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一種PFC電路及充電機(jī)的制作方法

文檔序號:11562690閱讀:358來源:國知局
一種PFC電路及充電機(jī)的制造方法與工藝

本實用新型涉及電路結(jié)構(gòu),尤其涉及一種PFC電路及充電機(jī)。



背景技術(shù):

電動汽車的充電裝置無論是車載充電機(jī)還是直流充電樁,其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中都離不開有源功率校正電路(簡稱PFC電路)。PFC電路是交流電轉(zhuǎn)直流電的重要環(huán)節(jié),它可以保證電源在開關(guān)轉(zhuǎn)換時不影響電網(wǎng)的質(zhì)量、減小電流諧波的畸變、減少開關(guān)電源在工作時產(chǎn)生的無功功率。

大多數(shù)充電機(jī)內(nèi)的PFC電路是由整流橋+BOOST電路組合結(jié)構(gòu),此種電路結(jié)構(gòu)雖然穩(wěn)定,但是所使用的元器件多,失效率就相對較高,并且兩級串聯(lián)所產(chǎn)生的損耗較多。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型實施例中提供一種PFC電路及充電機(jī),以解決現(xiàn)有技術(shù)中PFC電路所使用的元器件多,失效率相對較高,且電路損耗較多的問題。

為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型實施例采用如下技術(shù)方案:

一方面,本實用新型實施例提供一種有源功率校正PFC電路,包括:

交流電源、電感器、電容器及高頻開關(guān)的第一MOS管及第二MOS管,工頻開關(guān)的第三MOS管及第四MOS管;

所述第一MOS管與所述第二MOS管串聯(lián)形成圖騰柱式輸出電路,其中,所述第一MOS管的漏極與所述第三MOS管的漏極連接,所述第三MOS管的源極與所述第四MOS管的漏極連接,所述第四MOS管的源極與所述第二MOS管的源極連接,所述第二MOS管的漏極與所述第一MOS管的源極連接;

所述電感器的第一端連接至所述交流電源的第一端,所述電感器的第二端連接至所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極之間,所述交流電源的第二端連接至所述第三MOS管的源極與所述第四MOS管的漏極之間,所述電容器的第一端連接至所述第三MOS管的漏極,所述電容器的第二端連接至所述第四MOS管的源極。

可選地,在所述交流電源的輸出電壓處于正半周期時,所述第三MOS管關(guān)斷,所述第四MOS管導(dǎo)通;在所述交流電源的輸出電壓處于負(fù)半周期時,所述第三MOS管關(guān)斷,所述第四MOS管導(dǎo)通。

可選地,所述第一MOS管及第二MOS管的開關(guān)頻率為50kHZ。

可選地,所述第三MOS管及第四MOS管的開關(guān)頻率為50HZ。

可選地,所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管均為P溝道增強(qiáng)型MOS管。

可選地,所述第一MOS管與所述第二MOS管均為碳化硅MOS管。

可選地,所述第三MOS管與所述第四MOS管均為硅MOS管。

另一方面,本實用新型實施例還提供一種充電機(jī),所述充電機(jī)包括如上所述的PFC電路。

本實用新型的一個或多個實施例具有以下有益效果:

本實用新型的電路結(jié)構(gòu)中,電路運作過程中控制方式為圖騰柱式的控制方式,第一MOS管和第二MOS管間的配合形成硬開關(guān)模式,提高開關(guān)特性,整體形成為H橋結(jié)構(gòu)的無橋PFC拓?fù)潆娐?,適應(yīng)于雙向車載充電機(jī)的應(yīng)用電路中,使電動汽車可以實現(xiàn)V2L(車對負(fù)載)/V2G(車對電網(wǎng))等功能,在實現(xiàn)原有整流橋+BOOST電路的功能的同時,大大減少元器件,節(jié)省成本,降低電路失效率。

附圖說明

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

圖1表示PFC電路的整體結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2表示4顆MOS管的開關(guān)時序圖;

圖3表示交流正半周期內(nèi)電流流向示意圖一;

