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一種采用P?MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路的制作方法

文檔序號:11607414閱讀:778來源:國知局
一種采用P?MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路的制造方法與工藝

本實用新型涉及高端驅(qū)動,特別涉及一種采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路。



背景技術(shù):

現(xiàn)有高端驅(qū)動輸出一般采用的開關(guān)功率管為P型MOSFET,因為相比N-MOSFET其驅(qū)動電路簡單,但缺點是其短路保護電路復(fù)雜,現(xiàn)有技術(shù)一般采用電阻采樣,控制比較器輸出來關(guān)斷P-MOSFET驅(qū)動。除此之外,現(xiàn)有技術(shù)缺點是當(dāng)驅(qū)動輸出負載發(fā)生短路時不能有效地關(guān)端驅(qū)動電路,這樣會造成輸出驅(qū)動處于間斷性開關(guān)狀態(tài),P-MOSFET將受到連續(xù)的大電流沖擊,不能有效地關(guān)端驅(qū)動電路。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型目的是:提供一種可靠性高、功耗低、電路簡潔,成本較低的高端驅(qū)動輸出短路保護方案。

本實用新型的技術(shù)方案是:

一種采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路,包括P-MOSFET驅(qū)動管Q10,直流電源Vin通過電阻R53連接驅(qū)動管Q10的s極為高端驅(qū)動輸出提供直流電源,Q10的d極為負載輸出端,s極與g極之間連接有電阻R62,電阻R53兩端分別連接了三極管Q11的b、e極,三極管Q11的c極連接Q10的g極;

所述Q10的負載輸出端還通過依次串聯(lián)的電阻R32、電容C20接地,R32與C20之間的連接點連接到單片機,單片機通過開關(guān)三極管Q8連接Q10的g極。

所述電阻R53兩端的三極管Q11的b、e極分別連接Q10的s極和直流電源Vin。

所述三極管Q8基極連接單片機,發(fā)射極接地,集電極通過電阻R49連接Q10的g極。

所述驅(qū)動管Q10的s極與g極間還連接有穩(wěn)壓管。

本實用新型的優(yōu)點是:

本實用新型所提供的采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路,可以有效地實現(xiàn)高端驅(qū)動的輸出短路保護,可靠性高、功耗低、電路簡潔,成本較低。

附圖說明

下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:

圖1為本實用新型所述的采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路的原理圖;

圖2為本實用新型的一種實施電路原理圖。

具體實施方式

實施例:

如圖1所示,本實用新型所揭示的采用P-MOS作為高端驅(qū)動輸出的短路保護電路,包括P-MOSFET驅(qū)動管Q10,直流電源Vin通過電阻R53連接驅(qū)動管Q10的s極,Q10的d極為負載輸出端,s極與g極之間連接有電阻R62,電阻R53兩端分別連接了三極管Q11的b、e極,三極管Q11的c極連接Q10的g極,所述三極管Q11的b、e極分別連接Q10的s極和直流電源Vin。Vin為高端驅(qū)動輸出提供直流電源,流過Q10的電流等于R53流過的電流,當(dāng)R53兩端的電壓超過0.7V時,Q11的b、e極就可以導(dǎo)通了,使Q10的驅(qū)動電壓Vgs為0,從而Q10被關(guān)斷。以上過程達到了過流保護作用,但是當(dāng)關(guān)斷Q10后,流過R53的電流快速減小到0,Q11被截止,進而Q10又被導(dǎo)通,驅(qū)動管Q10處于間斷性開關(guān)狀態(tài),不能有效地關(guān)斷驅(qū)動輸出。

現(xiàn)方案將同時對輸出端的電平進行循環(huán)檢測,所述Q10的負載輸出端還通過依次串聯(lián)的電阻R32、電容C20接地,R32與C20之間的連接點連接到單片機,當(dāng)驅(qū)動輸出負載發(fā)生短路時,單片機將通過R32檢測到輸出端口電平為低(沒發(fā)生短路時是高電平),單片機通過開關(guān)三極管Q8連接Q10的g極,從而單片機將通過關(guān)斷Q8來關(guān)斷Q10,所述三極管Q8基極連接單片機,發(fā)射極接地,集電極通過電阻R49連接Q10的g極。本方案可以通過調(diào)節(jié)R53電阻的阻值來設(shè)定輸出過流保護點。

圖2為一款電轉(zhuǎn)向控制器里的高端驅(qū)動電路的實施電路圖,額定驅(qū)動輸出電流為1.5A(由于防反接二極管D5封裝的限制),過流保護點為5.18A。

J1-1輸出給電動叉車主接觸器線圈的高端,邏輯電路鑰匙開關(guān)KSI為高端驅(qū)動提供直流電源, 通過防反接二極管D5接入,驅(qū)動管選用了IR公司的IRFR5410。這是一顆驅(qū)動電壓為20V,漏極電流為13A,導(dǎo)通電阻為205mΩ,TO-252封裝的P-MOSFET, 其導(dǎo)通功耗低,抗電流沖擊能力強,保護性能可靠。所述驅(qū)動管Q10的s極與g極間還連接有穩(wěn)壓管D14。該方案可以有效地實現(xiàn)高端驅(qū)動的輸出短路保護,可靠性高、功耗低、電路簡潔,成本較低。

上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型主要技術(shù)方案的精神實質(zhì)所做的修飾,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。

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