本發(fā)明涉及同步整流技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶互鎖的同步整流電路。

背景技術(shù)：

同步整流電路一般是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。

如圖1所示，由于同步整流電路的變壓器的原邊傳送的電源為交流電，因而作為整流輸出的副邊包括第一整流模塊和第二整流模塊，第一整流模塊受控于第一驅(qū)動模塊，第二整流模塊受控于第二驅(qū)動模塊，副邊包括第一整流輸入端和第二整流輸入端，在第一整流輸入端為高電平時第二整流輸入端為低電平，而在第一整流輸入端為低電平時第二整流輸入端為高電平；因而，第一驅(qū)動模塊在檢測到第一整流輸入端為低電平時，控制第一整流模塊的專用功率MOSFET導(dǎo)通；與此同時，第二驅(qū)動模塊檢測到第二整流輸入端為高電平，控制第二整流模塊的專用功率MOSFET截止；反過來亦然。但是，上述同步整流電路的方案存在一個問題是：由于電路的延遲以及第一整流輸入端和第二整流輸入端的電壓采樣波形的震蕩，可能導(dǎo)致上述電路的兩個專用功率MOSFET的驅(qū)動都為高電平或都為低電平的情況出現(xiàn)，引起兩個專用功率MOSFET共通，導(dǎo)致電壓尖峰過高、損耗過大，甚至損壞MOSFET。。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提出的同步整流互鎖電路，通過控制同步整流回路的兩個驅(qū)動模塊的控制整流模塊工作的電平相異，即可避免同步整流回路中的兩個MOSFET共通。

本發(fā)明實施例提供一種同步整流互鎖電路，包括第一互鎖模塊和第二互鎖模塊；

所述第一互鎖模塊用于檢測驅(qū)動同步整流回路的第一整流模塊工作的第一驅(qū)動模塊的第一控制輸出端的電平，并根據(jù)所述第一控制輸出端的電平，控制驅(qū)動所述同步整流回路的第二整流模塊工作的第二驅(qū)動模塊的第二控制輸出端的電平異于所述第一控制輸出端的電平；其中，所述第一控制輸出端用于控制所述第一驅(qū)動模塊輸出驅(qū)動所述第一整流模塊工作的電平；所述第二控制輸出端用于控制所述第二驅(qū)動模塊輸出驅(qū)動所述第二整流模塊工作的電平；

所述第二互鎖模塊用于檢測所述第二控制輸出端的電平，并根據(jù)所述第二控制輸出端的電平，控制所述第一控制輸出端的電平異于所述第二控制輸出端的電平。

在一種實施方式中，所述第一互鎖模塊包括第一串聯(lián)二極管組、第一電容和第一開關(guān)管；

所述第一串聯(lián)二極管組的正極用于與所述第一控制輸出端連接，所述第一串聯(lián)二極管組的負極與所述第一開關(guān)管的控制端連接，所述第一電容的一端用于與所述第一控制輸出端連接，所述第一電容的另一端與所述第一串聯(lián)二極管組的負極連接，所述第一開關(guān)管的輸入端用于與所述第二控制輸出端連接，所述第一開關(guān)管的輸出端與地連接；

所述第二互鎖模塊包括第二串聯(lián)二極管組、第二電容和第二開關(guān)管；

所述第二串聯(lián)二極管組的正極用于與所述第二控制輸出端連接，所述第二串聯(lián)二極管組的負極與所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二電容的一端用于與所述第二控制輸出端連接，所述第二電容的另一端與所述第二串聯(lián)二極管組的負極連接，所述第二開關(guān)管的輸入端用于與所述第一控制輸出端連接，所述第二開關(guān)管的輸出端與地連接。

進一步地，所述第一互鎖模塊還包括連接于所述第一串聯(lián)二極管組的負極與所述第一開關(guān)管的控制端之間的第一電阻，和連接于所述第一開關(guān)管的控制端與輸出端之間的第二電阻；

所述第二互鎖模塊還包括連接于所述第二串聯(lián)二極管組的負極與所述第二開關(guān)管的控制端之間的第三電阻，和連接于所述第二開關(guān)管的控制端與輸出端之間的第四電阻。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)管為N溝道MOS管；其中，所述第一開關(guān)管的控制端為N溝道MOS管的柵極，所述第一開關(guān)管的輸入端為N溝道MOS管的漏極，所述第一開關(guān)管的輸出端為N溝道MOS管的源極；

所述第二開關(guān)管為N溝道MOS管；其中，所述第二開關(guān)管的控制端為N溝道MOS管的柵極，所述第二開關(guān)管的輸入端為N溝道MOS管的漏極，所述第二開關(guān)管的輸出端為N溝道MOS管的源極。

優(yōu)選地，所述第一串聯(lián)二極管組由兩個二極管串聯(lián)而成；所述第二串聯(lián)二極管組由兩個二極管串聯(lián)而成。

進一步地，所述同步整流回路還包括均設(shè)置在變壓器副邊上的第一整流輸入端、第二整流輸入端、整流輸出端和第三電容；所述第一整流模塊包括第一專用功率MOSFET，所述第二整流模塊包括第二專用功率MOSFET；

