技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種高壓ESD保護(hù)觸發(fā)電路，所述觸發(fā)電路包括一具有電壓鉗位的器件，其陰極接輸入輸出襯墊；一電容，其第一端接輸入輸出襯墊；一第一電阻和第二電阻；一第一NMOS管，其源極接地，其柵極與所述電容的第二端相連接，其漏極與所述第二電阻的第一端相連接；所述具有電壓鉗位的器件的陽極與所述第二電阻的第二端相連接，所述第一電阻的一端與所述電容的第二端以及所述第一NMOS管的柵極相連接，所述第一電阻的另一端接地。讓大尺寸的驅(qū)動(dòng)NMOS管(N_Driver，N型驅(qū)動(dòng)管)的gate端在ESD時(shí)置高電位，均勻開啟驅(qū)動(dòng)NMOS管(N_Driver管)的所有溝道幫助泄放ESD電流，提高ESD保護(hù)的能力。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧樟鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201710004410
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.04
技術(shù)公布日：2017.05.31