本實(shí)用新型涉及一種無(wú)線智能終端的保護(hù)電路，尤其涉及一種以太網(wǎng)網(wǎng)口浪涌防護(hù)電路。
背景技術(shù)：
隨著以太網(wǎng)速率的不斷提高，各種寄生參數(shù)特性對(duì)電氣性能存在不容忽視的影響，因此，在考慮以太網(wǎng)防護(hù)設(shè)計(jì)和電磁兼容性的問(wèn)題時(shí)，都會(huì)采用寄生電容小的防護(hù)器件。所以，一般以太網(wǎng)防護(hù)方案的設(shè)計(jì)需要考慮到雷擊浪涌。
關(guān)于浪涌防護(hù)已公開的現(xiàn)有技術(shù)有，申請(qǐng)?zhí)枺?01120308523.4，公開了一種以太網(wǎng)接口保護(hù)電路，連接在芯片和以太網(wǎng)接口之間，包括：浪涌保護(hù)電路；變壓器，包括線側(cè)繞組和芯片側(cè)繞組，線側(cè)繞組的接頭與以太網(wǎng)接口相連，線側(cè)繞組的中間抽頭通過(guò)浪涌防護(hù)電路接地；芯片繞組的接頭與芯片的差分線相連；放電電路與變壓器的芯片繞組相連。該保護(hù)電路能夠避免變壓器繞組芯片側(cè)的差模浪涌。但是其電路中采用TVS管吸收差模能量，提高了成本且電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，而且浪涌信息主要包括差模信號(hào)和共模信號(hào)，該電路只能對(duì)差模浪涌起到一定的保護(hù)作為，而共模浪涌卻能對(duì)網(wǎng)口造成損壞。申請(qǐng)?zhí)枺?0120056195.2，公開了一種千兆有源以太網(wǎng)的浪涌防護(hù)裝置，包括有設(shè)置在用戶接入端口和直流耦合網(wǎng)絡(luò)變壓電路之間的若干組用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并傳輸直流電源的線對(duì)，在每組線對(duì)上分別設(shè)置有依次連接的一級(jí)防護(hù)電路、退耦電路和二級(jí)防護(hù)電路，其中，一級(jí)防護(hù)電路包括依次串聯(lián)的開關(guān)型器件和一級(jí)限壓型器件；二級(jí)防護(hù)電路包括二級(jí)限壓型器件。該實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了較大的通流容量、較低的殘壓、無(wú)續(xù)流、很小的極間電容的效果。但是，該實(shí)用新型在殘壓后采用GDT在變壓器前端做八線的共模浪涌防護(hù)無(wú)疑增加了電路的復(fù)雜程度，在后期的維護(hù)中會(huì)很不方便，而且網(wǎng)口絕緣耐壓會(huì)根據(jù)所選擇的GDT耐壓程度的降低而降低導(dǎo)致網(wǎng)口的損壞，也不能對(duì)差模浪涌起到防護(hù)作用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種以太網(wǎng)網(wǎng)口浪涌防護(hù)電路，能夠根據(jù)以太網(wǎng)接口共模防護(hù)等級(jí)的不同要求，采用相應(yīng)變壓器。有效提高了共模防護(hù)浪涌以及差模防護(hù)浪涌的等級(jí)和絕緣耐壓級(jí)別，降低了物料的成本，大幅度提高了網(wǎng)口絕緣耐壓性能。
本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：一種以太網(wǎng)網(wǎng)口浪涌防護(hù)電路，包括以太網(wǎng)接口，它還包括變壓器、放電二極管陣列、第一封裝電阻、第二封裝電阻、放電電容和去耦電容；所述的變壓器的初級(jí)抽頭與以太網(wǎng)接口的空引腳連接，變壓器次級(jí)差分線連接有放電二極管陣列，次級(jí)差分線還串聯(lián)有第二封裝電阻，變壓器的其中兩個(gè)輸入引腳與第一封裝電阻，其中兩個(gè)輸出引腳與去耦電容連接；所述的第一封裝電阻與以太網(wǎng)接口其中四個(gè)輸出引腳和放電電容輸入端連接。
