1.一種具有自恢復(fù)功能的過流保護(hù)電路，所述過流保護(hù)電路用于電源管理芯片模塊，且該電源管理芯片模塊的環(huán)路電路包括誤差放大器；所述過流保護(hù)電路包括過流比較器、充放電控制信號(hào)產(chǎn)生模塊、充放電模塊、系統(tǒng)關(guān)斷計(jì)時(shí)模塊、遲滯比較器、誤差放大器輸出端放電模塊和充放電電容；
所述過流比較器的正向輸入端接檢測(cè)信號(hào)，過流比較器的反向輸入端接第一外部基準(zhǔn)電壓，過流比較器的輸出端接充放電控制信號(hào)產(chǎn)生模塊的一個(gè)輸入端；過流比較器用于在檢測(cè)信號(hào)超過第一外部基準(zhǔn)電壓時(shí)輸出高電平信號(hào)；
所述充放電控制信號(hào)產(chǎn)生模塊為數(shù)字邏輯處理模塊，所述數(shù)字邏輯處理模塊的另一個(gè)輸入端接遲滯比較器輸出端，數(shù)字邏輯處理模塊的輸出端輸出充放電控制信號(hào)；
所述充放電模塊包括第一電流源、第二電流源、第一PMOS管和第一NMOS管；第一電流源的一端接外部基準(zhǔn)電壓，另一端接第一PMOS管的源極；第一PMOS管的柵極接充電控制信號(hào)；第一NMOS管的源極接第二電流源的一端，第二電流源的另一端接地；第一PMOS管的漏接和第一NMOS管的漏極連接；
所述系統(tǒng)關(guān)斷計(jì)時(shí)模塊用于確定發(fā)生過流后系統(tǒng)關(guān)斷時(shí)間；包括第三NMOS管和第三電流源，第三NMOS管的漏極接第一PMOS管漏接和第一NMOS管漏極的連接點(diǎn)；第三NMOS管的柵極接遲滯比較器的輸出端，第三NMOS管的源極接第三電流源的一端，第三電流源的另一端接地；
所述遲滯比較器的正向輸入端接第一PMOS管漏接和第一NMOS管漏極的連接點(diǎn)，遲滯比較器的反向輸入端接充放電電容上的電壓值；
所述誤差放大器輸出端放電模塊包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏極接誤差放大器輸出端，其柵極接遲滯比較器輸出端，其源極接地；
充放電電容的一端接第一PMOS管漏接和第一NMOS管漏極的連接點(diǎn)，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有自恢復(fù)功能的過流保護(hù)電路，其特征在于，所述數(shù)字邏輯處理模塊包括第一D觸發(fā)器、第二D觸發(fā)器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第二PMOS管、第四NMOS管、第一或非門、第二或非門、電阻和電容；其中，第一D觸發(fā)器的D輸入端接高電平，其時(shí)鐘輸入端接過流比較器的輸出端，第一D觸發(fā)器的置位端接外部時(shí)鐘信號(hào)；第一反相器的輸入端接第一D觸發(fā)器的正向輸出端；第二PMOS管MP2的源極接外部基準(zhǔn)電壓，其柵極接第一反相器的輸出端；第四NMOS管的漏極通過電阻后接第一PMOS管的漏極，第四NMOS管的柵極接第一反相器的輸出端，其源極接地；第二反相器的輸入端接第二PMOS管漏極與電阻的連接點(diǎn)；第二反相器的輸入端、第二PMOS管漏極與電阻的連接點(diǎn)還通過電容后接地；第三反相器的輸入端接第二反相器的輸出端；第二D觸發(fā)器的D輸入端接第三反相器的輸出端，第二D觸發(fā)器的時(shí)鐘信號(hào)輸入端接外部時(shí)鐘信號(hào)；第一或非門的一個(gè)輸入端接第二D觸發(fā)器的正向輸出端，第一或非門的另一個(gè)輸入端接遲滯比較器輸出端；第二或非門的一個(gè)輸入端接第一或非門的輸出端，第二或非門的另一個(gè)輸入端接遲滯比較器輸出端；第四反相器的輸入端接第二或非門的輸出端；第一或非門的輸出端輸出放電控制信號(hào)，第四反相器的輸出端輸出充電控制信號(hào)。