本發(fā)明屬于充電控制領(lǐng)域，尤其涉及一種充電控制電路及裝置。

背景技術(shù)：

電子設(shè)備的出現(xiàn)為人類的生產(chǎn)生活及學(xué)習(xí)帶來(lái)了極大的便利，很多電子設(shè)備內(nèi)置電池，便于電子設(shè)備的攜帶。

目前，電子設(shè)備的電池電量有限，需要在低電量時(shí)進(jìn)行充電，但是目前的充電電路一般只有單路充電電路，一種電壓和電流的固定充電模式，而不能根據(jù)需求采用低壓或者高壓的充電方式。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種充電控制電路，旨在解決現(xiàn)有的充電裝置充電電流固定不變，不能根據(jù)需求采用低壓或者高壓充電的問題。。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種充電控制電路，與市交流電連接，包括將所述市交流電轉(zhuǎn)換為直流電的整流濾波模塊，還包括第一電壓控制模塊和第二電壓控制模塊，

所述第一電壓控制模塊，用于對(duì)所述直流電進(jìn)行降壓或電壓維持處理后輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流；

所述第二電壓控制模塊，用于對(duì)直流電進(jìn)行升壓處理后輸出預(yù)設(shè)高壓充電電流。

本發(fā)明的另一目的還在于提供一種包括上述充電控制電路的充電裝置。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一電壓控制模塊對(duì)所述直流電進(jìn)行降壓或電壓維持處理后輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流，所述第二電壓控制模塊，用于對(duì)直流電進(jìn)行升壓處理后輸出高壓直流電預(yù)設(shè)高壓充電電流，使得充電控制電路能夠輸出兩路充電電壓，滿足用戶不同的充電需求。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的充電控制電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的充電控制電路的電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述：

圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的充電控制電路的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分，詳述如下：

本發(fā)明實(shí)施例所提供的充電控制電路與市交流電連接，包括將該市交流電轉(zhuǎn)換為直流電的整流濾波模塊，還包括第一電壓控制模塊100和第二電壓控制模塊200。

第一電壓控制模塊100用于對(duì)該直流電進(jìn)行降壓或電壓維持處理后輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流。優(yōu)選地，第一電壓控制模塊100在該直流電的電壓大于或等于預(yù)設(shè)低壓充電電流的電壓時(shí)，根據(jù)該預(yù)設(shè)低壓充電電流的電壓值對(duì)該直流電進(jìn)行降壓或電壓維持處理以輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的整流濾波模塊對(duì)市交流電進(jìn)行整流濾波后可輸出不同電壓值的直流電，即可通過調(diào)節(jié)整流濾波模塊中的參數(shù)以輸出不同電壓值的直流電，且本發(fā)明旨在提供兩路不同電壓的充電電流，至于如何選擇，選擇哪一路充電電流給電子設(shè)備充電則不在本發(fā)明所要保護(hù)的范圍之內(nèi)。

第二電壓控制模塊200用于對(duì)直流電進(jìn)行升壓處理后輸出預(yù)設(shè)高壓充電電流。優(yōu)選地，第二電壓控制模塊200在該直流電的電壓小于預(yù)設(shè)高壓充電電流的電壓時(shí)，根據(jù)該預(yù)設(shè)高壓充電電流的電壓值對(duì)該直流電進(jìn)行升壓處理以輸出預(yù)設(shè)高壓充電電流。

在本發(fā)明實(shí)施例中，充電控制電路還包括第一充電控制模塊300和第二充電控制模塊400。

第一充電控制模塊300的控制端、第一電壓控制模塊100的輸入端及第二充電控制模塊400的輸入端共同獲取直流電DC_IN，第一充電控制模塊300的輸入端和輸出端分別連接第一電壓控制模塊100的輸出端和第二電壓控制模塊200的輸入端，第二充電控制模塊400的控制端和輸出端均與第二電壓控制模塊200的輸出端連接。

當(dāng)直流電的電壓等于第一電壓控制模塊100所需輸出的預(yù)設(shè)低壓充電電流的電壓時(shí)，第二充電控制模塊400停止工作，第一電壓控制模塊100對(duì)直流電進(jìn)行電壓維持處理后輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流，第一充電控制模塊300導(dǎo)通并將第一電壓控制模塊100輸出的預(yù)設(shè)低壓充電電流輸出至第二電壓控制模塊，再由第二電壓控制模塊200對(duì)該預(yù)設(shè)低壓充電電流進(jìn)行升壓處理后輸出預(yù)設(shè)高壓充電電流。

