1.一種驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：
控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)、第二控制信號(hào)和第三控制信號(hào)；
驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊與所述控制信號(hào)產(chǎn)生模塊相連，所述第一控制信號(hào)、所述第二控制信號(hào)和所述第三控制信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)；其中，當(dāng)所述第一控制信號(hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶螅龅诙刂菩盘?hào)先從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，所述第三控制信?hào)再從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑约爱?dāng)所述第三控制信號(hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，所述第二控制信?hào)先從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑龅谝豢刂菩盘?hào)再從高電平跳變?yōu)榈碗娖健?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源端與預(yù)設(shè)電源相連，所述第一PMOS管的柵端接收所述第一控制信號(hào)；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源端與所述預(yù)設(shè)電源相連，所述第二PMOS管的柵端接收所述第二控制信號(hào)；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏端分別與所述第一PMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端相連，所述第一NMOS管的柵端接收所述第三控制信號(hào)，所述第一NMOS管的源端接地；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏端分別與所述第一PMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端相連，所述第二NMOS管的柵端接收所述第二控制信號(hào)，所述第二NMOS管的源端接地，所述第一NMOS管的漏端、所述第二NMOS管的漏端、所述第一PMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端之間具有節(jié)點(diǎn)，所述節(jié)點(diǎn)作為所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。
3.一種電荷泵電路，其特征在于，包括第一驅(qū)動(dòng)電路、第二驅(qū)動(dòng)電路和電荷泵，其中，
所述第一驅(qū)動(dòng)電路包括：
第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生相同周期的第一控制信號(hào)、第二控制信號(hào)和第三控制信號(hào)；
第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊與所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生模塊相連，所述第一控制信號(hào)、所述第二控制信號(hào)和所述第三控制信號(hào)控制所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)；其中，當(dāng)所述第一控制信號(hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶?，所述第二控制信?hào)先從高電平跳變?yōu)榈碗娖剑龅谌刂菩盘?hào)再從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)所述第三控制信號(hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶?，所述第二控制信?hào)先從低電平跳變?yōu)楦唠娖剑龅谝豢刂菩盘?hào)再從高電平跳變?yōu)榈碗娖剑?/p>
所述第二驅(qū)動(dòng)電路包括：
第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生相同周期的第四控制信號(hào)、第五控制信號(hào)和第六控制信號(hào)；
第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊與所述第二控制信號(hào)產(chǎn)生模塊相連，所述第四控制信號(hào)、所述第五控制信號(hào)和所述第六控制信號(hào)控制所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)；其中，當(dāng)所述第四控制信號(hào)從低電平跳變?yōu)楦唠娖胶螅龅谖蹇刂菩盘?hào)先從高電平跳變?yōu)榈碗娖?，所述第六控制信?hào)再從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，以及?dāng)所述第六控制信號(hào)從高電平跳變?yōu)榈碗娖胶螅龅谖蹇刂菩盘?hào)先從低電平跳變?yōu)楦唠娖?，所述第四控制信?hào)再從高電平跳變?yōu)榈碗娖剑?/p>
所述電荷泵分別與所述第一驅(qū)動(dòng)電路和所述第二驅(qū)動(dòng)電路相連，所述第一驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)和所述第二驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述電荷泵。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電荷泵電路，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源端與預(yù)設(shè)電源相連，所述第一PMOS管的柵端接收所述第一控制信號(hào)；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源端與所述預(yù)設(shè)電源相連，所述第二PMOS管的柵端接收所述第二控制信號(hào)；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏端分別與所述第一PMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端相連，所述第一NMOS管的柵端接收所述第三控制信號(hào)，所述第一NMOS管的源端接地；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏端分別與所述第一PMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端相連，所述第二NMOS管的柵端接收所述第二控制信號(hào)，所述第二NMOS管的源端接地，所述第一NMOS管的漏端、所述第二NMOS管的漏端、所述第一PMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端之間具有第一節(jié)點(diǎn)，所述第一節(jié)點(diǎn)作為所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電荷泵電路，其特征在于，所述第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生模塊包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端與預(yù)設(shè)電源相連，所述第三PMOS管的柵端接收所述第四控制信號(hào)；
第四PMOS管，所述第四PMOS管的源端與所述預(yù)設(shè)電源相連，所述第四PMOS管的柵端接收所述第五控制信號(hào)；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏端分別與所述第三PMOS管的漏端和所述第四PMOS管的漏端相連，所述第三NMOS管的柵端接收所述第六控制信號(hào)，所述第三NMOS管的源端接地；
第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏端分別與所述第三PMOS管的漏端和所述第四PMOS管的漏端相連，所述第四NMOS管的柵端接收所述第五控制信號(hào)，所述第四NMOS管的源端接地，所述第三NMOS管的漏端、所述第四NMOS管的漏端、所述第三PMOS管的漏端和所述第四PMOS管的漏端之間具有第二節(jié)點(diǎn)，所述第二節(jié)點(diǎn)作為所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。