本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種驅(qū)動(dòng)電路和一種電荷泵電路。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，電荷泵的驅(qū)動(dòng)電路中輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的尺寸最大，大部分功耗被該輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路消耗。參照?qǐng)D1，該輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括一PMOS管P1’和一NMOS管N1’，PMOS管P1’和NMOS管N1’通過(guò)同一控制信號(hào)例如圖2中信號(hào)CLK1’或信號(hào)CLK2’驅(qū)動(dòng)，其中，當(dāng)PMOS管P1’和NMOS管N1’通過(guò)信號(hào)CLK1’驅(qū)動(dòng)時(shí)，輸出信號(hào)為CLKa’，當(dāng)PMOS管P1’和NMOS管N1’通過(guò)信號(hào)CLK2’驅(qū)動(dòng)時(shí)，輸出信號(hào)為CLKb’。

現(xiàn)有技術(shù)中輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路存在以下缺陷：在信號(hào)CLK1’或信號(hào)CLK2’翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中，PMOS管P1’和NMOS管N1’中存在同時(shí)開(kāi)啟而出現(xiàn)短暫導(dǎo)通電流的現(xiàn)象，該導(dǎo)通電流在浪費(fèi)電流的同時(shí)，還增加了翻轉(zhuǎn)過(guò)程中驅(qū)動(dòng)電路的峰值電流，對(duì)電源系統(tǒng)沖擊較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種驅(qū)動(dòng)電路和一種電荷泵電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路在信號(hào)CLK1’或信號(hào)CLK2’翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中，PMOS管和NMOS管中存在短暫導(dǎo)通電流的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)；驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊與所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊相連，所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)；其中，當(dāng)所述第一控制信號(hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶螅龅诙刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)所述第二控制信號(hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，所述第一控制信?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖健?/p>

可選地，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊包括：PMOS管，所述PMOS管的源端與預(yù)設(shè)電源相連，所述PMOS管的柵端接收所述第一控制信號(hào)；NMOS管，所述NMOS管的漏端與所述PMOS管的漏端相連，所述NMOS管的柵端接收所述第二控制信號(hào)，所述NMOS管的源端接地，所述NMOS管的漏端與所述PMOS管的漏端作為所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。

本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路包括以下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)控制信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)具有如下特點(diǎn)：當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶螅诙刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第一控制信?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，并通過(guò)第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)。這樣，在第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)跳變時(shí)，確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，避免了浪費(fèi)電流，增大了電流效率，降低了驅(qū)動(dòng)電路的峰值電流和功耗，有效減小了對(duì)電源系統(tǒng)的沖擊。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種電荷泵電路，包括第一驅(qū)動(dòng)電路、第二驅(qū)動(dòng)電路和電荷泵，其中，所述第一驅(qū)動(dòng)電路包括：第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)；第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊與所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊相連，所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)控制所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)；當(dāng)所述第一控制信號(hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，所述第二控制信?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)所述第二控制信號(hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅龅谝豢刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?；所述第二?qū)動(dòng)電路包括：第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生相同周期的第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)；第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊與所述第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊相連，所述第三控制信號(hào)和所述第四控制信號(hào)控制所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)；當(dāng)所述第三控制信號(hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶螅龅谒目刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)所述第三控制信號(hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅龅谒目刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?；所述電荷泵分別與所述第一驅(qū)動(dòng)電路和所述第二驅(qū)動(dòng)電路相連，所述第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)和所述第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述電荷泵。

可選地，所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源端與預(yù)設(shè)電源相連，所述第一PMOS管的柵端接收所述第一控制信號(hào)；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏端與所述第一PMOS管的漏端相連，所述第一NMOS管的柵端接收所述第二控制信號(hào)，所述第一NMOS管的源端接地，所述第一NMOS管的漏端與所述第一PMOS管的漏端作為所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。

可選地，所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊包括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的源端與預(yù)設(shè)電源相連，所述第二PMOS管的柵端接收所述第三控制信號(hào)；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏端與所述第二PMOS管的漏端相連，所述第二NMOS管的柵端接收所述第四控制信號(hào)，所述第二NMOS管的源端接地，所述第二NMOS管的漏端與所述第二PMOS管的漏端作為所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。