所述第一整流輸入端與所述第一專用功率MOSFET的漏極連接，所述第一專用功率MOSFET的源極與所述第三電容的第一端連接，所述第三電容的第二端與所述整流輸出端連接；所述第二整流輸入端與所述第二專用功率MOSFET的漏極連接，所述第二專用功率MOSFET的源極與所述第三電容的第一端連接，所述第三電容的第一端還與地連接；

所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端與所述第一整流輸入端連接，所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動輸出端與所述第一專用功率MOSFET的柵極連接；所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端與所述第二整流輸入端連接，所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動輸出端與所述第二專用功率MOSFET的柵極連接。

在一種實施方式中，所述第一驅(qū)動模塊還包括第一三極管、第二三極管、第三三極管和第四三極管；

所述第一三極管的發(fā)射極與所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端連接，所述第一三極管的集電極與所述第一三極管的基極連接，所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端與所述第一三極管的基極連接，所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端還與所述第二三極管的集電極連接，所述第二三極管的發(fā)射極與地連接，所述第二三極管的基極與所述第一三極管的基極連接；

所述第三三極管的基極與所述第二三極管的集電極連接，所述第三三極管的集電極與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第三三極管的發(fā)射極與所述第四三極管的發(fā)射極連接，所述第四三極管的基極與所述第三三極管的基極連接，所述第四三極管的集電極與地連接，所述第三三極管的發(fā)射極與所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動輸出端連接；

以及，所述第二驅(qū)動模塊還包括第五三極管、第六三極管、第七三極管和第八三極管；

所述第五三極管的發(fā)射極與所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端連接，所述第五三極管的集電極與所述第五三極管的基極連接，所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端與所述第五三極管的基極連接，所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端還與所述第六三極管的集電極連接，所述第六三極管的發(fā)射極與地連接，所述第六三極管的基極與所述第五三極管的基極連接；

所述第七三極管的基極與所述第六三極管的集電極連接，所述第七三極管的集電極與所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第七三極管的發(fā)射極與所述第八三極管的發(fā)射極連接，所述第八三極管的基極與所述第七三極管的基極連接，所述第八三極管的集電極與地連接，所述第七三極管的發(fā)射極與所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動輸出端連接。

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊還包括連接于所述第一三極管的發(fā)射極與所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端之間的第一二極管；其中，所述第一三極管的發(fā)射極與所述第一二極管的正極連接，所述第一二極管的負極與所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端連接；

所述第二驅(qū)動模塊還包括連接于所述第五三極管的發(fā)射極與所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端之間的第二二極管；其中，所述第五三極管的發(fā)射極與所述第二二極管的正極連接，所述第二二極管的負極與所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端連接。

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊還包括第三二極管；所述第三二極管的正極與所述第一三極管的基極連接，所述第三二極管的負極與所述第四三極管的基極連接；

所述第二驅(qū)動模塊還包括第四二極管；所述第四二極管的正極與所述第五三極管的基極連接，所述第四二極管的負極與所述第八三極管的基極連接。

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊還包括：連接于所述第二三極管的集電極與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端的第五電阻、連接于所述第一三極管的基極與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端的第六電阻、連接于所述第四三極管的基極與地之間的第七電阻、連接于所述第三三極管的發(fā)射極與地之間的第八電阻、連接于所述第一二極管的負極與所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端的第九電阻和連接于所述第二三極管的發(fā)射極與地之間的第五二極管；

所述第二驅(qū)動模塊還包括：連接于所述第六三極管的集電極與所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端的第十電阻、連接于所述第五三極管的基極與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端的第十一電阻、連接于所述第八三極管的基極與地之間的第十二電阻、連接于所述第七三極管的發(fā)射極與地之間的第十三電阻、連接于所述第二二極管的負極與所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端的第十四電阻和連接于所述第六三極管的發(fā)射極與地之間的第六二極管。

更進一步地，所述第一驅(qū)動模塊的第一控制輸出端為所述第一驅(qū)動模塊的第三三極管的基極；所述第二驅(qū)動模塊的第二控制輸出端為所述第二驅(qū)動模塊的第七三極管的基極。

在另一種實施方式中，所述第一驅(qū)動模塊包括第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管、第十五電阻、第十六電阻、第十七電阻、第十八電阻、第十九電阻、第二十電阻和第二十一電阻；

所述第九三極管的集電極與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第九三極管的基極通過所述第十五電阻與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第九三極管的發(fā)射極與所述第十三極管的發(fā)射極連接，所述第十三極管的集電極接地，所述第十三極管的基極與所述第九三極管的基極連接，且所述第十三極管的基極還通過所述第十七電阻與地連接，所述第九三極管的發(fā)射極通過所述第十九電阻與地連接；

