本實(shí)用新型屬于電池技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種備用電池電路。
背景技術(shù):
目前大部分產(chǎn)品其芯片的備用電池電路是采用過二極管對電池充電,而二極管具有0.3V左右的管壓降,當(dāng)3.3V充電時(shí)其實(shí)際充電電壓只有3.0V左右,從而使電池長期處于未充滿狀態(tài),嚴(yán)重影響了備用電池的利用率、使用時(shí)間和使用壽命。
現(xiàn)有的電路是通過二極管充電,具有管壓降,使得電池的充電電壓降低,電池長期處于為充滿狀態(tài),影響電池使用時(shí)間和壽命,從而芯片的工作時(shí)間減短,嚴(yán)重影響產(chǎn)品的使用性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求,本實(shí)用新型提供了一種備用電池電路,其目的在于采用MOS管減小壓降,提高電池的使用率,來增加芯片的工作時(shí)間,提高產(chǎn)品的可靠性,由此解決現(xiàn)有技術(shù)中電池長期處于充滿狀態(tài),影響電池使用時(shí)間和壽命,從而芯片的工作時(shí)間減短,嚴(yán)重影響產(chǎn)品的使用性能的技術(shù)問題。
本實(shí)用新型提供了一種備用電池電路,包括MOS管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2和備用電池;所述MOS管Q1的柵極用于接收外部MCU單元輸出的控制信號,所述MOS管Q1的漏極用于連接3.3V供電電源的輸出端,所述MOS管Q1的源極用于連接外部待供電設(shè)備的供電輸入端;所述第一電阻R1連接在所述MOS管Q1的柵極與源極之間,所述第二電阻R2的一端連接至所述MOS管Q1的源極,所述第二電阻R2的另一端連接至所述備用電池的正極,所述備用電池的負(fù)極接地。
其中,所述備用電池電路還包括與所述第二電阻R2并聯(lián)連接的單向?qū)ㄔ?/p>
更進(jìn)一步地,單向?qū)ㄔ梢詾槎O管D1,所述二極管D1的陽極連接至所述備用電池的正極,所述二極管D1的陰極連接至所述MOS管Q1的源極。二極管D1的作用是用于防逆流,電池充電是經(jīng)過R2,放電時(shí)經(jīng)過D1。
更進(jìn)一步地,所述備用電池電路還包括第一電容C1,其一端連接至所述MOS管Q1的源極,另一端接地。第一電容C1的作用是用于濾波。
更進(jìn)一步地,所述備用電池電路還包括第二電容C2,與所述第一電容C1并聯(lián)連接。第二電容C2的作用是用于濾波。
本實(shí)用新型應(yīng)用于芯片的備用電池電路,旨在提高電池的利用率,增加電池的使用周期;通過芯片的I/O控制口來控制MOS管的關(guān)斷,從而控制備用電池的充電情況。采用MOS管減小壓降,提高電池的使用率,增加芯片的工作時(shí)間,提高產(chǎn)品的可靠性。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型提供的備用電池電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。此外,下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
本實(shí)用新型通過MOS管控制,當(dāng)MOS管導(dǎo)通狀態(tài)是壓降幾乎為零,可以使3.3電池處于充滿狀態(tài),提高了電池的使用率,增加了芯片的工作時(shí)間。
如圖1,MCU_CTROL由芯片的I/O控制口引出,接MOS管Q1的G極,VCC為3.3V供電電源的輸出腳,接MOS管Q1的D極,MOS管S極接VDD輸入端,同時(shí)通過R2接備用電池正極端,VDD接其他芯片供電輸入端。
如圖1所示,當(dāng)VCC正常供電時(shí),MCU_CTROL輸出低電平給MOS管Q1的G極,Q1導(dǎo)通,因VCC大于電池電壓VBAT,VCC經(jīng)過MOS管Q1給VDD供電,同時(shí)VCC經(jīng)過電阻R2給電池充電。當(dāng)VCC電源斷開時(shí),電池給VDD進(jìn)行供電,同時(shí)電池經(jīng)R1給MOS管Q1輸出高電平,Q1斷開,此時(shí)電池不能給VCC輸出電壓,減少電池?fù)p耗,延長工作時(shí)間。
VCC為輸入電源,VDD給其他芯片供電。當(dāng)VCC正常輸入時(shí),主芯片MCU_CRROL輸入低電平,MOS管Q1截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)VCC經(jīng)過Q1的體二極管給VDD供電,同時(shí)經(jīng)過R2給電池充電。當(dāng)VCC斷開輸入時(shí),MCU停止工作,電池經(jīng)二極管D1給VDD供電,使VDD端芯片繼續(xù)工作。
本實(shí)用新型通過MOS管控制備用電池電路的充放電,減少壓降,提高備用電池的充電電壓,增加電池的使用時(shí)間和利用率。
目前,產(chǎn)品上所用的備用電路大都是直接通過二極管給電池充電,壓降大,從而導(dǎo)致備用電池充電電壓降低,電池長期處于未充滿狀態(tài),嚴(yán)重影響電池的利用率和芯片的工作時(shí)間。而本實(shí)用新型通過MOS關(guān)控制,幾乎沒有壓降,可以是電池處于充滿狀態(tài),提高了電池的利用率和壽命,增加了芯片的工作時(shí)間,提高了產(chǎn)品的可靠性。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解,以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。