本實(shí)用新型涉及電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種防浪涌繼電器。

背景技術(shù)：

浪涌主要指的是電源剛開(kāi)通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖，它很可能使電路在浪涌的一瞬間燒壞。繼電器電路中，浪涌是導(dǎo)致繼電器元件損壞的主要原因之一，通常情況下繼電器導(dǎo)通時(shí)根據(jù)所接負(fù)載特性，如是容性負(fù)載，導(dǎo)通瞬間會(huì)產(chǎn)生很大的電流，此大電流會(huì)導(dǎo)致繼電器燒蝕粘結(jié)。照成繼電器觸點(diǎn)燒蝕的原因主要是繼電器導(dǎo)通時(shí)，由于容性負(fù)載特性，導(dǎo)通瞬間相當(dāng)于對(duì)地短路，此時(shí)有較大的電流流過(guò)繼電器觸點(diǎn)，短時(shí)間內(nèi)甚至能到1000安以上，輸出的電壓也會(huì)很大，大大影響含繼電器電路有設(shè)備的使用，造成故障頻發(fā)，設(shè)備損壞等問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種防浪涌繼電器，以改善現(xiàn)有技術(shù)由于浪涌現(xiàn)象對(duì)電器造成損傷的問(wèn)題。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種防浪涌繼電器，包括輸出電壓檢測(cè)模塊、輸出電流檢測(cè)模塊、MOS晶體管、輸入端、輸出端、控制信號(hào)輸入端以及控制器，所述MOS晶體管與所述輸出電流檢測(cè)模塊串聯(lián)于所述輸入端和所述輸出端之間，所述MOS晶體管與所述電流檢測(cè)模塊還分別與所述控制器電連接，所述輸出電壓檢測(cè)模塊的一端與所述控制器電連接，所述輸出電壓檢測(cè)模塊的另一端與所述輸出端連接，所述控制信號(hào)輸入端與所述控制器電連接。

優(yōu)選的，還包括隔離器，所述隔離器的一端與所述控制器連接，所述隔離器的另一端與所述控制信號(hào)輸入端連接。

優(yōu)選的，還包括信號(hào)地端口，所述隔離器還與所述信號(hào)地端口電連接。

優(yōu)選的，所述MOS晶體管的柵極與所述控制器電連接，所述MOS晶體管的漏極與所述輸入端電連接，所述MOS晶體管的源極與所述輸出電流檢測(cè)模塊電連接。

優(yōu)選的，所述輸出電壓檢測(cè)模塊包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)，所述第一電阻的一端連接于所述輸出電流檢測(cè)模塊與所述輸出端之間，所述第二電阻接地，所述控制器連接于所述第一電阻與所述第二電阻之間。

優(yōu)選的，還包括功率地端口，所述第二電阻與所述功率地端口連接。

優(yōu)選的，還包括輸入電壓檢測(cè)模塊，所述輸入電壓檢測(cè)模塊的一端連接于所述輸入端與所述MOS晶體管之間，所述輸入電壓檢測(cè)模塊還與所述控制器電連接，所述輸入電壓檢測(cè)模塊還與所述功率地端口連接，所述電壓檢測(cè)模塊用于檢測(cè)輸入端的輸入電壓值，并將所述輸入電壓值發(fā)送至所述控制器。

優(yōu)選的，所述輸出電流檢測(cè)模塊包括第三電阻和電壓檢測(cè)單元，所述第三電阻的一端與所述MOS晶體管連接，所述第三電阻的另一端與所述輸出端連接，所述電壓檢測(cè)單元與所述第三電阻并聯(lián)，所述電壓檢測(cè)單元還與所述控制器電連接。

優(yōu)選的，所述電壓檢測(cè)單元與所述控制器之間還連接有放大器，所述放大器用于將電壓檢測(cè)單元檢測(cè)的信號(hào)進(jìn)行放大。

優(yōu)選的，所述控制器的工作電壓為3.3伏、5伏或12伏。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的防浪涌繼電器，包括輸出電壓檢測(cè)模塊、輸出電流檢測(cè)模塊、MOS晶體管、輸入端、輸出端、控制信號(hào)輸入端以及控制器，通過(guò)設(shè)置輸出電壓檢測(cè)模塊和輸出電流檢測(cè)模塊可以檢測(cè)該防浪涌繼電器的輸出電壓是否過(guò)大，輸出電流的是否過(guò)流并將檢測(cè)的結(jié)果發(fā)送至控制器，控制器經(jīng)過(guò)計(jì)算、計(jì)時(shí)等，來(lái)控制MOS晶體管的開(kāi)啟、關(guān)斷或線性放大狀態(tài)，使連接在輸出端的設(shè)備儀器能夠正常工作，能夠避免由于浪涌現(xiàn)象對(duì)電器造成損傷的問(wèn)題。

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的防浪涌繼電器的結(jié)構(gòu)框圖。

圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的防浪涌繼電器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