所述第十一三極管的集電極與所述第九三極管的基極連接，所述第十一三極管發(fā)射極通過所述第十八電阻與地連接，所述第十一三極管的基極與所述第十二三極管的基極連接，所述第十二三極管的發(fā)射極通過所述第十六電阻與所述第一驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第十二三極管的基極與所述第十二三極管的發(fā)射極連接，所述第十二三極管的集電極通過所述第二十電阻與所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端連接，所述第一驅(qū)動模塊的驅(qū)動輸出端通過所述第二十一電阻與所述第九三極管的發(fā)射極連接；

所述第二驅(qū)動模塊還包括第十三三極管、第十四三極管、第十五三極管、第十六三極管、第二十二電阻、第二十三電阻、第二十四電阻、第二十五電阻、第二十六電阻、第二十七電阻和第二十八電阻；

所述第十三三極管的集電極與所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第十三三極管的基極通過所述第二十二電阻與所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第十三三極管的發(fā)射極與所述第十四三極管的發(fā)射極連接，所述第十四三極管的集電極接地，所述第十四三極管的基極與所述第十三三極管的基極連接，且所述第十四三極管的基極還通過所述第二十四電阻與地連接，所述第十三三極管的發(fā)射極通過所述第二十六電阻與地連接；

所述第十五三極管的集電極與所述第十三三極管的基極連接，所述第十五三極管發(fā)射極通過所述第二十五電阻與地連接，所述第十五三極管的基極與所述第十六三極管的基極連接，所述第十六三極管的發(fā)射極通過所述第二十三電阻與所述第二驅(qū)動模塊的電源輸入端連接，所述第十六三極管的基極與所述第十六三極管的發(fā)射極連接，所述第十六三極管的集電極通過所述第二十七電阻與所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動檢測端連接，所述第二驅(qū)動模塊的驅(qū)動輸出端通過所述第二十八電阻與所述第十三三極管的發(fā)射極連接；

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊的第一控制輸出端為所述第一驅(qū)動模塊的第九三極管的基極；所述第二驅(qū)動模塊的第二控制輸出端為所述第二驅(qū)動模塊的第十三三極管的基極。

實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果：

本發(fā)明實施例提供的同步整流互鎖電路，在同步整流回路中提供第一互鎖模塊和第二互鎖模塊；其中，同步整流回路包括驅(qū)動第一整流模塊的專用功率MOSFET工作的第一驅(qū)動模塊和驅(qū)動第二整流模塊的專用功率MOSFET工作的第二驅(qū)動模塊，則第一互鎖模塊通過檢測第一驅(qū)動模塊的用于控制第一驅(qū)動模塊輸出的電平的第一檢測輸出端的電平，然后根據(jù)該電平使得第二驅(qū)動模塊的用于控制第二互鎖模塊輸出的電平的第二檢測輸出端的電平異于檢測到電平，同理，第二互鎖模塊也控制第一檢測輸出端異于檢測到的第二檢測是輸出端的電平，兩者互相配合，始終將同步整流回路中的兩專用功率MOSFET工作狀態(tài)相異，即只有一個專用功率MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的同步整流回路的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第一互鎖模塊的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第二互鎖模塊的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第一驅(qū)動模塊的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第二驅(qū)動模塊的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明提供的同步整流電路的第一驅(qū)動模塊的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明提供的同步整流電路的第二驅(qū)動模塊的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

參見圖2，是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本發(fā)明實施例提供一種同步整流互鎖電路，包括第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106；

所述第一互鎖模塊105用于檢測驅(qū)動同步整流回路的第一整流模塊101工作的第一驅(qū)動模塊103的第一控制輸出端A-Clock的電平，并根據(jù)所述第一控制輸出端A-Clock的電平，控制驅(qū)動所述同步整流回路的第二整流模塊102工作的第二驅(qū)動模塊104的第二控制輸出端B-Clock的電平異于所述第一控制輸出端A-Clock的電平；其中，所述第一控制輸出端A-Clock用于控制所述第一驅(qū)動模塊103輸出驅(qū)動所述第一整流模塊101工作的電平；所述第二控制輸出端B-Clock用于控制所述第二驅(qū)動模塊104輸出驅(qū)動所述第二整流模塊102工作的電平；

所述第二互鎖模塊106用于檢測所述第二控制輸出端B-Clock的電平，并根據(jù)所述第二控制輸出端B-Clock的電平，控制所述第一控制輸出端A-Clock的電平異于所述第二控制輸出端B-Clock的電平。