所述的變壓器包括12引腳的H1102芯片，所述的變壓器的隔離度為大于等于共模信號(hào)防護(hù)等級(jí)的電壓值。
所述的放電二極管陣列包括8引腳的CS2203-25芯片。
所述的第一封裝電阻包括R269、R270、R271和R272；所述的R269的一端連接H1102芯片的第8引腳，另一端分別連接R270、R271和R272；所述的R270的一端連接以太網(wǎng)接口的第7和第8引腳，另一端分別連接R269、R271和R272；所述的R271的一端連接H1102芯片的第11引腳，另一端分別與R269、R270和R272連接；所述的R272的一端連接以太網(wǎng)接口的第4和第5引腳，另一端分別與R269、R270和R271連接。
所述的放電電容的電容耐壓總和值為大于等于共模信號(hào)防護(hù)等級(jí)的電壓值，所述的放電電容一端連接第一封裝電阻，另一端接地。
所述的去耦電容包括C153和C154，所述的C153的一端連接H1102芯片的第2引腳，另一端接地；所述的C154一端連接H1102芯片的第5引腳，另一端接地。
還包括電容C307和電容C297，所述的電容C307跟去耦電容C153并聯(lián)后一端連接H1102芯片的第2引腳，另一端接地；所述的電容C297跟去耦電容C154并聯(lián)后一端連接H1102芯片的第5引腳，另一端接地。
所述的第二封裝電阻包括R61、R62、R63和R64，變壓器通過(guò)次級(jí)差分線與放電二極管陣列連接，所述的R61、R62、R63和R64串聯(lián)在變壓器與放電二極管之間。
所述的以太網(wǎng)接口和變壓器的所有引腳均與電路板上的接地點(diǎn)保持足夠的距離，以保證整個(gè)以太網(wǎng)接口，變壓器與地的隔離度。
本實(shí)用新型的有益效果是：一種以太網(wǎng)網(wǎng)口浪涌防護(hù)電路，可以有效的防護(hù)以太網(wǎng)接口的共模浪涌和差模浪涌，提高了共模防護(hù)浪涌以及差模防護(hù)浪涌的等級(jí)和絕緣耐壓等級(jí)，采用全新的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，節(jié)約了成本，提高了電路的靈活度。能夠根據(jù)以太網(wǎng)接口共模防護(hù)和差模防護(hù)等級(jí)的不同要求，采用相應(yīng)變壓器、第二封裝電阻和放電電容達(dá)到不同防護(hù)等級(jí)的保護(hù)作用，有效避免了雷電對(duì)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的影響和破壞。
附圖說(shuō)明
圖1為浪涌防護(hù)電路圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
如圖1所示，一種以太網(wǎng)網(wǎng)口浪涌防護(hù)電路，包括以太網(wǎng)接口，它還包括變壓器、放電二極管陣列、第一封裝電阻、第二封裝電阻、放電電容和去耦電容；所述的變壓器的初級(jí)抽頭與以太網(wǎng)接口的空引腳連接，變壓器次級(jí)差分線連接有放電二極管陣列，次級(jí)差分線還串聯(lián)有第二封裝電阻，變壓器其中兩個(gè)輸入引腳與第一封裝電阻，其中兩個(gè)輸出引腳與去耦電容連接；所述的第一封裝電阻與以太網(wǎng)接口其中四個(gè)輸出引腳和放電電容輸入端連接。
所述的變壓器包括12引腳的H1102芯片，所述的變壓器的隔離度為大于等于共模信號(hào)防護(hù)等級(jí)的電壓值。
所述的放電二極管陣列包括8引腳的CS2203-25芯片。