圖4表示交流正半周期內(nèi)電流流向示意圖二;

圖5表示交流負(fù)半周期內(nèi)電流流向示意圖一;

圖6表示交流負(fù)半周期內(nèi)電流流向示意圖二。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

本實用新型公開一種有源功率校正PFC電路,結(jié)合圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6所示,包括:

交流電源AC、電感器L、電容器C及高頻開關(guān)的第一MOS管Q1及第二MOS管Q2,工頻開關(guān)的第三MOS管Q3及第四MOS管Q4。

該第一MOS管Q1與第二MOS管Q2串聯(lián)形成圖騰柱式輸出電路,其中,所述第一MOS管Q1的漏極與所述第三MOS管Q3的漏極連接,所述第三MOS管Q3的源極與所述第四MOS管Q4的漏極連接,所述第四MOS管Q4的源極與所述第二MOS管Q2的源極連接,所述第二MOS管Q2的漏極與所述第一MOS管Q1的源極連接。

其中,電感器L的第一端連接至所述交流電源AC的第一端,所述電感器L的第二端連接至所述第一MOS管Q1的源極與所述第二MOS管Q2的漏極之間,所述交流電源AC的第二端連接至所述第三MOS管Q3的源極與所述第四MOS管Q4的漏極之間,所述電容器C的第一端連接至所述第三MOS管Q3的漏極,所述電容器C的第二端連接至所述第四MOS管Q4的源極。

本實用新型的電路結(jié)構(gòu)中,第一MOS管Q1與第二MOS管Q2串聯(lián)形成圖騰柱式輸出電路,電路運作過程中控制方式為圖騰柱式的控制方式,第一MOS管Q1和第二MOS管Q2間的配合形成硬開關(guān)模式,提高開關(guān)特性,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3及第四MOS管Q4間形成為H橋結(jié)構(gòu)的無橋PFC拓?fù)潆娐?,該無橋PFC主電路使用4只開關(guān)管,Q1和Q2一直工作高頻硬開關(guān)狀態(tài),四個MOS管電路結(jié)構(gòu)的無橋PFC電路是一種四象限的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可以通過改變驅(qū)動控制實現(xiàn)DCAC逆變功能,以適應(yīng)雙向車載充電機(jī)的應(yīng)用電路中,使電動汽車可以實現(xiàn)V2L(車對負(fù)載)/V2G(車對電網(wǎng))等功能,該電路結(jié)構(gòu),相對于以前整流橋+BOOST電路的PFC電路,在實現(xiàn)原有整流橋+BOOST電路的功能的同時,大大減少元器件,節(jié)省成本,降低電路失效率。

進(jìn)一步地,具體地,在交流電源AC的輸出電壓處于正半周期時,所述第三MOS管Q3關(guān)斷,第四MOS管Q4導(dǎo)通;在交流電源AC的輸出電壓處于負(fù)半周期時,所述第三MOS管Q3關(guān)斷,所述第四MOS管Q4導(dǎo)通。

圖2為4顆MOS管的開關(guān)時序圖,其中,PWM1為Q1的驅(qū)動波形;PWM2為Q2的驅(qū)動波形;PWM3為Q3的驅(qū)動波形;PWM4為Q4的驅(qū)動波形;Uac為交流輸入電壓。第一MOS管Q1及第二MOS管Q2為高頻開關(guān),第三MOS管Q3及第四MOS管Q4為工頻開關(guān)。

當(dāng)交流電源AC電壓被輸入,并且處于L正N負(fù)的正周期內(nèi),Q4工頻開且Q3工頻關(guān)。在交流正半周期內(nèi)(L相大于N相),Q1和Q2高頻開關(guān),組成boost升壓電路。電流流向如圖3和圖4所示。在圖3中,為在0~t1,且Q1關(guān)斷、Q2導(dǎo)通時,交流正周期內(nèi)電感儲存能量。在圖4中,為在0~t1,且Q1導(dǎo)通、Q2關(guān)斷時,交流正周期內(nèi)電感釋放能量給電容充電。