需要說明的，同步整流回路包括驅(qū)動第一整流模塊101的第一專用功率MOSFET工作的第一驅(qū)動模塊103和驅(qū)動第二整流模塊102的第二專用功率MOSFET工作的第二驅(qū)動模塊104，由于同步整流回路的工作過程中對交流電進行整流，第一整流模塊101和第二整流模塊102交互性地工作，即在第一專用功率MOSFET導(dǎo)通整流時，第二專用功率MOSFET截止導(dǎo)流；或者在第二專用功率MOSFET導(dǎo)通整流時，第一專用功率MOSFET截止導(dǎo)流，因而需要維持以上這種狀態(tài)，以避免兩個MOSFET共通，則本發(fā)明實施提供第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106，第一互鎖模塊105通過檢測第一驅(qū)動模塊103的用于控制第一驅(qū)動模塊103輸出的電平的第一控制輸出端A-Clock的電平，然后根據(jù)第一控制輸出端A-Clock使得第二驅(qū)動模塊104的用于控制第二驅(qū)動模塊104輸出的電平的第二控制輸出端B-Clock的電平異于檢測到第一控制輸出端A-Clock的電平，同理，第二互鎖模塊106也控制第一控制輸出端A-Clock的電平異于檢測到的第二控制輸出端B-Clock的電平，兩者互相配合，始終維持同步整流回路中的兩個專用功率MOSFET工作狀態(tài)相異，即只有一個專用功率MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)。

在本發(fā)明實施方式中，第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的電路結(jié)構(gòu)相同，以下將結(jié)合圖3和圖4分別描述第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的結(jié)構(gòu)：

參見圖3，圖3是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第一互鎖模塊105的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；該第一互鎖模塊105的電路結(jié)構(gòu)具體為：

所述第一互鎖模塊105包括第一串聯(lián)二極管組D1、第一電容C1和第一開關(guān)管Q1；

所述第一串聯(lián)二極管組D1的正極用于與所述第一控制輸出端A-Clock連接，所述第一串聯(lián)二極管組D1的負極與所述第一開關(guān)管Q1的控制端連接，所述第一電容C1的一端用于與所述第一控制輸出端A-Clock連接，所述第一電容C1的另一端與所述第一串聯(lián)二極管組D1的負極連接，所述第一開關(guān)管Q1的輸入端用于與所述第二控制輸出端B-Clock連接，所述第一開關(guān)管Q1的輸出端與地連接。

進一步地，所述第一互鎖模塊105還包括連接于所述第一串聯(lián)二極管組D1的負極與所述第一開關(guān)管Q1的控制端之間的第一電阻R1，和連接于所述第一開關(guān)管Q1的控制端與輸出端之間的第二電阻R2。

優(yōu)選地，所述第一開關(guān)管Q1為N溝道MOS管；其中，所述第一開關(guān)管Q1的控制端為N溝道MOS管的柵極，所述第一開關(guān)管Q1的輸入端為N溝道MOS管的漏極，所述第一開關(guān)管Q1的輸出端為N溝道MOS管的源極。

優(yōu)選地，所述第一串聯(lián)二極管組D1由兩個二極管串聯(lián)而成。由兩個二極管串聯(lián)而成，使得與所述第一串聯(lián)二極管組D1并聯(lián)的第一電容C1約為1.4V，確保第一開關(guān)管Q1導(dǎo)通時的電壓值。

參見圖4，圖4本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第二互鎖模塊106的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；該第二互鎖模塊106的電路結(jié)構(gòu)具體為：

所述第二互鎖模塊106包括第二串聯(lián)二極管組D2、第二電容C2和第二開關(guān)管Q2；

所述第二串聯(lián)二極管組D2的正極用于與所述第二控制輸出端B-Clock連接，所述第二串聯(lián)二極管組D2的負極與所述第二開關(guān)管Q2的控制端連接，所述第二電容C2的一端用于與所述第二控制輸出端B-Clock連接，所述第二電容C2的另一端與所述第二串聯(lián)二極管組D2的負極連接，所述第二開關(guān)管Q2的輸入端用于與所述第一控制輸出端A-Clock連接，所述第二開關(guān)管Q2的輸出端與地連接。

進一步地，所述第二互鎖模塊106還包括連接于所述第二串聯(lián)二極管組D2的負極與所述第二開關(guān)管Q2的控制端之間的第三電阻R3，和連接于所述第二開關(guān)管Q2的控制端與輸出端之間的第四電阻R4。

優(yōu)選地，所述第二開關(guān)管Q2為N溝道MOS管；其中，所述第二開關(guān)管Q2的控制端為N溝道MOS管的柵極，所述第二開關(guān)管Q2的輸入端為N溝道MOS管的漏極，所述第二開關(guān)管Q2的輸出端為N溝道MOS管的源極。

優(yōu)選地，所述第二串聯(lián)二極管組D2由兩個二極管串聯(lián)而成。由兩個二極管串聯(lián)而成，使得與所述第二串聯(lián)二極管組D2并聯(lián)的第二電容C2約為1.4V，確保第二開關(guān)管Q2導(dǎo)通時的電壓值。