當(dāng)直流電的電壓等于第二電壓控制模塊200所需輸出的預(yù)設(shè)高壓充電電流的電壓時(shí)，第一充電控制模塊300停止工作，第二充電控制模塊400導(dǎo)通并輸出所述直流電，第一電壓控制模塊100對(duì)直流電進(jìn)行降壓處理后輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流。

圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的充電控制電路的示例電路結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分，詳述如下：

作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，第一充電控制模塊300包括：

電阻R1、電阻R2、電阻R3、PNP型三極管Q1、電阻R4、電阻R5、電容C1、PMOS管Q2及電容C2；

電阻R1的第一端為第一充電控制模塊300的控制端，電阻R1的第二端與電阻R2的第一端共接于電阻R3的第一端，電阻R2的第二端與PNP型三極管Q1的集電極共接于地，電阻R3的第二端連接PNP型三極管Q1的基極，PNP型三極管Q1的發(fā)射極與電阻R4的第一端共接于電阻R5的第一端，電阻R4的第二端與PMOS管Q2的源極所形成的共接點(diǎn)為第一充電控制模塊300的輸入端，電阻R5的第二端與PMOS管Q2的柵極共接于電容C1的第一端，電容C1的第二端接地，PMOS管Q2的漏極與電容C2的第一端所形成的共接點(diǎn)為第一充電控制模塊300的輸出端，電容C2的第二端接地。

作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，第二充電控制模塊400包括：

電阻R6、電阻R7、電阻R8、PNP型三極管Q3、電阻R9、電阻R10、電容C3、PMOS管Q4及電容C4；

電阻R6的第一端為第二充電控制模塊400的控制端，電阻R6的第二端與電阻R7的第一端共接于電阻R8的第一端，電阻R7的第二端與PNP型三極管Q3的集電極共接于地，電阻R8的第二端連接PNP型三極管Q3的基極，PNP型三極管Q3的發(fā)射極與電阻R9的第一端共接于電阻R10的第一端，電阻R9的第二端與PMOS管Q4的源極所形成的共接點(diǎn)為第二充電控制模塊400的輸入端，電阻R10的第二端與PMOS管Q4的柵極共接于電容C3的第一端，電容C3的第二端接地，PMOS管Q4的漏極與電容C4的第一端所形成的共接點(diǎn)為第二充電控制模塊400的輸出端，電容C4的第二端接地。

以下結(jié)合工作原理對(duì)上述的充電控制電路作進(jìn)一步說明：

例如，第一電壓控制模塊100是對(duì)12V直流電進(jìn)行降壓處理或?qū)?V直流電進(jìn)行電壓維持處理后輸出5V直流電，第二電壓控制模塊200是對(duì)5V直流電進(jìn)行升壓處理后輸出12V直流電。

如果直流電為12V直流電，該12V直流電由電阻R1和電阻R2進(jìn)行分壓處理后，通過電阻R3輸出5V電壓至PNP型三極管Q1的基極，即PNP型三極管Q1的基極電壓VB1與直流電的電壓VIN(即12V)、電阻R1及電阻R2的關(guān)系如下式所示：VB1＝VIN×R2/(R1+R2)，所以，在電阻R6和電阻R7的阻值分別取值為14KΩ和10KΩ時(shí)，PNP型三極管Q1的基極電壓VB1＝5V。此時(shí)，由于第一電壓控制模塊100也是輸出5V的直流電，則PNP型三極管Q1的基極電壓與發(fā)射極電壓相同，所以PNP型三極管Q1關(guān)斷。而PMOS管Q2也因其柵極為高電位而關(guān)斷，所以PMOS管Q2的漏極無(wú)輸出，則第二電壓控制模塊200因無(wú)直流電輸入而相應(yīng)地?zé)o直流電輸出，輸出電壓為零。與此同時(shí)，由于電阻R9的第一端所引入的直流電的電壓為12V，而第二電壓控制模塊200的輸出電壓為零，則PNP型三極管Q3的基極電壓小于其發(fā)射極電壓，所以PNP型三極管Q3導(dǎo)通并將PMOS管Q4的柵極電壓拉低，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)PNP型三極管Q3導(dǎo)通，于是PNP型三極管Q3的漏極輸出12V直流電。由于電阻R6的第一端是同時(shí)與第二電壓控制模塊200的輸出端及PMOS管Q4的漏極連接的，所以在PMOS管Q4的漏極輸出12V直流電時(shí)，該12V直流電通過電阻R6和電阻R7分壓處理后，通過電阻R8輸出5V電壓至PNP型三極管Q3的基極，即PNP型三極管Q3的基極電壓VB2與12V電壓、電阻R6及電阻R7的關(guān)系如下式所示：VB2＝12V×R7/(R6+R7)，則在電阻R6和電阻R7的阻值分別取值為14KΩ和10KΩ時(shí)，PNP型三極管Q3的基極電壓VB2為5V，而由于電阻R9的第一端所引入的直流電的電壓為12V，所以PNP型三極管Q3的發(fā)射極電壓為12V，則PNP型三極管Q3依舊能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)以保證PMOS管Q4的持續(xù)導(dǎo)通并輸出12V直流電。