本發(fā)明實(shí)施例的電荷泵電路包括以下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)具有如下特點(diǎn)：當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅谝豢刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，并通過(guò)第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)控制第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)，同時(shí)通過(guò)第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生相同周期的第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)，第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)具有如下特點(diǎn)：當(dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第四控制信?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑约爱?dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第四控制信?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，并通過(guò)第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)控制第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)。這樣，在實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電荷泵的過(guò)程中，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)跳變時(shí)，確保第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，以及在第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)跳變時(shí)，確保第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，不僅避免了浪費(fèi)電流，增大了電流效率，降低了各驅(qū)動(dòng)電路的峰值電流和功耗，還有效減小了對(duì)電源系統(tǒng)的沖擊。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電荷泵的驅(qū)動(dòng)電路中輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中電荷泵的驅(qū)動(dòng)電路中輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖4是本發(fā)明的一種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的一種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的信號(hào)示意圖；

圖6是本發(fā)明的一種電荷泵電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；

圖7是本發(fā)明的一種電荷泵電路實(shí)施例中電荷泵的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明的一種電荷泵電路實(shí)施例中第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明的一種電荷泵電路實(shí)施例中第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明的一種電荷泵電路實(shí)施例的信號(hào)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明的一種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖，具體可以包括：控制信號(hào)產(chǎn)生模塊1，控制信號(hào)產(chǎn)生模塊1用于產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)CLK1和第二控制信號(hào)CLK2；驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊2，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊2與控制信號(hào)產(chǎn)生模塊1相連，第一控制信號(hào)CLK1和第二控制信號(hào)CLK2控制驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊2產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKa；其中，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)CLK1從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)CLK2從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)CLK2從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第一控制信?hào)CLK1從高電平跳變?yōu)榈碗娖健?/p>

由于當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)CLK1從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)CLK2從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑约爱?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)CLK2從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第一控制信?hào)CLK1從高電平跳變?yōu)榈碗娖健＿@樣，在第一控制信號(hào)CLK1和第二控制信號(hào)CLK2跳變時(shí)，可以確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊2不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，避免了浪費(fèi)電流，增大了電流效率，降低了驅(qū)動(dòng)電路的峰值電流和功耗，有效減小了對(duì)電源系統(tǒng)的沖擊。

具體地，第一控制信號(hào)CLK1和第二控制信號(hào)CLK2的擺幅可以相等或不相等。

可選地，參照?qǐng)D4，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊2可以包括：PMOS管P1，PMOS管P1的源端與預(yù)設(shè)電源V1相連，PMOS管P1的柵端接收第一控制信號(hào)CLK1；NMOS管N1，NMOS管N1的漏端與PMOS管P1的漏端相連，NMOS管N1的柵端接收第二控制信號(hào)CLK2，NMOS管N1的源端接地，NMOS管N1的漏端與PMOS管P1的漏端作為驅(qū)動(dòng)電路的輸出端并輸出驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKa。這樣，參照?qǐng)D5，在第一控制信號(hào)CLK1和第二控制信號(hào)CLK2跳變時(shí)，PMOS管P1和NMOS管N1不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊2不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一控制信號(hào)CLK1、第二控制信號(hào)CLK2和驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKa如圖5所示。

本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路包括以下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)控制信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)具有如下特點(diǎn)：當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第一控制信?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖剑⑼ㄟ^(guò)第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)。這樣，在第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)跳變時(shí)，確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，避免了浪費(fèi)電流，增大了電流效率，降低了驅(qū)動(dòng)電路的峰值電流和功耗，有效減小了對(duì)電源系統(tǒng)的沖擊。

參照?qǐng)D6，示出了本發(fā)明的一種電荷泵電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖，具體可以包括第一驅(qū)動(dòng)電路10、第二驅(qū)動(dòng)電路20和電荷泵30。其中，第一驅(qū)動(dòng)電路10包括：第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊11，第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊11用于產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)CLK10和第二控制信號(hào)CLK20；第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊12，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊12與第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊11相連，第一控制信號(hào)CLK10和第二控制信號(hào)CLK20控制第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊12產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKb；當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)CLK10從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)CLK20從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)CLK20從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅谝豢刂菩盘?hào)CLK10從高電平跳變?yōu)榈碗娖?；第二?qū)動(dòng)電路20包括：第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊21，第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊21用于產(chǎn)生相同周期的第三控制信號(hào)CLK30和第四控制信號(hào)CLK40；第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊22，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊22與第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊21相連，第三控制信號(hào)CLK30和第四控制信號(hào)CLK40控制第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊22產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKc；當(dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)CLK30從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第四控制信?hào)CLK40從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑约爱?dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)CLK30從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第四控制信?hào)CLK40從高電平跳變?yōu)榈碗娖?；電荷?0分別與第一驅(qū)動(dòng)電路10和第二驅(qū)動(dòng)電路20相連，第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKb和第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKc驅(qū)動(dòng)電荷泵30。