以下，結(jié)合圖3和圖4，描述第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的工作原理：

對于第一互鎖模塊105：當?shù)谝豢刂戚敵龆薃-Clock由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，第一電容C1相當于短路，為第一電容C1充電，第一電容C1的電壓為第一串聯(lián)二極管組D1的壓降，作為N溝道MOS管的第一開關(guān)管Q1此時的電壓為高電平，第一開關(guān)管Q1導(dǎo)通，第二控制輸出端B-Clock的電壓下拉至地，為低電平；當?shù)谝豢刂戚敵龆薃-Clock由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，由于第一電容C1的電壓為第一串聯(lián)二極管組D1的壓降值，第一電容C1的電壓不能突變，也就相當于第一電容C1的電壓較低一側(cè)的負壓加到第一開關(guān)管Q1的柵極和源極之間，加快第一開關(guān)管Q1的關(guān)斷速度，使得第二控制輸出端B-Clock的電平上拉至高電平。

對于第二互鎖模塊106，當?shù)诙刂戚敵龆薆-Clock由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，第二電容C2相當于短路，為第二電容C2充電，第二電容C2的電壓為第二串聯(lián)二極管組D2的壓降，作為N溝道MOS管的第二開關(guān)管Q2此時的電壓為高電平，第二開關(guān)管Q2導(dǎo)通，第一控制輸出端A-Clock的電壓下拉至地，為低電平；當?shù)诙刂戚敵龆薆-Clock由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，由于第二電容C2的電壓為第一串聯(lián)二極管組D1的壓降值，第二電容C2的電壓不能突變，也就相當于第二電容C2的電壓較低一側(cè)的負壓加到第二開關(guān)管Q2的柵極和源極之間，加快第二開關(guān)管Q2的并斷速度，使得第一控制輸出端A-Clock的電平上拉至高電平。

因而，兩者相互配合互鎖始終維持第一控制輸出端A-Clock的電平與第二控制輸出端B-Clock的電平相異，一者為高電平，另一者則為低電平，進而避免同步整流回路中的兩個專用功率MOSFET共通。

如圖2所示，在本發(fā)明實施例中，同步整流回路的電路結(jié)構(gòu)為：

所述同步整流回路包括均設(shè)置在變壓器T1副邊上的第一整流輸入端VS1、第二整流輸入端VS2、整流輸出端VOUT和第三電容C3；所述第一整流模塊101包括第一專用功率MOSFET，所述第二整流模塊102包括第二專用功率MOSFET；

所述第一整流輸入端VS1與所述第一專用功率MOSFET的漏極連接，所述第一專用功率MOSFET的源極與所述第三電容C3的第一端連接，所述第三電容C3的第二端與所述整流輸出端VOUT連接；所述第二整流輸入端VS2與所述第二專用功率MOSFET的漏極連接，所述第二專用功率MOSFET的源極與所述第三電容C3的第一端連接，所述第三電容C3的第一端還與地連接；

所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端與所述第一整流輸入端VS1連接，所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端與所述第一專用功率MOSFET的柵極連接；所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端與所述第二整流輸入端VS2連接，所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端與所述第二專用功率MOSFET的柵極連接。

在具體實施時，所述同步整流回路還包括連接于所述第一專用功率MOSFET的漏極與所述第三電容C3的第一端之間的第二十九電阻R101，以及連接于所述第二專用功率MOSFET的漏極與所述第三電容C3的第一端之間的第三十電阻R102；

在本發(fā)明實施例中，第一驅(qū)動模塊103和第二驅(qū)動模塊104的電路結(jié)構(gòu)相同，目的是對兩端電流的整流效果一致。而第一驅(qū)動模塊103和第二驅(qū)動模塊104的電路結(jié)構(gòu)有以下兩種不同的實施方式：

在第一種實施方式中，如圖5所示，圖5是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第一驅(qū)動模塊103的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；所述第一驅(qū)動模塊103還包括第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3和第四三極管Q4；

所述第一三極管Q1的發(fā)射極與所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端連接，所述第一三極管Q1的集電極與所述第一三極管Q1的基極連接，所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端與所述第一三極管Q1的基極連接，所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端還與所述第二三極管Q2的集電極連接，所述第二三極管Q2的發(fā)射極與地連接，所述第二三極管Q2的基極與所述第一三極管Q1的基極連接；

所述第三三極管Q3的基極與所述第二三極管Q2的集電極連接，所述第三三極管Q3的集電極與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端連接，所述第三三極管Q3的發(fā)射極與所述第四三極管Q4的發(fā)射極連接，所述第四三極管Q4的基極與所述第三三極管Q3的基極連接，所述第四三極管Q4的集電極與地連接，所述第三三極管Q3的發(fā)射極與所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端連接；

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊103還包括連接于所述第一三極管Q1的發(fā)射極與所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端之間的第一二極管D1；其中，所述第一三極管Q1的發(fā)射極與所述第一二極管D1的正極連接，所述第一二極管D1的負極與所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端連接。

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊103還包括第三二極管D3；所述第三二極管D3的正極與所述第一三極管Q1的基極連接，所述第三二極管D3的負極與所述第四三極管Q4的基極連接。

