本發(fā)明涉及繞組線圈，尤其涉及一種雙線繞組線圈及電機(jī)。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的直流電機(jī)定子，其形狀通常是圓形、六邊形或其它多邊形，這些形狀的定子需要較多的硅鋼片拼接或折彎形成。而纏繞于電機(jī)定子上的線圈繞組在加工過程中，通常采用來回勾線或單獨(dú)繞制后兩兩拼接而成，加工非常繁瑣復(fù)雜、無法快速繞制，效率低下且不良率高，耗費(fèi)了較多的原材料。而相對于傳統(tǒng)直流電機(jī)使用的圓形、六邊形或其他多邊形的定子，U型定子通常只需要兩個(gè)繞組線圈，生產(chǎn)加工時(shí)可一次繞制成型，加工非常方便快捷、合格率高且硅鋼片及漆包線等原材料耗費(fèi)較少。但現(xiàn)有技術(shù)中的U型定子線圈只用于交流電機(jī)。因而，研發(fā)一種低成本、高生產(chǎn)效率的直流電機(jī)線圈具有重要意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)和不足，本發(fā)明提供了一種雙線繞組線圈及電機(jī)，對線圈提供直流電源，即可產(chǎn)生交變磁場，具有生產(chǎn)成本低、產(chǎn)品合格率高等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種雙線繞組線圈，包括定子鐵芯、線圈架、線圈和控制電路；所述線圈架套設(shè)于所述定子鐵芯上；所述線圈包括第一繞線和第二繞線，所述第一繞線和第二繞線同向繞制于所述線圈架上，所述第一繞線和第二繞線兩端分別接入控制電路，所述控制電路對第一繞線和第二繞線連續(xù)交替反向供電。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的雙線繞組線圈通過在線圈上設(shè)置兩個(gè)繞線，通過控制電路對兩個(gè)繞線實(shí)現(xiàn)連續(xù)交替反向供電，從而使所述線圈產(chǎn)生交變磁場。

進(jìn)一步，所述定子鐵芯為U型定子鐵芯，所述U型定子鐵芯的雙臂貫穿過繞制有第一繞線和第二繞線的線圈架，所述U型定子鐵芯的雙臂端部的極弧部內(nèi)側(cè)形成轉(zhuǎn)子腔。利用U型定子鐵芯制備的線圈，消耗更少的繞組及硅鋼片，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。

進(jìn)一步，所述U型定子鐵芯由多片硅鋼片疊合而成。

進(jìn)一步，所述控制電路包括霍爾傳感器Q3、場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2、極性電容C1、二極管D1、電感L1、電感L2、電阻R1、電阻R2和電阻R3；所述二極管D1正極接電源，二極管D1負(fù)極通過R1接霍爾傳感器Q3的電源正極；所述霍爾傳感器Q3的電源負(fù)極通過R3接地，所述霍爾傳感器Q3的輸出極接場效應(yīng)晶體管Q2的柵極；所述R2一端接霍爾傳感器Q3的輸出極，另一端接場效應(yīng)晶體管Q2的漏極；所述場效應(yīng)晶體管Q2的漏極接二極管D1的負(fù)極，所述場效應(yīng)晶體管Q1的漏極接二極管D1的負(fù)極，所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極接霍爾傳感器Q3的電源正極，所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極接電感L2，所述場效應(yīng)晶體管Q2的源電極接電感L1，所述電感L1和L2的另一端共同接地；所述極性電容C1正極接二極管D1的負(fù)極，所述極性電容C1的負(fù)極接電源；所述電感L1和電感L2分別為第一繞線和第二繞線繞制于線圈架上所形成的電感。

進(jìn)一步，所述二極管D1為IN5400二極管，所述極性電容C1為470μF/50V的電解電容，所述電阻R1、R2、R3的阻值分別為560Ω、560Ω、0.62Ω，所述場效應(yīng)晶體管Q1和場效應(yīng)晶體管Q2均為IRFI9630G場效應(yīng)晶體管，所述Q3為u79霍爾傳感器。

進(jìn)一步，所述電源為直流電源。

或者，所述電源為交流電源，接入整流電路轉(zhuǎn)換為直流電。

本發(fā)明還提供了一種使用所述雙線繞組線圈的電機(jī)，包括雙線繞組線圈和轉(zhuǎn)子，所述雙線繞組線圈的U型定子鐵芯雙臂端部的極弧部內(nèi)側(cè)形成轉(zhuǎn)子腔，所述轉(zhuǎn)子設(shè)置于轉(zhuǎn)子腔內(nèi)。所述雙線繞組線圈為前述任一項(xiàng)所述的雙線繞組線圈。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的電機(jī)通過在線圈上設(shè)置兩個(gè)繞線，通過控制電路對兩個(gè)繞線實(shí)現(xiàn)連續(xù)交替反向供電，從而使所述線圈產(chǎn)生交變磁場，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)子的連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)。

