二交流電AC2、交流源、第一交流電AC1、第五十三MOS管Q53到接地GND；在一個(gè)循環(huán)周期內(nèi)，交流源上流過(guò)的電流是交流。逆變出的交流電的幅值由SPWM控制信號(hào)的頻率和占空比決定。

本發(fā)明中上臂的第五十一IGBT管Q51和第五十二IGBT管Q52只工作在50Hz，而傳統(tǒng)技術(shù)中，上下對(duì)臂管子工作在同一頻率，本發(fā)明而同現(xiàn)有技術(shù)相比大大降低了管子的開(kāi)關(guān)頻率，因此減少了逆變器對(duì)電網(wǎng)的電磁干擾和污染。

在工作控制方式上，逆變電路21采用雙頻率(一路高頻和一路低頻)控制方式。上半橋的第五十一IGBT管Q51和第五十二IGBT管Q52只作為電流極性控制器件，由第一PWM控制信號(hào)控制逆變出的正弦交流電的極性，工作在工頻50Hz；下半橋的第五十三MOS管Q53和第五十四MOS管Q54進(jìn)行SPWM高頻切換，由第二SPWM控制信號(hào)控制逆變電路輸出的正弦交流電的幅值，其工作頻率在20kHz～40KHz。

本實(shí)施例中，逆變電路21還包括第五十三電阻R53和第五十四電阻R54，第五十三電阻R53的一端與第五十一IGBT管Q51的發(fā)射極連接，第五十三電阻R53的另一端與第五十三MOS管Q53的漏極連接，第五十四電阻R54的一端與第五十二IGBT管Q52的發(fā)射極連接，第五十四電阻R54的另一端與第五十四MOS管Q54的漏極連接。第五十三電阻R53和第五十四電阻R54均為限流電阻，用于進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，進(jìn)一步提升系統(tǒng)的安全性能。

本實(shí)施例中，該逆變電路21還包括第五十五電阻R55和第五十六電阻R56，第五十五電阻R55的一端與第五十三MOS管Q53的源極連接，第五十五電阻R55的另一端接地，第五十六電阻R56的一端與第五十四MOS管Q54的源極連接，第五十六電阻R56的另一端接地。第五十五電阻R55和第五十六電阻R56均為限流電阻，用于進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，更進(jìn)一步提升系統(tǒng)的安全性能。

本實(shí)施例中，第五十一IGBT管Q51和第五十二IGBT管Q52均為N型IGBT管。第五十三MOS管Q53和第五十四MOS管Q54均為P溝道MOS管。當(dāng)然，在本實(shí)施例的一些情況下，第五十一IGBT管Q51和第五十二IGBT管Q52也可以為P型IGBT管，第五十三MOS管Q53和第五十四MOS管Q54也可以為N溝道MOS管，但這時(shí)逆變電路21的電路結(jié)構(gòu)也要相應(yīng)發(fā)生變化。

總之，本發(fā)明由于設(shè)有防雷電路14，這樣就可以有效防雷，提高系統(tǒng)安全性能；另外，充電電路11具有安裝方便、成本低廉和使用可靠的優(yōu)點(diǎn)。

逆變電路21的上半橋的五十一IGBT管Q51和第五十二IGBT管Q52只作為電流極性控制器件，其開(kāi)關(guān)頻率只有50Hz，充分利用了IGBT管的大電流低導(dǎo)通壓降的特性，避開(kāi)了IGBT管高頻特性差的弱點(diǎn)，從而降低總損耗和逆變器的輸出電磁干擾。由下半橋的第五十三MOS管Q53和第五十四MOS管Q54控制逆變電路21輸出的正弦交流電的幅值，其開(kāi)關(guān)頻率工作在30KHz左右，充分利用了MOS管的高頻特性和導(dǎo)通壓降是線(xiàn)性的特性，以適應(yīng)交流負(fù)載的變化及前級(jí)直流源功率的變化。同現(xiàn)有技術(shù)相比大大降低了管子的開(kāi)關(guān)頻率，因此減少了逆變器對(duì)電網(wǎng)的電磁干擾和污染。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。