進一步地，所述第一驅(qū)動模塊103還包括：連接于所述第二三極管Q2的集電極與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端的第五電阻R5、連接于所述第一三極管Q1的基極與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端的第六電阻R6、連接于所述第四三極管Q4的基極與地之間的第七電阻R7、連接于所述第三三極管Q3的發(fā)射極與地之間的第八電阻R8、連接于所述第一二極管D1的負極與所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端的第九電阻R9和連接于所述第二三極管Q2的發(fā)射極與地之間的第五二極管D5。

如圖6所示，圖6是本發(fā)明提供的同步整流互鎖電路的第二驅(qū)動模塊104的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；所述第二驅(qū)動模塊104還包括第五三極管Q5、第六三極管Q6、第七三極管Q7和第八三極管Q8；

所述第五三極管Q5的發(fā)射極與所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端連接，所述第五三極管Q5的集電極與所述第五三極管Q5的基極連接，所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2與所述第五三極管Q5的基極連接，所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2還與所述第六三極管Q6的集電極連接，所述第六三極管Q6的發(fā)射極與地連接，所述第六三極管Q6的基極與所述第五三極管Q5的基極連接；

所述第七三極管Q7的基極與所述第六三極管Q6的集電極連接，所述第七三極管Q7的集電極與所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2連接，所述第七三極管Q7的發(fā)射極與所述第八三極管Q8的發(fā)射極連接，所述第八三極管Q8的基極與所述第七三極管Q7的基極連接，所述第八三極管Q8的集電極與地連接，所述第七三極管Q7的發(fā)射極與所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端連接。

進一步地，所述第二驅(qū)動模塊104還包括連接于所述第五三極管Q5的發(fā)射極與所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端之間的第二二極管D2；其中，所述第五三極管Q5的發(fā)射極與所述第二二極管D2的正極連接，所述第二二極管D2的負極與所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端連接。

進一步地，所述第二驅(qū)動模塊104還包括第四二極管D4；所述第四二極管D4的正極與所述第五三極管Q5的基極連接，所述第四二極管D4的負極與所述第八三極管Q8的基極連接。

進一步地，所述第二驅(qū)動模塊104還包括：連接于所述第六三極管Q6的集電極與所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2的第十電阻R10、連接于所述第五三極管Q5的基極與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端VCC2的第十一電阻R11、連接于所述第八三極管Q8的基極與地之間的第十二電阻R12、連接于所述第七三極管Q7的發(fā)射極與地之間的第十三電阻R13、連接于所述第二二極管D2的負極與所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端的第十四電阻R14和連接于所述第六三極管Q6的發(fā)射極與地之間的第六二極管D6。

以下將結(jié)合圖2、圖5和圖6描述在第一驅(qū)動模塊103和第二驅(qū)動模塊104為第一種實施方式時同步整流回路的工作原理：

當變壓器T1傳遞到其副邊的第一整流輸入端VS1為高電平、第二整流輸入端VS2為低電平時，第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端檢測到第一整流輸入端VS1為高電平，第一三極管Q1截止，第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端VCC2通過第六電阻R6接到第二三極管Q2、以及電源輸入端VCC2通過第五電阻R5接到第二三極管Q2的集電極，使得第二三極管Q2導(dǎo)通，進而第三三極管Q3和第四三極管Q4的基極相連的網(wǎng)絡(luò)點(第一控制輸出端A-Clock)為低電平，第三三極管Q3不導(dǎo)通，因而第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端下拉至低電平，使得第一專用功率MOSFET截止；第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端檢測到第二整流輸入端VS2為低電平，第五三極管Q5導(dǎo)通，此時為第二驅(qū)動模塊104供電的電源輸入端VCC2通過第十一電阻R11、第五三極管Q5的基極和發(fā)射極、第二二極管D2再接到驅(qū)動檢測端的低電平，使得第五三極管Q5的基極電壓被嵌位在低電平，而由于第六三極管Q6的基極與第五三極管Q5的基極相連，第六三極管Q6的基極電壓也嵌位在低電平，使得第六三極管Q6截止，此時，第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2通過第十電阻R10接到第七三極管Q7的基極和第八三極管Q8的基極相連的網(wǎng)絡(luò)點(第二控制輸出端B-Clock)為高電平，進而第七三極管Q7導(dǎo)通，第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端為高電平，使得第二專用功率MOSFET導(dǎo)通。

同理，當變壓器T1傳遞到其副邊的第一整流輸入端VS1為低電平、第二整流輸入端VS2為高電平時，對于第一驅(qū)動模塊103，第一三極管Q1導(dǎo)通、第二三極管Q2截止，使得第一控制輸出端A-Clock為高電平，第三三極管Q3導(dǎo)通，第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端為高電平，使第一專用功率MOSFET導(dǎo)通；對于第二驅(qū)動模塊104，第五三極管Q5截止，第六三極管Q6導(dǎo)通，使得第二控制輸出端B-Clock為低電平，第七三極管Q7截止，第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端為低電平，使得第二專用功率MOSFET截止。