防浪涌繼電器10；輸出電壓檢測(cè)模塊100；第一電阻101；第二電阻102；輸出電流檢測(cè)模塊200；第三電阻201；電壓檢測(cè)單元202；MOS晶體管300；輸入端400；輸出端500；控制信號(hào)輸入端600；控制器700；隔離器800；輸入電壓檢測(cè)模塊910；信號(hào)地端口920；功率地端口930。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實(shí)用新型實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本實(shí)用新型的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本實(shí)用新型的范圍，而是僅僅表示本實(shí)用新型的選定實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。同時(shí)，在本實(shí)用新型的描述中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

第一實(shí)施例

請(qǐng)參考圖1，是本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的防浪涌繼電器10的結(jié)構(gòu)框圖。所述防浪涌繼電器10包括輸出電壓檢測(cè)模塊100、輸出電流檢測(cè)模塊200、金屬氧化物半導(dǎo)體(metal oxide semiconductor，MOS)場(chǎng)效應(yīng)晶體管300、輸入端400、輸出端500、控制信號(hào)輸入端600以及控制器700。所述MOS晶體管300設(shè)置于所述輸入端400和所述輸出端500之間，所述MOS晶體管300還與所述控制器700電連接，所述輸出電流檢測(cè)模塊200設(shè)置于所述MOS晶體管300與所述輸出端500之間，所述電流檢測(cè)模塊還與所述控制器700電連接，所述輸出電壓檢測(cè)模塊100的一端與所述控制器700電連接，所述輸出電壓檢測(cè)模塊100的另一端連接于所述電流檢測(cè)模塊與所述輸出端500之間，所述控制信號(hào)輸入端600與所述控制器700電連接。

所述輸出電壓檢測(cè)模塊100用于檢測(cè)輸出端500的輸出電壓，得到輸出電壓信號(hào)，所述輸出電流檢測(cè)模塊200用于檢測(cè)所述輸出端500的電流，得到輸出電流信號(hào)，所述MOS晶體管300用于控制所述輸入端400至輸出端500的完全導(dǎo)通或關(guān)斷以及線性放大狀態(tài)，所述輸入端400用于進(jìn)行電流、電壓的輸入，所述輸出端500用于進(jìn)行電流、電壓的輸出，所述控制信號(hào)輸入端600用于將控制信號(hào)發(fā)送至所述控制器700。

所述控制器700用于接收所述控制信號(hào)以及獲取所述輸出電壓信號(hào)、輸出電流信號(hào)，并控制所述MOS晶體管300的開(kāi)啟或關(guān)斷以及線性放大狀態(tài)?？刂破?00可以是一種集成電路芯片，具有信號(hào)的處理能力。優(yōu)選的?？刂破?00的工作電壓為3.3伏、5伏或12伏。

當(dāng)所述輸入端400輸入的電壓為正常狀態(tài)時(shí)，所述控制器700接收控制信號(hào)并控制所述MOS晶體管300完全打開(kāi)，此時(shí)電流從輸入端400經(jīng)MOS晶體管300、輸出電流檢測(cè)模塊200傳送至所述輸出端500，為設(shè)備或儀器供電。

當(dāng)在浪涌過(guò)壓狀態(tài)時(shí)，即輸入端400的電壓短時(shí)間內(nèi)大于額定輸入電壓，此時(shí)輸出電壓大于預(yù)設(shè)值，所述輸出電壓檢測(cè)模塊100檢測(cè)到輸出電壓的大小后，將檢測(cè)得到的電壓值以一定比例發(fā)送至所述控制器700，所述控制器700可以控制所述MOS晶體管300的工作狀態(tài)為線性放大狀態(tài)，使輸出端500的電壓小于額定電壓。

當(dāng)所述防浪涌繼電器10過(guò)流時(shí)，所述輸出電流模塊可以檢測(cè)到是否處于過(guò)流狀態(tài)，控制器700可以進(jìn)行計(jì)時(shí)，當(dāng)過(guò)流的時(shí)間大于設(shè)定時(shí)間時(shí)，所述控制器700控制MOS晶體管300關(guān)斷。

第二實(shí)施例

請(qǐng)參考圖2，是本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的防浪涌繼電器10的電路結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于，所述防浪涌繼電器10還包括隔離器800和輸入電壓檢測(cè)模塊，所述隔離器800與所述控制器700電連接，所述輸入電壓檢測(cè)模塊的一端連接于所述輸入端400與所述MOS晶體管300之間，所述輸入電壓檢測(cè)模塊910的另一端與所述控制器700電連接。

所述隔離器800還與控制信號(hào)輸入端600連接，用于將控制信號(hào)輸入端600輸入的控制信號(hào)進(jìn)行噪聲隔離，并將隔離后的信號(hào)發(fā)送至所述控制器700。所述輸入電壓檢測(cè)模塊用于檢測(cè)輸入端400的電壓信號(hào)，并將所述檢測(cè)到的輸入端400的電壓信號(hào)發(fā)送至所述控制器700。當(dāng)輸入端400的電壓信號(hào)低于正常工作電壓時(shí)，所述控制器700控制MOS晶體管300關(guān)斷。

