本實(shí)用新型涉及保護(hù)電路，尤其涉及一種用于手機(jī)充電的過(guò)壓保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

隨著智能手機(jī)快充的普及以及電池容量的增大，大大滿足了人們對(duì)電子產(chǎn)品電池充電速度及電池電量的需求。而電子產(chǎn)品充電環(huán)境非常復(fù)雜，且電網(wǎng)波動(dòng)也會(huì)造成充電回路過(guò)壓，從而導(dǎo)致充電IC或電源管理模塊等被燒壞的情況時(shí)有發(fā)生，所以對(duì)電子產(chǎn)品充電電路的過(guò)壓保護(hù)十分關(guān)鍵。

目前常用的過(guò)壓保護(hù)方案主要是在主板充電路徑增加過(guò)壓保護(hù) IC，如Fairchild FPF2280，但這種IC成本較高。因此，如何設(shè)計(jì)一種低成本的過(guò)壓保護(hù)方案已成為業(yè)內(nèi)亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種手機(jī)充電過(guò)壓保護(hù)電路。

本實(shí)用新型提供的手機(jī)充電過(guò)壓保護(hù)電路包括三極管Q1、MOS管Q2、穩(wěn)壓管D1、電阻R1、R2、R3；三極管Q1的發(fā)射極與MOS管Q2的源極連接后與USB電源輸入端VBUS連接，穩(wěn)壓管D1的負(fù)極通過(guò)一限流電阻R1與USB電源輸入端VBUS連接，穩(wěn)壓管D1的正極接地，三極管Q1的基極通過(guò)一偏置電阻R2與穩(wěn)壓管D1的負(fù)極連接，三極管Q1的集電極與MOS管Q2的柵極連接后通過(guò)一電阻R3接地，MOS管Q2的漏極與手機(jī)充電IC輸入端V_Charge連接。

在一實(shí)施例中，三極管Q1為PNP形三極管，MOS管Q2為PMOS管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用一三極管、一MOS管以及一穩(wěn)壓管即設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一中簡(jiǎn)單過(guò)壓保護(hù)電路，電路設(shè)計(jì)巧妙，無(wú)需采用專用過(guò)壓保護(hù)IC，成本低，實(shí)用性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供的手機(jī)充電過(guò)壓保護(hù)電路包括三極管Q1、MOS管Q2、穩(wěn)壓管D1、電阻R1、R2、R3；三極管Q1的發(fā)射極與MOS管Q2的源極連接后與USB電源輸入端VBUS連接，穩(wěn)壓管D1的負(fù)極通過(guò)一限流電阻R1與USB電源輸入端VBUS連接，穩(wěn)壓管D1的正極接地，三極管Q1的基極通過(guò)一偏置電阻R2與穩(wěn)壓管D1的負(fù)極連接，三極管Q1的集電極與MOS管Q2的柵極連接后通過(guò)一電阻R3接地，MOS管Q2的漏極與手機(jī)充電IC輸入端V_Charge連接。

在一實(shí)施例中，三極管Q1為PNP形三極管，MOS管Q2為PMOS管。

電路的工作原理具體如下：

過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)電壓為穩(wěn)壓管D1反向擊穿電壓和三極管Q1的基極-發(fā)射極正偏電壓之和。一般為0.7V，與穩(wěn)壓管型號(hào)相關(guān)。故保護(hù)點(diǎn)電壓主要由穩(wěn)壓管決定。

正常工作時(shí)，PNP三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài)，PMOS管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，USB電源VBUS經(jīng)過(guò)PMOS管Q2給手機(jī)充電。

當(dāng)電網(wǎng)波動(dòng)或充電適配器異常導(dǎo)致VBUS電壓超過(guò)時(shí)，穩(wěn)壓管D1被擊穿，三極管Q1基極電壓被拉低，Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，電阻R3將PMOS管Q2柵極電壓拉高，Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，VBUS電壓將不能通過(guò)Q2到達(dá)充電IC，從而避免VBUS的異常電壓造成主板充電IC損壞。

本電路主要電子元器件的選型要求具體如下：

穩(wěn)壓管D1反向擊穿電壓決定了過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)電壓，當(dāng)用5V充電器充電時(shí)，可以選=5V的穩(wěn)壓管，此時(shí)=5.7V（+），即VBUS電壓超過(guò)5.7V時(shí)，充電回路關(guān)閉。當(dāng)用9V充電器充電時(shí)，可以選=12V的穩(wěn)壓管，此時(shí)=12.7V（+），即VBUS電壓超過(guò)12.7V時(shí)，充電回路關(guān)閉。

PMOS管 Q2導(dǎo)通電阻過(guò)大時(shí)會(huì)導(dǎo)致充電回路阻抗增加，影響充電效率，一般要求≦50mΩ。漏-源電壓≧20V可滿足5-12V適配器。

本實(shí)用新型采用一三極管、一MOS管以及一穩(wěn)壓管即設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一簡(jiǎn)單過(guò)壓保護(hù)電路，電路設(shè)計(jì)巧妙，無(wú)需采用專用過(guò)壓保護(hù)IC，成本低，實(shí)用性強(qiáng)。

上述實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和變化，這些變形和變化都應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。