從而，結(jié)合上述描述可知，在上述第一種實施方式中，結(jié)合圖3和圖4提供的第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的實施方式，則與第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106連接的兩個端點，即第一控制輸出端A-Clock和第二控制輸出端B-Clock在上述第一種實施方式提供的電路中的位置為：所述第一驅(qū)動模塊103的第一控制輸出端A-Clock為所述第一驅(qū)動模塊103的第三三極管Q3的基極；所述第二驅(qū)動模塊104的第二控制輸出端B-Clock為所述第二驅(qū)動模塊104的第七三極管Q7的基極。

結(jié)合圖3和圖4提供的第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的工作原理可知：當?shù)谝换ユi模塊105與第一驅(qū)動模塊103連接的第一控制輸出端A-Clock為低電平時，第一互鎖模塊105控制第一開關(guān)管Q1截止，則第二控制輸出端B-Clock的電平上拉至高電平；而第一控制輸出端A-Clock為高電平時，第一互鎖模塊105控制第一開關(guān)管Q1導(dǎo)通，則第二控制輸出端B-Clock的電平下拉至地，為低電平。

另一方面，當?shù)诙ユi模塊106與第二驅(qū)動模塊104連接的第二控制輸出端B-Clock為高電平時，第二互鎖模塊106控制第二開關(guān)管Q2導(dǎo)通，則第二控制輸出端B-Clock的電平下拉至低電平；而第二控制輸出端B-Clock為低電平時，第二互鎖模塊106控制第二開關(guān)管Q2截止，則第二控制輸出端B-Clock的電平上拉至高電平。

因而，始終控制第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端與第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端的輸出電平相異，從而控制第一專用功率MOSFET和第二專用功率MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)相異，避免同步整流回路中的兩個MOSFET共通。

在第二種實施方式中，所述第一驅(qū)動模塊103和所述第二驅(qū)動模塊104的電路結(jié)構(gòu)如下：

如圖7所示，圖7是本發(fā)明提供的同步整流電路的第一驅(qū)動模塊103的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；所述第一驅(qū)動模塊103包括第九三極管Q9、第十三極管Q10、第十一三極管Q11、第十二三極管Q12、第十五電阻R15、第十六電阻R16、第十七電阻R17、第十八電阻R18、第十九電阻R19、第二十電阻R20和第二十一電阻R21；

所述第九三極管Q9的集電極與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端VCC2連接，所述第九三極管Q9的基極通過所述第十五電阻R15與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端VCC2連接，所述第九三極管Q9的發(fā)射極與所述第十三極管Q10的發(fā)射極連接，所述第十三極管Q10的集電極接地，所述第十三極管Q10的基極與所述第九三極管Q9的基極連接，且所述第十三極管Q10的基極還通過所述第十七電阻R17與地連接，所述第九三極管Q9的發(fā)射極通過所述第十九電阻R19與地連接；

所述第十一三極管Q11的集電極與所述第九三極管Q9的基極連接，所述第十一三極管Q11發(fā)射極通過所述第十八電阻R18與地連接，所述第十一三極管Q11的基極與所述第十二三極管Q12的基極連接，所述第十二三極管Q12的發(fā)射極通過所述第十六電阻R16與所述第一驅(qū)動模塊103的電源輸入端VCC2連接，所述第十二三極管Q12的基極與所述第十二三極管Q12的發(fā)射極連接，所述第十二三極管Q12的集電極通過所述第二十電阻R20與所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端連接，所述第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端通過所述第二十一電阻R21與所述第九三極管Q9的發(fā)射極連接；

如圖8所示，圖8是本發(fā)明提供的同步整流電路的第二驅(qū)動模塊104的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；所述第二驅(qū)動模塊104還包括第十三三極管Q13、第十四三極管Q14、第十五三極管Q15、第十六三極管Q16、第二十二電阻R22、第二十三電阻R23、第二十四電阻R24、第二十五電阻R25、第二十六電阻R26、第二十七電阻R27和第二十八電阻R28；

所述第十三三極管Q13的集電極與所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2連接，所述第十三三極管Q13的基極通過所述第二十二電阻R22與所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2連接，所述第十三三極管Q13的發(fā)射極與所述第十四三極管Q14的發(fā)射極連接，所述第十四三極管Q14的集電極接地，所述第十四三極管Q14的基極與所述第十三三極管Q13的基極連接，且所述第十四三極管Q14的基極還通過所述第二十四電阻R24與地連接，所述第十三三極管Q13的發(fā)射極通過所述第二十六電阻R26與地連接；

所述第十五三極管Q15的集電極與所述第十三三極管Q13的基極連接，所述第十五三極管Q15發(fā)射極通過所述第二十五電阻R25與地連接，所述第十五三極管Q15的基極與所述第十六三極管Q16的基極連接，所述第十六三極管Q16的發(fā)射極通過所述第二十三電阻R23與所述第二驅(qū)動模塊104的電源輸入端VCC2連接，所述第十六三極管Q16的基極與所述第十六三極管Q16的發(fā)射極連接，所述第十六三極管Q16的集電極通過所述第二十七電阻R27與所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端連接，所述第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端通過所述第二十八電阻R28與所述第十三三極管Q13的發(fā)射極連接；