所述防浪涌繼電器10還包括信號(hào)地端口920和功率地端口930，所述隔離器800與所述信號(hào)地端口920電連接，所述輸入電壓檢測(cè)模塊910與所述功率地端口930連接。

所述MOS晶體管300包括柵極、源極和漏極，所述MOS晶體管300的柵極與所述控制器700電連接，所述MOS晶體管300的漏極與所述輸入端400電連接，所述MOS晶體管300的源極與所述輸出電流檢測(cè)模塊200電連接。

所述輸出電壓檢測(cè)模塊100包括第一電阻101和第二電阻102，所述第一電阻101和所述第二電阻102串聯(lián)，所述第一電阻101的一端連接于所述輸出電流檢測(cè)模塊200與所述輸出端500之間，所述第二電阻102與所述功率地端口930連接，所述控制器700連接于所述第一電阻101與所述第二電阻102之間。

所述第一電阻101和所述第二電阻102可以將輸出電壓進(jìn)行分壓，然后再發(fā)送至所述控制器700。優(yōu)選的，所述第一電阻101的阻值小于所述第二電阻102的阻值。

所述輸出電流檢測(cè)模塊200包括第三電阻201和電壓檢測(cè)單元202，所述第三電阻201的一端與所述MOS晶體管300連接，所述第三電阻201的另一端與所述輸出端500連接，所述電壓檢測(cè)單元202并聯(lián)于所述第三電阻201的兩端，所述電壓檢測(cè)單元202還與所述控制器700電連接。

所述控制器700只需要檢測(cè)所述第三電阻201兩端的電壓便可計(jì)算出流過(guò)所述第三電阻201的電流。優(yōu)選的，所述電壓檢測(cè)單元202與所述控制器700之間還連接有放大器，所述放大器用于將電壓檢測(cè)單元202檢測(cè)的電壓信號(hào)進(jìn)行放大，并發(fā)送至所述控制器700。

當(dāng)在浪涌過(guò)壓狀態(tài)時(shí)，即輸入端400的電壓短時(shí)間內(nèi)大于額定輸入電壓，此時(shí)輸出電壓大于預(yù)設(shè)值，輸出過(guò)壓信號(hào)經(jīng)第一電阻101和第二電阻102分壓后發(fā)送至所述控制器700，控制器700可以控制所述MOS晶體管300的柵極和源極之間的電壓VGS，使MOS晶體管300輸出的電壓小于額定輸入電壓，多余的電壓施加在所述MOS晶體管300的源極和漏極之間。

需要提到的是，所述MOS晶體管300源極與漏極之間的電壓VDS必選大于最高浪涌電壓，MOS晶體管300的工作狀態(tài)應(yīng)該包括浪涌狀態(tài)、短路和過(guò)流狀況。MOS晶體管300的應(yīng)該結(jié)合最大過(guò)壓浪涌時(shí)間、控制器700設(shè)定的過(guò)流時(shí)間、浪涌時(shí)VDS電壓、輸出電流等參數(shù)，計(jì)算MOS晶體管300在浪涌過(guò)程中的功率損耗。

綜上所述，本實(shí)用新型提供一種防浪涌繼電器，包括輸出電壓檢測(cè)模塊、輸出電流檢測(cè)模塊、MOS晶體管、輸入端、輸出端、控制信號(hào)輸入端以及控制器，通過(guò)設(shè)置輸出電壓檢測(cè)模塊和輸出電流檢測(cè)模塊可以檢測(cè)該防浪涌繼電器的輸出電壓是否過(guò)大，輸出電流的是否過(guò)流并將檢測(cè)的結(jié)果發(fā)送至控制器，控制器經(jīng)過(guò)計(jì)算、計(jì)時(shí)等，來(lái)控制MOS晶體管的開(kāi)啟、關(guān)斷或線性放大狀態(tài)，使連接在輸出端的設(shè)備儀器能夠正常工作。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的裝置和方法，也可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的多個(gè)實(shí)施例的裝置、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的可能實(shí)現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點(diǎn)上，流程圖或框圖中的每個(gè)方框可以代表一個(gè)模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個(gè)或多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應(yīng)當(dāng)注意，在有些作為替換的實(shí)現(xiàn)方式中，方框中所標(biāo)注的功能也可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，兩個(gè)連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時(shí)也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個(gè)方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動(dòng)作的專(zhuān)用的基于硬件的系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者可以用專(zhuān)用硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。

另外，在本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施例中的各功能模塊可以集成在一起形成一個(gè)獨(dú)立的部分，也可以是各個(gè)模塊單獨(dú)存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上模塊集成形成一個(gè)獨(dú)立的部分。

所述功能如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本實(shí)用新型的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。