本實(shí)用新型屬于電池供電開機(jī)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低功耗的信號控制開機(jī)電路。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備尤其通信電源整流模塊朝著高功率、低成本和低待機(jī)功耗的方向發(fā)展，如何有效的降低電源功耗越來越受到關(guān)注，且目前許多電子設(shè)備具有用電池供電的一鍵開機(jī)電路，一鍵開機(jī)電路存在一定的功耗，長時(shí)間待機(jī)時(shí)電池電量容易損耗，無法滿足電子設(shè)備長時(shí)間待機(jī)的功能，降低了電子設(shè)備的使用率，同時(shí)使用者造成很多不便。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種低功耗的信號控制開機(jī)電路，該低功耗的信號控制開機(jī)電路在控制信號CTL為高電平或者懸空時(shí)，電子開關(guān)PMOS管Q1處于截止?fàn)顟B(tài)，控制信號CTL為低電平時(shí)，電子開關(guān)PMOS管Q1導(dǎo)通，電源輸入端Vin電壓等于電源輸出端Vout電壓，這樣可有效降低電子設(shè)備在長時(shí)間待機(jī)時(shí)對電池電量造成損耗的現(xiàn)象，能夠大大提高了電池的利用時(shí)間。
為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種低功耗的信號控制開機(jī)電路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作為電子開關(guān)的電子開關(guān)電路、用于維持PMOS管Q1導(dǎo)通的導(dǎo)通維持電路和用于保護(hù)電子開關(guān)電路的穩(wěn)壓保護(hù)電路，所述電子開關(guān)電路的輸入端與控制信號CTL連接；
所述電子開關(guān)電路包括作為電子開關(guān)的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1導(dǎo)通或截止的電阻R2、電阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源極和漏極分別與電源輸入端Vin和電源輸出端Vout連接，所述PMOS管Q1的源極與電阻R2一端連接，所述電阻R2另一端經(jīng)電阻R3與所述NMOS管Q2的漏極連接，所述PMOS管Q1的柵極與所述電阻R2和電阻R3的連接端連接，所述控制信號CTL與電阻R3與所述NMOS管Q2的漏極連接端連接，所述NMOS管Q2的柵極與PMOS管Q1的漏極連接，所述NMOS管Q2的源極接地。
本實(shí)用新型的特點(diǎn)還在于：
所述導(dǎo)通維持電路包括電阻R1、電容C1、二極管D1、電阻R4和電阻R5，所述電阻R1并聯(lián)于電阻R2和電阻R3的兩端，所述二極管D1的正極與所述PMOS管Q1的漏極連接，所述二極管D1的負(fù)極與電阻R4一端連接，所述電阻R4另一端與所述NMOS管Q2的柵極連接，所述電阻R4另一端還經(jīng)電阻R5接地，所述電阻R4另一端還經(jīng)電容C1接地。
所述穩(wěn)壓保護(hù)電路包括與所述PMOS管Q1源極和柵極并聯(lián)的反向穩(wěn)壓二極管ZD1。
所述穩(wěn)壓保護(hù)電路還包括與所述電容C1并聯(lián)的反向穩(wěn)壓二極管ZD2。
所述穩(wěn)壓保護(hù)電路還包括與所述NMOS管Q2漏極和源極并聯(lián)的反向二極管D2。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1.本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，控制信號CTL為高電平或者懸空時(shí)，開機(jī)電路處于截止?fàn)顟B(tài)，無回路導(dǎo)通，即電子設(shè)備處于長時(shí)間待機(jī)狀態(tài)時(shí)電池電量無損耗，控制信號CTL為低電平時(shí)，開機(jī)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)，能夠給電子設(shè)備正常供電，這樣有效降低電子設(shè)備在長時(shí)間待機(jī)時(shí)對電池電量造成損耗的現(xiàn)象，提高了電池的利用時(shí)間。
2.本實(shí)用新型的導(dǎo)通維持電路能夠保證控制信號CTL為低電平時(shí)，開機(jī)電路一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，同樣也有效保證電子設(shè)備的正常工作。
