本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種解決關(guān)機漏電的開關(guān)電路及終端設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品的日漸成熟與普及，越來越多用戶選擇使用智能電子產(chǎn)品，在電子產(chǎn)品的功能和性能日益完善的同時，用戶開始關(guān)注電子產(chǎn)品的電池及安全問題。

然而，當前的電子產(chǎn)品基本上都是采用鋰離子電池、鎳氫電池等作為供電電源，由于軟件設(shè)計或硬件電路的原因，即使在“關(guān)機”后，電子產(chǎn)品的某部分程序或電路仍然在工作，沒有做到真正意義上的關(guān)機，還殘留一部分的漏電流，不僅造成電池耗電量大，還會引起不可預(yù)測的安全問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種解決關(guān)機漏電的開關(guān)電路及終端設(shè)備，用于解決系統(tǒng)關(guān)機時漏電的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種解決關(guān)機漏電的開關(guān)電路，所述開關(guān)電路至少包括第一場效應(yīng)管及第二場效應(yīng)管；所述第一場效應(yīng)管的控制端耦接來自功耗器件的控制信號及所述第二場效應(yīng)管的第二連接端，所述第一場效應(yīng)管的第一連接端耦接電池，所述第一場效應(yīng)管的第二連接端耦接功耗器件；所述第二場效應(yīng)管的控制端耦接開關(guān)和所述電池，所述第二場效應(yīng)管的第一連接端耦接所述電池；系統(tǒng)關(guān)機時，所述第一場效應(yīng)管在所述控制信號的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第二場效應(yīng)管在所述電池輸出電壓的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，所述電池與所述功耗器件之間不導(dǎo)通；其中，所述第一場效應(yīng)管的所述第一連接端與所述第二連接端之間串聯(lián)有至少兩個二極管，所述二極管中的至少兩個背靠背連接，所述二極管中的一個為所述第一場效應(yīng)管的寄生體二極管；所述第二場效應(yīng)管的所述第一連接端與所述第二連接端之間串聯(lián)有至少兩個二極管，所述二極管中的至少兩個背靠背連接，所述二極管中的一個為所述第二場效應(yīng)管的寄生體二極管。

其中，所述第一場效應(yīng)管為N溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；所述第二場效應(yīng)管為P溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。

其中，所述開關(guān)電路還包括第一電阻、第二電阻及第一二極管；所述第一電阻的一端分別與所述第二電阻、所述第一二極管及所述第一場效應(yīng)管的控制端及所述第二場效應(yīng)管的第二連接端耦接；所述第一電阻的另一端與系統(tǒng)充電電壓耦接，所述第二電阻的另一端接地；所述第一二極管的另一端耦接來自功耗器件的控制信號；系統(tǒng)關(guān)機充電時，所述第一場效應(yīng)管在所述第一電阻與所述第二電阻的作用下導(dǎo)通，所述系統(tǒng)充電電壓與所述功耗器件及所述電池正常連接。

其中，所述開關(guān)電路還包括第三電阻；所述第三電阻的一端分別與所述第二場效應(yīng)管的控制端及所述開關(guān)耦接；所述第三電阻的另一端分別與所述第二場效應(yīng)管的第一連接端及所述電池耦接；系統(tǒng)開機時，所述第二場效應(yīng)管在所述開關(guān)的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第一場效應(yīng)管在所述控制信號的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述電池與所述功耗器件之間導(dǎo)通。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種終端設(shè)備，所述終端設(shè)備包括開關(guān)電路、電池、開關(guān)及功耗器件；所述開關(guān)電路至少包括第一場效應(yīng)管及第二場效應(yīng)管；所述第一場效應(yīng)管的控制端耦接來自功耗器件的控制信號及所述第二場效應(yīng)管的第二連接端，所述第一場效應(yīng)管的第一連接端耦接電池，所述第一場效應(yīng)管的第二連接端耦接功耗器件；所述第二場效應(yīng)管的控制端耦接開關(guān)和所述電池，所述第二場效應(yīng)管的第一連接端耦接所述電池；系統(tǒng)關(guān)機時，所述第一場效應(yīng)管在所述控制信號的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，所述第二場效應(yīng)管在所述電池輸出電壓的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，所述電池與所述功耗器件之間不導(dǎo)通；其中，所述第一場效應(yīng)管的所述第一連接端與所述第二連接端之間串聯(lián)有至少兩個二極管，所述二極管中的至少兩個背靠背連接，所述二極管中的一個為所述第一場效應(yīng)管的寄生體二極管；所述第二場效應(yīng)管的所述第一連接端與所述第二連接端之間串聯(lián)有至少兩個二極管，所述二極管中的至少兩個背靠背連接，所述二極管中的一個為所述第二場效應(yīng)管的寄生體二極管。

其中，所述開關(guān)電路包括的第一場效應(yīng)管為N溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；所述開關(guān)電路包括的第二場效應(yīng)管為P溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。

