1.一種防反接電路，應(yīng)用于充電電路，其特征在于，包括第一可控開(kāi)關(guān)、第二可控開(kāi)關(guān)、第三可控開(kāi)關(guān)以及第四可控開(kāi)關(guān)，其中：
所述第一可控開(kāi)關(guān)的第一端、所述第二可控開(kāi)關(guān)的第一端、所述第三可控開(kāi)關(guān)的控制端以及所述第四可控開(kāi)關(guān)的控制端相互連接，其公共端作為第一輸入端；所述第一可控開(kāi)關(guān)的控制端、所述第二可控開(kāi)關(guān)的控制端、所述第三可控開(kāi)關(guān)的第一端以及所述第四可控開(kāi)關(guān)的第一端相互連接，其公共端作為第二輸入端；所述第一可控開(kāi)關(guān)的第二端與所述第三可控開(kāi)關(guān)的第二端連接，其公共端作為輸出端；所述第二可控開(kāi)關(guān)的第二端與所述第四可控開(kāi)關(guān)的第二端接地；
當(dāng)?shù)谝惠斎攵私与娫凑龢O，第二輸入端接電源負(fù)極時(shí)，所述第一可控開(kāi)關(guān)和所述第四可控開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，所述第二可控開(kāi)關(guān)和所述第三可控開(kāi)關(guān)關(guān)斷；當(dāng)?shù)谝惠斎攵私与娫簇?fù)極，第二輸入端接電源正極時(shí)，所述第二可控開(kāi)關(guān)和所述第三可控開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，所述第一可控開(kāi)關(guān)和所述第四可控開(kāi)關(guān)關(guān)斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防反接電路，其特征在于，所述第一可控開(kāi)關(guān)為第一PMOS，所述第二可控開(kāi)關(guān)為第一NMOS，所述第三可控開(kāi)關(guān)為第二PMOS，所述第四可控開(kāi)關(guān)為第二NMOS；
所述第一PMOS的漏極、源極和柵極分別作為所述第一可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端，所述第一NMOS的漏極、源極和柵極分別作為所述第二可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端，所述第二PMOS的漏極、源極和柵極分別作為所述第三可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端，所述第二NMOS的漏極、源極和柵極分別作為所述第四可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防反接電路，其特征在于，所述第一可控開(kāi)關(guān)為第一PNP型三極管，所述第二可控開(kāi)關(guān)為第一NPN型三極管，所述第三可控開(kāi)關(guān)為第二PNP型三極管，所述第四可控開(kāi)關(guān)為第二NPN型三極管；
所述第一PNP型三極管的發(fā)射極、集電極和基極分別作為所述第一可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端，所述第一NPN型三極管的集電極、發(fā)射極和基極分別作為所述第二可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端，所述第二PNP型三極管的發(fā)射極、集電極和基極分別作為所述第三可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端，所述第二NPN型三極管的集電極、發(fā)射極和基極分別作為所述第四可控開(kāi)關(guān)的第一端、第二端和控制端。
4.一種充電電路，其特征在于，包括蓄能電路以及如權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的防反接電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的充電電路，其特征在于，所述充電電路還包括過(guò)壓保護(hù)電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的充電電路，其特征在于，所述充電電路還包括過(guò)流保護(hù)電路。