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一種減少瞬變電磁關(guān)斷時間的裝置及其方法與流程

文檔序號:12889561閱讀:889來源:國知局
一種減少瞬變電磁關(guān)斷時間的裝置及其方法與流程

本發(fā)明具體涉及一種減少瞬變電磁關(guān)斷時間的裝置及其方法,屬于瞬變電磁法技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

瞬變電磁tem(transientelectromagnetic)是金屬礦勘探的首選方法之一,磁性源tem要求發(fā)射線圈電流的變化瞬間完成,但實際施工中由于線圈電感與發(fā)射電流的影響,激勵場的關(guān)斷需要一定的時間。關(guān)斷時間主要受一下幾個參數(shù)影響:回線,限流電阻,發(fā)射電壓,發(fā)射電流。當前常用的發(fā)射機關(guān)斷時間普遍100us-300us之間。因此,關(guān)斷效應(yīng)tem資料中產(chǎn)生的影響不可忽略,其主要影響瞬變場早期,表現(xiàn)為響應(yīng)值過低,使視電阻率增大,并隨著關(guān)斷時間的增大,影響越大。

在數(shù)據(jù)處理時,必須進行關(guān)斷時間校正處理,盡可能消除關(guān)斷時間對早期道數(shù)據(jù)的影響。通常采用坐標移動法、解析法、數(shù)值計算法等。不同工區(qū),不同儀器,這幾種方法適應(yīng)性不好,需要進行修正,各種方法都存在一定誤差。

目前國內(nèi)對早期關(guān)斷的研究主要在集中在關(guān)斷時間的影響,并且tem儀器記錄的幾乎都是晚期信號,或者在數(shù)據(jù)處理時僅采用了晚期信號,這樣不但損失了tem探測淺部結(jié)構(gòu)的能力,還由于關(guān)斷電流的影響使瞬變響應(yīng)發(fā)生畸變,從而降低了tem的分辨能力。

在儀器研制方面,有學(xué)者通過匹配電阻消除關(guān)斷電流晚期振蕩現(xiàn)象,通過引入瞬態(tài)電壓抑制二極管(tvs),在發(fā)射電流為10a,線圈電感為0.6mh,發(fā)射電壓為12v的條件下,實現(xiàn)了關(guān)斷時間從300us降低到140us的目的。關(guān)斷時間仍然非常大。

對于發(fā)射線圈,假設(shè)其電阻為r,電感為l,發(fā)射電壓為u,那么發(fā)射線圈的開通電流波形為:

關(guān)斷電流波形為:

則關(guān)斷電流變化率為:

關(guān)斷時間為:

可見,電流關(guān)斷時間與發(fā)射電壓,線圈電阻,線圈電感有關(guān),電阻越大,電壓越小,線圈電感越小,則關(guān)斷電流越快。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

因此,為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題,提供一種減少瞬變電磁關(guān)斷時間的裝置及其方法,主要的設(shè)計思路為:

通過一些技術(shù)消除關(guān)斷時間的影響,從源頭上解決問題。

關(guān)斷時間效應(yīng)是由于發(fā)射線圈存在電感導(dǎo)致的,還與儀器發(fā)射電壓,限流電阻等參數(shù)有關(guān)。本發(fā)明通過以下幾個技術(shù)實現(xiàn)了這個目標:

1、引入一個輔助線圈,在主發(fā)射線圈關(guān)斷的時候,輔助線圈產(chǎn)生一個相反的磁場,從而抵消主發(fā)射線圈關(guān)斷時間期間產(chǎn)生的磁場,從而加快一次場的消除。

2、引入同步比較方法,在輔助線圈產(chǎn)生的電流與主發(fā)射線圈電流相等的時候,關(guān)閉輔助線圈,依據(jù)負載模型,此后主發(fā)射線圈與輔助線圈的電流大小接近相等,方向相反,從而抵消了一次場。

3、輔助線圈開通電壓大于關(guān)閉電壓,且關(guān)閉電壓等于主發(fā)射線圈電壓,從而加快一次場的抵消時間。

通過本發(fā)明專利,一次場的關(guān)斷時間可以把幾百微秒降低到幾時微秒的水平。理想的結(jié)果可以降到10微秒到50微秒之間。

具體的,本發(fā)明提供的減少瞬變電磁關(guān)斷時間的裝置,包括主發(fā)射線圈,主發(fā)射線圈連接主發(fā)射線圈發(fā)射橋,所述裝置還包括輔助線圈,輔助線圈與主發(fā)射線圈規(guī)格相同,輔助線圈連接輔助線圈發(fā)射橋,輔助線圈的關(guān)閉電壓與主發(fā)射線圈的關(guān)閉電壓相同,主發(fā)射線圈與輔助線圈的距離滿足以下條件:

主發(fā)射線圈與輔助線圈緊密貼近,相互耦合且主發(fā)射線圈與輔助線圈的自感及互感均相等。

進一步的,所述主發(fā)射線圈發(fā)射橋包括四個igbt開關(guān)管構(gòu)成的h逆變橋,每個igbt開關(guān)管并聯(lián)一個吸收電容。

進一步的,所述輔助線圈發(fā)射橋包括四個igbt開關(guān)管構(gòu)成的h逆變橋,每個igbt開關(guān)管并聯(lián)一個吸收電容。

進一步的,所述輔助線圈的發(fā)射電壓等于兩倍的主發(fā)射線圈的發(fā)射電壓。

本發(fā)明還提供了利用上述裝置實現(xiàn)的減少瞬變電磁關(guān)斷時間的方法,所述方法為:

輔助線圈在主發(fā)射線圈關(guān)閉電流的時候,流過相反方向的電流,從而使得合成的磁場相互抵消,等效關(guān)閉電流獲得快速下降,當主發(fā)射線圈的電流下降到與輔助線圈上升電流相等的時候,關(guān)閉輔助線圈,主發(fā)射線圈與輔助線圈的關(guān)閉電壓一致,主發(fā)射線圈與輔助線圈的電流大小接近相等,方向相反,等效電流接近為零,降低瞬變電流的關(guān)閉時間。

本發(fā)明的有益效果在于:通過本發(fā)明提供的裝置及方法,可以大大縮短tem發(fā)射線圈電流的等效關(guān)斷時間。從傳統(tǒng)的幾百us縮短到幾十us,為tem電法勘探提供較理想的磁性源。

該方法的優(yōu)點在于,實現(xiàn)方法簡單方便,只要在原來線圈的基礎(chǔ)上,在放一個同樣規(guī)格的輔助線圈,配備相應(yīng)輔助線圈的驅(qū)動方法,就可以獲得理想結(jié)果。

附圖說明

圖1是本發(fā)明裝置的主電路拓撲結(jié)構(gòu)圖;

圖2是本發(fā)明減少瞬變電磁關(guān)斷時間的減小電流關(guān)閉實現(xiàn)示意圖;

圖3為主發(fā)射橋與輔發(fā)射橋的發(fā)射電壓波形圖;

圖4為系統(tǒng)仿真示意圖;

圖5為主發(fā)射線圈與輔助線圈的發(fā)射電壓波形圖;

圖6為主發(fā)射線圈和輔助線圈的發(fā)射電流波形圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進行說明:

本發(fā)明專利包括兩個線圈,一個主發(fā)射線圈,一個輔助線圈,分別接到兩個不同的發(fā)射橋,且兩個線圈距離很近,如圖1所示,圖1中包括,主發(fā)射線圈1、輔助線圈2、主發(fā)射線圈發(fā)射橋3、輔助線圈發(fā)射橋4。

1)主發(fā)射線圈發(fā)射橋3

主發(fā)射線圈發(fā)射橋3為s11、s12、s13和s14四個igbt開關(guān)管構(gòu)成的h逆變橋,每個igbt開關(guān)管并聯(lián)一個吸收電容,設(shè)s11與s13導(dǎo)通,s12與s14關(guān)斷發(fā)射正電壓,那么s11與s13關(guān)斷,s12與s14導(dǎo)通就發(fā)射負電壓。

2)輔助線圈發(fā)射橋4

輔助線圈發(fā)射橋4為s21、s22、s23和s24四個igbt開關(guān)管構(gòu)成的h逆變橋,每個igbt開關(guān)管并聯(lián)一個吸收電容,設(shè)s21與s23導(dǎo)通,s22與s24關(guān)斷發(fā)射正電壓,那么s21與s23關(guān)斷,s22與s24導(dǎo)通就發(fā)射負電壓。

3)主發(fā)射線圈1與輔助線圈2

主發(fā)射線圈1的作用相當于常規(guī)tem發(fā)射線圈,輔助線圈2在主發(fā)射線圈關(guān)閉電流的時候,流過相反方向的電流。由于主發(fā)射線圈1在關(guān)閉的時候,輔助線圈2通過了一個相反的電流,從而使得合成的磁場相互抵消,等效關(guān)閉電流獲得快速下降,當主發(fā)射線圈1的電流下降到與輔助線圈2上升電流相等的時候,關(guān)閉輔助線圈2,如果主發(fā)射線圈1與輔助線圈2的關(guān)閉電壓一致,那么根據(jù)公式3可知,此后,主發(fā)射線圈1與輔助線圈2的電流大小接近相等,方向相反,等效電流接近為零,從而大大降低了瞬變電流的關(guān)閉時間。

主發(fā)射線圈1與輔助線圈2的電流與等效關(guān)閉電流如圖2所示,圖2中包括主發(fā)射線圈關(guān)閉電流5、輔助線圈關(guān)閉電流6、等效關(guān)閉電流7。