其中，所述開關(guān)電路還包括第一電阻、第二電阻及第一二極管；所述第一電阻的一端分別與所述第二電阻、所述第一二極管及所述第一場效應(yīng)管的控制端及所述第二場效應(yīng)管的第二連接端耦接；所述第一電阻的另一端與系統(tǒng)充電電壓耦接，所述第二電阻的另一端接地；所述第一二極管的另一端耦接來自功耗器件的控制信號；系統(tǒng)關(guān)機充電時，所述第一場效應(yīng)管在所述第一電阻與所述第二電阻的作用下導(dǎo)通，所述系統(tǒng)充電電壓與所述功耗器件及所述電池正常連接。

其中，所述開關(guān)電路還包括第三電阻；所述第三電阻的一端分別與所述第二場效應(yīng)管的控制端及所述開關(guān)耦接；所述第三電阻的另一端分別與所述第二場效應(yīng)管的第一連接端及所述電池耦接；系統(tǒng)開機時，所述第二場效應(yīng)管在所述開關(guān)的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第一場效應(yīng)管在所述控制信號的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述電池與所述功耗器件之間導(dǎo)通。

本發(fā)明的有益效果是：當系統(tǒng)關(guān)機時，第一場效應(yīng)管在控制信號的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，第二場效應(yīng)管在電池輸出電壓的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，電池與所述功耗器件之間不導(dǎo)通，解決系統(tǒng)關(guān)機時漏電的問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明開關(guān)電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明開關(guān)電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明開關(guān)電路的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明開關(guān)電路的一實施例的詳細電路示意圖；

圖5是本發(fā)明的終端設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明進行詳細說明。需要注意的是，以下描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1，圖1是本發(fā)明開關(guān)電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例提供的開關(guān)電路至少包括第一場效應(yīng)管10及第二場效應(yīng)管11，其中，第一場效應(yīng)管10與第二場效應(yīng)管11分別與控制信號12、開關(guān)13、功耗器件14及電池15耦接。

如圖1所示，第一場效應(yīng)管10的控制端100耦接來自功耗器件的控制信號12及第二場效應(yīng)管11的第二連接端112，第一場效應(yīng)管10的第一連接端101耦接電池15，第一場效應(yīng)管10的第二連接端102耦接功耗器件14。第二場效應(yīng)管11的控制端110耦接開關(guān)13和電池15，第二場效應(yīng)管11的第一連接端111耦接電池15。

其中，第一場效應(yīng)管10的第一連接端101與第二連接端102之間串聯(lián)有至少兩個(圖中所示為兩個)二極管16，二極管16中的至少兩個背靠背連接。第二場效應(yīng)管11的第一連接端111與第二連接端112之間串聯(lián)有至少兩個(圖中所示為兩個)二極管16，二極管16中的至少兩個背靠背連接。

本實施例中，第一場效應(yīng)管為N溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，以下簡稱為NMOS管，第二場效應(yīng)管為P溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，以下簡稱為PMOS管，MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管，即集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。NMOS管和PMOS管大多包含寄生體二極管，源極(即S極)與漏極(即D極)可以通過寄生體二極管直接導(dǎo)通，當NMOS管和PMOS管處于關(guān)閉狀態(tài)時，源極(即S極)與漏極(即D極)仍然處于連通狀態(tài)，無法實現(xiàn)真正意義上的關(guān)閉。在NMOS管和PMOS管包含寄生二極管的情況下，本實施例在NMOS管和PMOS管的兩個連接端之間分別增加了一個二極管，與原有的寄生體二極管背靠背連接，用于阻止源極(即S極)與漏極(即D極)通過寄生體二極管直接導(dǎo)通。當系統(tǒng)關(guān)機時，NMOS管在控制信號的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，PMOS管在電池輸出電壓的作用下處于關(guān)閉狀態(tài)，此時，電池與功耗器件之間不導(dǎo)通，解決了系統(tǒng)關(guān)機時漏電的問題。在本實施例中，背靠背連接為兩個二極管的負極相連，在其它情況下，可以將兩個二極管正極相連，同樣也可以實現(xiàn)阻止源極(即S極)與漏極(即D極)通過寄生體二極管直接導(dǎo)通。進一步的，在其他實施例中，如果NMOS管和PMOS管的兩個連接端之間串聯(lián)的二極管的數(shù)量大于二，則其中背靠背連接的兩個二極管可以包括寄生體二極管，也可以不包括。進一步的，在其他實施例中，第一場效應(yīng)管和/或第二場效應(yīng)管的溝道類型可以發(fā)生變化，例如第一場效應(yīng)管為PMOS管，第二場效應(yīng)管為NMOS管等。第一場效應(yīng)管和/或第二場效應(yīng)管的溝道類型發(fā)生變化時，需要對對應(yīng)的電路連接及各器件的參數(shù)做相應(yīng)的調(diào)整。

圖2是本發(fā)明開關(guān)電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在圖1的基礎(chǔ)上，開關(guān)電路進一步包括第一電阻20、第二電阻21及第一二極管22。如圖所示，第一電阻20的一端分別與第二電阻21、第一二極管22及第一場效應(yīng)管23的控制端及第二場效應(yīng)管24的第二連接端耦接；第一電阻20的另一端與系統(tǒng)充電電壓25耦接，第二電阻21的另一端接地；第一二極管22的另一端耦接來自功耗器件的控制信號26。