由于當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)CLK10從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)CLK20從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)CLK20從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅谝豢刂菩盘?hào)CLK10從高電平跳變?yōu)榈碗娖?。這樣，在第一控制信號(hào)CLK10和第二控制信號(hào)CLK20跳變時(shí)，可以確保第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊12不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流。另外，當(dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)CLK30從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第四控制信?hào)CLK40從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑约爱?dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)CLK30從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第四控制信?hào)CLK40從高電平跳變?yōu)榈碗娖健＿@樣，在第三控制信號(hào)CLK30和第四控制信號(hào)CLK40跳變時(shí)，可以確保第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊22不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流。以上改進(jìn)避免了浪費(fèi)電流，增大了電流效率，降低了第一驅(qū)動(dòng)電路10和第二驅(qū)動(dòng)電路20的峰值電流和功耗，有效減小了對(duì)電源系統(tǒng)的沖擊。

本發(fā)明實(shí)施例中，電荷泵30可以為任意結(jié)構(gòu)的電荷泵，例如電荷泵30可以為圖7所示結(jié)構(gòu)的串聯(lián)的四級(jí)電荷泵，圖7中電荷泵30包括二極管D0、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電容C0、電容C1、電容C2和電容C3，其中，電容C0和電容C2接收第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKb，電容C1和電容C3接收第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKc。

具體地，第一控制信號(hào)CLK10、第二控制信號(hào)CLK20、第三控制信號(hào)CLK30、第四控制信號(hào)CLK40的擺幅可以相等或不相等。

可選地，參照?qǐng)D8，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊12可以包括：第一PMOS管P10，第一PMOS管P10的源端與預(yù)設(shè)電源V10相連，第一PMOS管P10的柵端接收第一控制信號(hào)CLK10；第一NMOS管N10，第一NMOS管N10的漏端與第一PMOS管P10的漏端相連，第一NMOS管N10的柵端接收第二控制信號(hào)CLK20，第一NMOS管N10的源端接地，第一NMOS管N10的漏端與第一PMOS管P10的漏端作為第一驅(qū)動(dòng)電路10的輸出端。

可選地，參照?qǐng)D9，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊22可以包括：第二PMOS管P20，第二PMOS管P20的源端與預(yù)設(shè)電源V10相連，第二PMOS管P20的柵端接收第三控制信號(hào)CLK30；第二NMOS管N20，第二NMOS管N20的漏端與第二PMOS管P20的漏端相連，第二NMOS管N20的柵端接收第四控制信號(hào)CLK40，第二NMOS管N20的源端接地，第二NMOS管N20的漏端與第二PMOS管P20的漏端作為第二驅(qū)動(dòng)電路20的輸出端。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一控制信號(hào)CLK10、第二控制信號(hào)CLK20、第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKb、第三控制信號(hào)CLK30、第四控制信號(hào)CLK40、第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)CLKc如圖10所示。

本發(fā)明實(shí)施例的電荷泵電路包括以下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)具有如下特點(diǎn)：當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第二控制信?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)诙刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，第一控制信?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，并通過(guò)第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)控制第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)，同時(shí)通過(guò)第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生相同周期的第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)，第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)具有如下特點(diǎn)：當(dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，第四控制信?hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)?shù)谌刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅谒目刂菩盘?hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，并通過(guò)第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)控制第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)。這樣，在實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電荷泵的過(guò)程中，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)跳變時(shí)，確保第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，以及在第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)跳變時(shí)，確保第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊不會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通電流，不僅避免了浪費(fèi)電流，增大了電流效率，降低了各驅(qū)動(dòng)電路的峰值電流和功耗，還有效減小了對(duì)電源系統(tǒng)的沖擊。

本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

盡管已描述了本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明實(shí)施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種驅(qū)動(dòng)電路和一種電荷泵電路，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。