綜上所述，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單且操作方便，投入成本少，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，便于操作，使用效果好。
下面通過附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示的一種低功耗的信號控制開機(jī)電路，包括采用PMOS管Q1作為電子開關(guān)的電子開關(guān)電路、用于維持PMOS管Q1導(dǎo)通的導(dǎo)通維持電路和用于保護(hù)電子開關(guān)電路的穩(wěn)壓保護(hù)電路，所述電子開關(guān)電路的輸入端與控制信號CTL連接；
如圖1所示，所述電子開關(guān)電路包括作為電子開關(guān)的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1導(dǎo)通或截止的電阻R2、電阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源極和漏極分別與電源輸入端Vin和電源輸出端Vout連接，所述PMOS管Q1的源極與電阻R2一端連接，所述電阻R2另一端經(jīng)電阻R3與所述NMOS管Q2的漏極連接，所述PMOS管Q1的柵極與所述電阻R2和電阻R3的連接端連接，所述控制信號CTL與電阻R3與所述NMOS管Q2的漏極連接端連接，所述NMOS管Q2的柵極與PMOS管Q1的漏極連接，所述NMOS管Q2的源極接地。
本實(shí)施例中，所述導(dǎo)通維持電路包括電阻R1、電容C1、二極管D1、電阻R4和電阻R5，所述電阻R1并聯(lián)于電阻R2和電阻R3的兩端，所述二極管D1的正極與所述PMOS管Q1的漏極連接，所述二極管D1的負(fù)極與電阻R4一端連接，所述電阻R4另一端與所述NMOS管Q2的柵極連接，所述電阻R4另一端還經(jīng)電阻R5接地，所述電阻R4另一端還經(jīng)電容C1接地。
本實(shí)施例中，所述穩(wěn)壓保護(hù)電路包括與所述PMOS管Q1源極和柵極并聯(lián)的反向穩(wěn)壓二極管ZD1。
本實(shí)施例中，所述穩(wěn)壓保護(hù)電路還包括與所述電容C1并聯(lián)的反向穩(wěn)壓二極管ZD2。
本實(shí)施例中，所述穩(wěn)壓保護(hù)電路還包括與所述NMOS管Q2漏極和源極并聯(lián)的反向二極管D2。
本實(shí)用新型的工作原理是：
控制信號CTL為高電平或者懸空時(shí)，D點(diǎn)電壓較高，NMOS管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，PMOS管Q1的源極A點(diǎn)和柵極B點(diǎn)的電壓差VAB為零，PMOS管Q1處于截止?fàn)顟B(tài)；控制信號CTL為低電平時(shí)，D點(diǎn)電壓為低電平，PMOS管Q1的源極A點(diǎn)和柵極B點(diǎn)的電壓差VAB迅速增大，PMOS管Q1迅速飽和導(dǎo)通，Vout電壓值等于Vin電壓值，二極管D1導(dǎo)通，通過電阻R4和電阻R5分壓，NMOS管Q2柵極E點(diǎn)電壓VE處于高電平，NMOS管Q2飽和導(dǎo)通，D點(diǎn)電壓VD為低電平，維持PMOS管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)。
采用本實(shí)用新型作為電子設(shè)備的開機(jī)電路，當(dāng)電子設(shè)備處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)，開機(jī)電路處于截止?fàn)顟B(tài)，這樣有效降低電子設(shè)備在長時(shí)間待機(jī)時(shí)對電池電量的損耗，能夠有效延長電池的壽命，導(dǎo)通維持電路能夠保證電子開關(guān)電路工作時(shí)一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，不會影響電子設(shè)備的正常使用，穩(wěn)壓保護(hù)電路中的穩(wěn)壓二極管ZD1、穩(wěn)壓二極管ZD2和二極管D2能夠有效防止PMOS管Q1、NMOS管Q2和電容C1被擊穿，本實(shí)用新型非常適用于長時(shí)間處于待機(jī)狀態(tài)的具有一鍵開機(jī)功能的電子設(shè)備。
以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對本實(shí)用新型作任何限制，凡是根據(jù)本實(shí)用新型技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變化，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。