本實施例中，系統(tǒng)關(guān)機充電時，NMOS管在第一電阻與第二電阻的作用下導(dǎo)通，系統(tǒng)充電電壓與電池連通，為電池提供充電電壓。同時，系統(tǒng)充電電壓與功耗器件連通，在充電的同時為功耗器件提供正常工作的電壓。

圖3是本發(fā)明開關(guān)電路的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在圖1、圖2的基礎(chǔ)上，開關(guān)電路進一步包括第三電阻31。如圖所示，第三電阻31的一端分別與第二場效應(yīng)管32的控制端及開關(guān)34耦接；第三電阻31的另一端分別與第二場效應(yīng)管32的第一連接端及電池35耦接。

本實施例中，當系統(tǒng)開機時，第二場效應(yīng)管在開關(guān)的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)，第一場效應(yīng)管在控制信號的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)，電池與功耗器件之間導(dǎo)通，功耗器件正常工作。

圖4是本發(fā)明開關(guān)電路的詳細電路示意圖，如圖所示，開關(guān)電路包括：N溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(以下簡稱為NMOS管)Q1、P溝金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(以下簡稱為PMOS管)Q2、電阻R1～R3、第一二極管D1以及NMOS管Q1兩個連接端之間串聯(lián)的兩個背靠背二極管D2-D3、PMOS管Q2兩個連接端之間串聯(lián)的兩個背靠背二極管D4-D5。

其中，Vsys為電池給系統(tǒng)供電輸出電壓，VBUS為系統(tǒng)充電電壓，GPIO為系統(tǒng)控制接口用于輸出功耗器件的控制信號，K為開關(guān)鍵，PWRKEY為開機PIN腳，BAT為電池電壓。

其中，R1-R3為百K級別的大阻值電阻。系統(tǒng)充電電壓VBUS耦接與電阻R1及電阻R2，且阻R2的另一端接地，通過電阻R1與電阻R2分壓，系統(tǒng)充電電壓VBUS與NMOS管Q1的柵極(G極)耦接。系統(tǒng)控制接口GPIO通過第一二極管D1與NMOS管Q1的柵極(G極)耦接，第一二極管D1可防止系統(tǒng)GPIO接口被充電電壓損壞。開關(guān)鍵K與開機PIN腳PWRKEY及PMOS管Q2的柵極(G極)耦接，并通過電阻R3與電池電壓BAT耦接，開關(guān)鍵K的另一端接地。電池電壓BAT的一端同時與NMOS管Q1及PMOS管Q2耦接，電池BAT經(jīng)過NMOS管Q1給外部功耗器件供電，Q1的內(nèi)阻應(yīng)盡可能的小，同時通過電流的能力應(yīng)該滿足系統(tǒng)最大功耗，避免電流過大燒壞功耗器件。系統(tǒng)充電電壓VBUS與系統(tǒng)GPIO接口直接控制主路徑開關(guān)NMOS管及PMOS管的工作狀態(tài)，且電池電壓BAT也作為控制端直接參與NMOS管及PMOS管的工作狀態(tài)。

當系統(tǒng)關(guān)機時，系統(tǒng)GPIO接口關(guān)閉無輸出，電池電壓BAT將PMOS管Q2柵極(G極)拉高，PMOS管Q2關(guān)閉，NMOS管Q1柵極(G極)電位為低，NMOS管Q1關(guān)閉，電池與外部功耗器件完全斷開，從而降低關(guān)機漏電的問題。

當系統(tǒng)關(guān)機需要給電池充電，系統(tǒng)充電電壓VBUS接通，NMOS管Q1柵極(G極)電位被拉高，進而NMOS管Q1導(dǎo)通，電池及功耗器件與系統(tǒng)充電電壓VBUS連通，在充電的同時為功耗器件提供正常工作的電壓。

當系統(tǒng)開機時，按下開關(guān)鍵K，PMOS管Q2柵極(G極)接地，PMOS管Q2導(dǎo)通，同時，系統(tǒng)檢測到開機PIN腳PWRKEY被拉低，系統(tǒng)開機，系統(tǒng)GPIO接口輸出高電平電壓，NMOS管Q1柵極(G極)電位被拉高，NMOS管Q1導(dǎo)通，電池可以給功耗器件提供電壓，系統(tǒng)正常工作。

圖5是本發(fā)明的終端設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，終端設(shè)備包括：開關(guān)電路51、電池、開關(guān)52及功耗器件53，其中，功耗器件53進一步包括：射頻單元531、電源管理單元532及背光單元533等。電池52與開關(guān)電路51耦接，開關(guān)電路51的另一端與功耗器件53耦接，使得電池經(jīng)過開關(guān)電路再給功耗器件供電，解決系統(tǒng)關(guān)機時漏電的問題。具體的實施方式請參考上述實施例中的詳細說明，在此不再贅敘。

以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。