為了更好地理解和實(shí)施，下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的雙線繞組線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的雙線繞組線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的控制電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請同時(shí)參閱圖1和圖2，其均是本發(fā)明的雙線繞組線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。所述雙線繞組線圈包括定子鐵芯1、線圈架2、線圈3和控制電路4。所述線圈3繞制于線圈架2上，所述線圈架2套設(shè)于所述定子鐵芯1上，所述控制電路4控制所述雙線繞組線圈的供電。

所述線圈3包括第一繞線31和第二繞線32。所述第一繞線31和第二繞線32同向繞制于所述線圈架2上。在本實(shí)施例中，所述第一繞線31和第二繞線32均為漆包線。所述第一繞線31的兩端接入控制電路4，所述第二繞線32的兩端接入控制電路4。所述控制電路4對第一繞線31和第二繞線32連續(xù)交替反向供電。所述線圈3也可為雙導(dǎo)線，所述雙導(dǎo)線內(nèi)包括相互絕緣的第一繞線31和第二繞線32。

所述定子鐵芯1為U型定子鐵芯。所述U型定子鐵芯由多片硅鋼片疊合而成。所述U型定子鐵芯的雙臂貫穿過繞制有第一繞線31和第二繞線32的線圈架2。所述U型定子鐵芯的雙臂端部的極弧部內(nèi)側(cè)形成轉(zhuǎn)子腔12。

請參閱圖3，其是本發(fā)明的控制電路圖。所述控制電路4包括霍爾傳感器Q3、場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2、極性電容C1、二極管D1、電感L1、電感L2、電阻R1、電阻R2和電阻R3。所述二極管D1正極接電源，二極管D1負(fù)極通過R1接霍爾傳感器Q3的電源正極。所述霍爾傳感器Q3的電源負(fù)極通過R3接地。所述霍爾傳感器Q3的輸出極接場效應(yīng)晶體管Q2的柵極。所述R2一端接霍爾傳感器Q3的輸出極，另一端接場效應(yīng)晶體管Q2的漏極。所述場效應(yīng)晶體管Q2的漏極接二極管D1的負(fù)極。所述場效應(yīng)晶體管Q1的漏極接二極管D1的負(fù)極，所述場效應(yīng)晶體管Q1的柵極接霍爾傳感器Q3的電源正極，所述場效應(yīng)晶體管Q1的源極接電感L2，所述場效應(yīng)晶體管Q2的源電極接電感L1，所述電感L1和L2的另一端共同接地。所述極性電容C1正極接二極管D1的負(fù)極，所述極性電容C1的負(fù)極接電源。在本實(shí)施例中，所述二極管D1為IN5400二極管。所述極性電容C1為470μF/50V的電解電容。所述電阻R1、R2、R3的阻值分別為560Ω、560Ω、0.62Ω。所述場效應(yīng)晶體管Q1和場效應(yīng)晶體管Q2均為IRFI9630G場效應(yīng)晶體管。所述霍爾傳感器Q3為u79的NPN型三極管。所述電感L1和電感L2分別為第一繞線31和第二繞線32繞制于線圈架2上所形成的電感。所述電源為直流電源?；蛘?，所述電源為交流電源，通過整流電路將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電后再接入控制電路。

將所述線圈接入電源，通過轉(zhuǎn)換電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娫?，通過霍爾傳感器檢測轉(zhuǎn)向，通過控制電路控制雙線繞組的第一繞線和第二繞線連續(xù)交替反向供電。

本發(fā)明還提供一種使用前述雙線繞組線圈的電機(jī)，所述電機(jī)包括所述雙線繞組線圈和轉(zhuǎn)子。所述雙線繞組線圈的U型定子鐵芯雙臂端部的極弧部內(nèi)側(cè)形成轉(zhuǎn)子腔，所述轉(zhuǎn)子設(shè)置于所述雙線繞組線圈的轉(zhuǎn)子腔內(nèi)。在本實(shí)施例中，所述轉(zhuǎn)子為永磁轉(zhuǎn)子。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在線圈上設(shè)置兩個(gè)繞線，通過控制電路對兩個(gè)繞線實(shí)現(xiàn)連續(xù)交替反向供電，從而使所述線圈產(chǎn)生交變磁場。采用U型定子鐵芯制備的線圈，消耗更少的繞組和硅鋼片，降低了生產(chǎn)成本，且提高了生產(chǎn)效率。

本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，如果對本發(fā)明的各種改動(dòng)或變形不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變形屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變形。