所述的第一封裝電阻包括R269、R270、R271和R272；所述的R269的一端連接H1102芯片的第8引腳，另一端分別連接R270、R271和R272；所述的R270的一端連接以太網(wǎng)接口的第7和第8引腳，另一端分別連接R269、R271和R272；所述的R271的一端連接H1102芯片的第11引腳，另一端分別與R269、R270和R272連接；所述的R272的一端連接以太網(wǎng)接口的第4和第5引腳，另一端分別與R269、R270和R271連接。
所述的放電電容的電容耐壓總和值為大于等于共模信號(hào)防護(hù)等級(jí)的電壓值，所述的放電電容一端連接第一封裝電阻，另一端接地。
所述的去耦電容包括C153和C154，所述的C153的一端連接H1102芯片的第2引腳，另一端接地；所述的C154一端連接H1102芯片的第5引腳，另一端接地。
還包括電容C307和電容C297，所述的電容C307跟去耦電容C153并聯(lián)后一端連接H1102芯片的第2引腳，另一端接地；所述的電容C297跟去耦電容C154并聯(lián)后一端連接H1102芯片的第5引腳，另一端接地。
所述的第二封裝電阻包括R61、R62、R63和R64，變壓器通過(guò)次級(jí)差分線與放電二極管陣列連接，所述的R61、R62、R63和R64串聯(lián)在變壓器與放電二極管之間。
所述的以太網(wǎng)接口和變壓器的所有引腳均與電路板上的接地點(diǎn)保持足夠的距離，以保證整個(gè)以太網(wǎng)接口，變壓器與地的隔離度。
本實(shí)用新型針對(duì)共模信號(hào)雷擊防護(hù)中，共模信號(hào)防護(hù)等級(jí)2KV，為了提高網(wǎng)口變壓器隔離度，變壓器初次隔離度必須大于等于2KV，第一封裝電阻為4個(gè)75歐姆的電阻，才能達(dá)到將共模信號(hào)阻擋在網(wǎng)口變壓器的初級(jí)的目的。由于共模信號(hào)完全被擋在網(wǎng)口變壓器初級(jí)，所以，放電電容C23Y耐壓值必須為2KV，如果選擇1KV的放電電容，則必須使用2個(gè)耐壓值為1KV的放電電容串聯(lián)，使得共模雷擊信號(hào)完全被擋在接口外。由于共模信號(hào)再實(shí)際應(yīng)用中走線長(zhǎng)度不一致會(huì)導(dǎo)致部分信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)椴钅Ｐ盘?hào)，但是轉(zhuǎn)變的差模信號(hào)能量比較小，會(huì)被4個(gè)10歐姆的第二封裝電阻消耗，4個(gè)10歐姆的第二封裝電阻能夠防住500V的電壓，從而達(dá)到保護(hù)以太網(wǎng)接口的目的。
本實(shí)用新型針對(duì)差模信號(hào)雷擊防護(hù)中，差模信號(hào)防護(hù)等級(jí)1KV，因?yàn)椴钅Ｐ盘?hào)是線線之前的信號(hào)，所以，網(wǎng)口變壓器的隔離度對(duì)差模信號(hào)是沒(méi)有作用的，差模信號(hào)會(huì)直接跳過(guò)網(wǎng)口變壓器進(jìn)入次級(jí)，可以通過(guò)4個(gè)10歐姆的第二封裝電阻吸收能量，4個(gè)10歐姆的第二封裝電阻可以吸收500的電壓，通過(guò)4個(gè)10歐姆的第二封裝電阻的差模信號(hào)會(huì)達(dá)到半導(dǎo)體放電二極管陣列，半導(dǎo)體放電二極管陣列可以吸收1KV的能量，通過(guò)這兩級(jí)電路的防護(hù)，1KV的差模信號(hào)能量完全被器件吸收，不會(huì)造成對(duì)后端器件的破壞。
以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi)，通過(guò)上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。