當(dāng)交流電源AC電壓被輸入,并且處于L負(fù)N正的負(fù)周期內(nèi),Q4工頻關(guān)且Q3工頻開。在交流負(fù)半周期(N相大于L相),Q1和Q2高頻開關(guān)。電流流向如圖5和圖6所示。在圖5中,為在t1~t2,且Q1導(dǎo)通、Q2關(guān)斷時,交流負(fù)周期內(nèi)電感儲存能量。在圖6中,為在t1~t2,且Q1關(guān)斷、Q2導(dǎo)通時,交流負(fù)周期內(nèi)電感釋放能量給電容充電。

作為一優(yōu)選的實施方式,其中,第一MOS管Q1及第二MOS管Q2的開關(guān)頻率為50kHZ,以更好地實現(xiàn)高頻硬開關(guān)。對應(yīng)地,該第三MOS管Q3及第四MOS管Q4的開關(guān)頻率為50HZ。

作為一優(yōu)選的實施方式,其中,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3及第四MOS管Q4均為P溝道增強(qiáng)型MOS管。

作為一優(yōu)選的實施方式,其中,第一MOS管Q1與所述第二MOS管Q2均為碳化硅MOS管。

具體的,碳化硅材料器件具有更好導(dǎo)熱特性,耐壓特性,以及碳化硅MOS關(guān)斷時反向恢復(fù)時間及反向恢復(fù)電流很小,所以其關(guān)斷損耗很小,碳化硅MOS的內(nèi)部結(jié)電容和米勒電容都很小,所以其驅(qū)動能耗比普通硅MOS的驅(qū)動能耗要小,開通損耗也較低,碳化硅的耐壓特性好,抗輸入沖擊電壓的性能好,碳化硅材料的耐溫高,導(dǎo)熱特性又好,所以碳化硅器件的高溫失效率低,提高電路中器件的開關(guān)特性和減少開關(guān)損耗,開關(guān)管選用碳化硅MOS管,圖騰柱式控制方式,可以在硬開關(guān)的模式中更能體現(xiàn)出碳化硅MOS的優(yōu)勢。而功率因數(shù)校正技術(shù)是電力電子領(lǐng)域的研究熱點,基于碳化硅器件的無橋PFC電路具有良好的應(yīng)用前景。針對其電路結(jié)構(gòu)和圖騰柱式控制策略進(jìn)行了深入的分析與研究,利用碳化硅器件的許多優(yōu)勢提高無橋PFC的綜合性能和效率。

對應(yīng)地,第三MOS管Q3與第四MOS管Q4均為硅MOS管。Q3和Q4為普通硅MOS管,降低成本。

本實用新型還公開一種充電機(jī),該充電機(jī)包括如權(quán)利上所述的PFC電路。

其中,電容器C的兩端形成電壓輸出端,以對下游電路輸出調(diào)節(jié)后的合適電壓值,以使充電機(jī)具有更好的的性能。

此實用新型中的充電機(jī)的無橋PFC電路拓?fù)淇梢蕴岣叱潆姍C(jī)的效率,使用的元器件比傳統(tǒng)PFC電路要少,同時降低了元器件的失效率,此電路拓?fù)渚哂泻芎玫碾姶偶嫒菪?,此電路拓?fù)錇樗南笙蘅刂?,可以實現(xiàn)充電機(jī)中的雙向充電逆變功能,與現(xiàn)有的技術(shù)方案相比,本電路拓?fù)涞膽?yīng)用,能夠使充電機(jī)減小整機(jī)的體積,提高整機(jī)效率,拓展雙向充電機(jī)的開發(fā)。

以上所述,僅為本實用新型的具體實施方式,但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述,每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處,各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

盡管已描述了本實用新型實施例的優(yōu)選實施例,但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念,則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以,所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型實施例范圍的所有變更和修改。

最后,還需要說明的是,在本實用新型實施例中,諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述的是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通人員來說,在不脫離本實用新型所述的原理前提下還可以作出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

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