以下將結(jié)合圖2、圖7和圖8描述在第一驅(qū)動模塊103和第二驅(qū)動模塊104為第二種實施方式時同步整流回路的工作原理：

當變壓器T1傳遞到其副邊的第一整流輸入端VS1為高電平、第二整流輸入端VS2為低電平時，第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動檢測端檢測到第一整流輸入端VS1為高電平，第十二三極管Q12截止，第十一三極管Q11導(dǎo)通，使得第九三極管Q9和第十三極管Q10的基極連接網(wǎng)絡(luò)點(第一控制輸出端A-Clock)拉至低電平，進而第九三極管Q9截止，第十三極管Q10導(dǎo)通，導(dǎo)致第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端下拉至低電平，使得第一專用功率MOSFET截止；而第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動檢測端檢測到第二整流輸入端VS2為低電平，第十六三極管Q16導(dǎo)通，而第十五三極管Q15截止，使得第十三三極管Q13和第十四三極管Q14的基極連接網(wǎng)絡(luò)(第二控制輸出端B-Clock)拉至高電平，進而第十三三極管Q13導(dǎo)通，第十四三極管Q14截止，導(dǎo)致第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端上拉至高電平，使得第二專用功率MOSFET導(dǎo)通。

同理，當變壓器T1傳到其副邊的第一整流輸入端VS1為低電平、第二整流輸入端VS2為高電平時，第一驅(qū)動模塊103的第一控制輸出端A-Clock為高電平，使得其驅(qū)動輸出端為高電平，進而第一專用功率MOSFET導(dǎo)通；而第二驅(qū)動模塊104的第二控制輸出端B-Clock為低電平，進而第二專用功率MOSFET截止。

從而，結(jié)合上述描述可知，在上述第二種實施方式中，結(jié)合圖3和圖4提供的第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的實施方式，則與第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106連接的兩個端點，即第一控制輸出端A-Clock和第二控制輸出端B-Clock在上述第二種實施方式提供的電路中的位置為：，所述第一驅(qū)動模塊103的第一控制輸出端A-Clock為所述第一驅(qū)動模塊103的第九三極管Q9的基極；所述第二驅(qū)動模塊104的第二控制輸出端B-Clock為所述第二驅(qū)動模塊104的第十三三極管Q13的基極。

結(jié)合圖3和圖4提供的第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106的工作原理可知：

當?shù)谝换ユi模塊105與第一驅(qū)動模塊103連接的第一控制輸出端A-Clock為低電平時，第一互鎖模塊105控制第一開關(guān)管Q1截止，則第二控制輸出端B-Clock的電平上拉至高電平；而第一控制輸出端A-Clock為高電平時，第一互鎖模塊105控制第一開關(guān)管Q1導(dǎo)通，則第二控制輸出端B-Clock的電平下拉至地，為低電平。

另一方面，當?shù)诙ユi模塊106與第二驅(qū)動模塊104連接的第二控制輸出端B-Clock為高電平時，第二互鎖模塊106控制第二開關(guān)管Q2導(dǎo)通，則第二控制輸出端B-Clock的電平下拉至低電平；而第二控制輸出端B-Clock為低電平時，第二互鎖模塊106控制第二開關(guān)管Q2截止，則第二控制輸出端B-Clock的電平上拉至高電平。

因而，始終控制第一驅(qū)動模塊103的驅(qū)動輸出端與第二驅(qū)動模塊104的驅(qū)動輸出端的輸出電平相異，從而控制第一專用功率MOSFET和第二專用功率MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)相異，避免同步整流回路中的兩個MOSFET共通。

實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果：

本發(fā)明實施例提供的同步整流互鎖電路，在同步整流回路中提供第一互鎖模塊105和第二互鎖模塊106；其中，同步整流回路包括驅(qū)動第一整流模塊101的專用功率MOSFET工作的第一驅(qū)動模塊103和驅(qū)動第二整流模塊102的專用功率MOSFET工作的第二驅(qū)動模塊104，則第一互鎖模塊105通過檢測第一驅(qū)動模塊103的用于控制第一驅(qū)動模塊103輸出的電平的第一控制輸出端A-Clock的電平，然后根據(jù)第一控制輸出端A-Clock的電平使得第二驅(qū)動模塊104的用于控制第二驅(qū)動模塊104輸出的電平的第二控制輸出端B-Clock的電平異于檢測到第一控制輸出端A-Clock的電平，同理，第二互鎖模塊106也控制第一控制輸出端A-Clock異于檢測到的第二檢測是輸出端的電平，兩者互相配合，始終將同步整流回路中的兩專用功率MOSFET工作狀態(tài)相異，即只有一個專用功率MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory，ROM)或隨機存儲記憶體(Random Access Memory，RAM)等。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。