如果直流電為5V直流電，該5V直流電由電阻R1和電阻R2進(jìn)行分壓處理后，通過電阻R3輸出2V電壓至PNP型三極管Q1的基極，即PNP型三極管Q1的基極電壓VB1與直流電的電壓VIN(即5V)、電阻R1及電阻R2的關(guān)系如下式所示：VB1＝VIN×R2/(R1+R2)所以，在電阻R1和電阻R2的阻值分別取值為14KΩ和10KΩ時(shí)，PNP型三極管Q1的基極電壓VB1＝2V。此時(shí)，由于第一電壓控制模塊100也是輸出5V的直流電，則PNP型三極管Q1的基極電壓小于發(fā)射極電壓，所以PNP型三極管Q1導(dǎo)通，進(jìn)而將PMOS管Q2的柵極電位拉低，于是PMOS管Q2導(dǎo)通并通過其漏極將第一電壓控制模塊100所輸出的5V直流電輸出至第二電壓控制模塊200，然后由第二電壓控制模塊200對(duì)該5V直流電進(jìn)行升壓處理后輸出12V直流電。與此同時(shí)，由于電阻R9的第一端所引入的直流電的電壓為5V，而第二電壓控制模塊200所輸出的是12V直流電，該12V直流電通過電阻R6和電阻R7分壓處理后，通過電阻R8輸出5V電壓至PNP型三極管Q3的基極，即PNP型三極管Q3的基極電壓VB2與12V電壓、電阻R6及電阻R7的關(guān)系如下式所示：VB2＝12V×R7/(R6+R7)，則在電阻R6和電阻R7的阻值分別取值為14KΩ和10KΩ時(shí)，PNP型三極管Q3的基極電壓VB2為5V，而由于電阻R9的第一端所引入的直流電的電壓為5V，所以PNP型三極管Q3的基極電壓等于其發(fā)射極電壓，所以PNP型三極管Q3關(guān)斷，進(jìn)而使PMOS管Q4的柵極維持高電位，于是PMOS管Q4也隨之關(guān)斷，其漏極無(wú)直流電輸出。由于電阻R6的第一端是同時(shí)與第二電壓控制模塊200的輸出端及PNP型三極管Q3的漏極連接的，所以在第二電壓控制模塊200輸出12V直流電，而PMOS管Q4的漏極無(wú)直流電輸出時(shí)，PNP型三極管Q3的基極電壓依舊保持為5V，所以PNP型三極管Q3仍能夠維持關(guān)斷狀態(tài)以保持PMOS管Q4的關(guān)斷且無(wú)直流電輸出。

從上述工作原理可知，在實(shí)際應(yīng)用過程中，在直流電的電壓為5V或12V時(shí)，通過對(duì)第一充電控制模塊300和第二充電控制模塊400中各個(gè)電阻阻值進(jìn)行某一特定取值就能實(shí)現(xiàn)對(duì)電源適配器所輸出的5V直流電或12直流電進(jìn)行電壓處理并實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的輸出控制，以達(dá)到為電子設(shè)備提供多種不同充電電壓的目的。所以，如果電源適配器所輸出的直流電的電壓變化為其他電壓值，也可通過選取相應(yīng)的第一電壓控制模塊100和第二電壓控制模塊200，并調(diào)整第一充電控制模塊300和第二充電控制模塊400中各個(gè)電阻的阻值來(lái)實(shí)現(xiàn)上述效果，則上述對(duì)于5V直流電和12V直流電的輸入電壓控制只是本發(fā)明所能實(shí)現(xiàn)的其中一種，并不用以限定本發(fā)明。

此外，本發(fā)明實(shí)施例的另一目的還在于提供一種包括上述的充電控制電路的充電裝置。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一電壓控制模塊對(duì)所述直流電進(jìn)行降壓或電壓維持處理后輸出預(yù)設(shè)低壓充電電流，所述第二電壓控制模塊，用于對(duì)直流電進(jìn)行升壓處理后輸出高壓直流電預(yù)設(shè)高壓充電電流，使得充電控制電路能夠輸出兩路充電電壓，滿足用戶不同的充電需求。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。