主發(fā)射線圈發(fā)射橋3與輔助線圈發(fā)射橋4的發(fā)射電壓波形如圖3所示,圖3中從上至下依次為主發(fā)射線圈發(fā)射橋發(fā)射電壓波形、輔助發(fā)射橋發(fā)射電壓波形、輔助線圈電流波形、主發(fā)射線圈電流波形、接收線圈信號波形,虛線左側(cè)為一次場信號,虛線右側(cè)為二次場信號。

根據(jù)公式1與公式2,輔助線圈的發(fā)射電壓的為主發(fā)射線圈的2倍,則輔助線圈的電流增量等于主發(fā)射線圈的電流降量,而關(guān)閉電壓與主發(fā)射線圈電壓相等,則確保主發(fā)射線圈與輔助線圈的電流大小接近相等,方向相反,實現(xiàn)等效電流接近為零的目的。

可見為了減小等效關(guān)閉電流時間,可以是提高輔助線圈的發(fā)射電壓,但是提高發(fā)射電壓后,設(shè)計系統(tǒng)的復(fù)雜度增加,通常采用2倍發(fā)射電壓。

設(shè)輔助線圈開通電壓為a倍主發(fā)射線圈發(fā)射電壓u,關(guān)閉電壓為u,線圈電阻為r,線圈等效電感為lm(包括主輔助線圈互感與自感),根據(jù)互感與自感的定義,由于只要兩個線圈緊耦合,則可以認為他們的自感與互感都相等。那么等效電流關(guān)閉時間為:

此時主發(fā)射線圈的電流為:

如果輔助線圈的關(guān)閉電壓也為u,則此后輔助線圈的關(guān)斷電流為:

則輔助線圈的關(guān)斷電流變化率為:

由于

所以輔助線圈電流的變化比主發(fā)射線圈的變化慢,從而導(dǎo)致等效關(guān)閉電流又有一個不等于零的余量,緩慢下降到零,由于這個余量電流很小,且變化緩慢,對應(yīng)一次場接收線圈感應(yīng)出來的信號很小,可以忽略不計。從而實現(xiàn)輔助線圈關(guān)閉后,等效關(guān)閉電流為零的目的。a越大,等效關(guān)斷電流越理想。

建立如圖4所示的仿真系統(tǒng)。

圖4中,左側(cè)為主發(fā)射模塊,右側(cè)為輔助發(fā)射模塊。設(shè)主發(fā)射線圈發(fā)射電壓為24v,電阻為r=3ω,等效電感為lm=0.5mh,輔助線圈發(fā)射電壓為48v,關(guān)閉電壓為24v,電阻為r=3ω,等效電感為lm=0.5mh,即兩個線圈參數(shù)相同。

主發(fā)射線圈與輔助線圈發(fā)射電壓波形如圖5所示。

當主發(fā)射線圈關(guān)閉電流的時候,其電壓變成負極性,而輔助線圈電壓也為負,產(chǎn)生反向增加的電流,當主發(fā)射線圈電流等于輔助線圈電流時,關(guān)閉輔助線圈,此時,輔助線圈電壓變成正極性,直到主發(fā)射線圈和輔助線圈電流為零后,主發(fā)射線圈和輔助線圈電壓為都為零。

如圖6所示為主發(fā)射線圈和輔助線圈的發(fā)射電流波形,圖6中包括主發(fā)射線圈關(guān)斷電流8,輔助線圈關(guān)斷電流9等效關(guān)斷電流10。

當主發(fā)射線圈關(guān)閉后,電流類似線性下降,打開輔助開關(guān)通過相反方向的電流,當輔助線圈電流等于主發(fā)射線圈電流的時候,等效關(guān)斷電流達到零,此時,關(guān)閉輔助線圈,如果主發(fā)射線圈與輔助線圈的關(guān)閉電壓一致,那么根據(jù)公式3可以獲得,此后,主發(fā)射線圈與輔助線圈的電流大小接近相等,方向相反,等效電流接近為零,從而大大降低了瞬變電流的關(guān)閉時間。

由仿真結(jié)果可以看出,沒有輔助線圈的條件下,電流關(guān)斷時間達到110us,采用輔助線圈后,等效電流關(guān)斷時間縮短到了50us左右,大大降低了電流關(guān)斷時間,獲得了理想結(jié)果。理論上,通過改變合適的輔助線圈導(dǎo)通電壓,用上面的方法可以把關(guān)斷時間減小到更小,只要有不同組合的電壓給輔助線圈用于其開通與關(guān)斷以及合適的衰減電阻,但是,受到實際發(fā)射機的電壓以及發(fā)射電流的限制。對于比較理想的控制參數(shù)條件下,通過系統(tǒng)的調(diào)試,這個等效電流關(guān)斷時間可以控制在10-50us的水平。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。

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