本實(shí)用新型涉及一種微特電機(jī)的控制電路。
背景技術(shù):
直流微特電機(jī)應(yīng)用廣泛,但是在應(yīng)用過(guò)程中,基于負(fù)載的不同,對(duì)電流和電壓的要求也不同,若采用人工對(duì)電源和電阻進(jìn)行切換,切換效率低,且操作繁瑣,因此,有必要設(shè)計(jì)一種新型的微特電機(jī)的控制電路。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種微特電機(jī)的控制電路,微特電機(jī)的控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)施,易于控制,靈活性好。
實(shí)用新型的技術(shù)解決方案如下:
一種微特電機(jī)的控制電路,包括供電電路、切換電路和控制電路;
供電電路的輸入端U1接24V直流電壓;供電電路的輸出端U2和U3分別輸出12V和5V電壓;
供電電路包括IGBT器件V1和V2、電感Ld1和Ld2以及二極管Dd1和Dd2;
控制電路采用MCU;IGBT器件V1和V2的G極分別接MCU的2個(gè)脈沖輸出端PWM1和PWM2;
切換電路包括第一4選1模擬開(kāi)關(guān)、第二4選1模擬開(kāi)關(guān)以及電阻R1~R4;
第一4選1模擬開(kāi)關(guān)的4個(gè)輸入通道分別接U1、U2、U3和地端GND;第一4選1模擬開(kāi)關(guān)的輸出通道分別通過(guò)R1~R4接第二4選1模擬開(kāi)關(guān)的4個(gè)輸入通道,第二4選1模擬開(kāi)關(guān)的輸出端接微特電機(jī)的供電端;
第一4選1模擬開(kāi)關(guān)的2個(gè)通道控制端A1和B1以及第二4選1模擬開(kāi)關(guān)的2個(gè)通道控制端A2和B2分別接MCU的4個(gè)IO端口。
電阻R1=0.1歐姆,R2=100歐姆,R2=200歐姆,R3=400歐姆。
控制電路包括用于測(cè)量主回路電流的檢測(cè)電路;所述的檢測(cè)電路包括測(cè)量電阻R1(0.1歐姆)和電壓檢測(cè)電路;電壓檢測(cè)電路的輸出端接MCU的ADC端口,因此,本電路可以基于電流檢測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn)電阻切換和電壓切換。
有益效果:
本實(shí)用新型的微特電機(jī)的控制電路,采用降壓斬波實(shí)現(xiàn)電壓的多路輸出,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,另外,通過(guò)第一4選1模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓切換,通過(guò)第二4選1模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)限流電阻的切換,本實(shí)用新型還設(shè)計(jì)有電流檢測(cè)電路,有利于監(jiān)控電機(jī)的啟動(dòng)和工作電流。
因此,該微特電機(jī)的控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)施,易于控制,靈活性好。
附圖說(shuō)明
圖1為微特電機(jī)的控制電路的供電電路示意圖;
圖2位切換電路和控制電路的原理圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明:
實(shí)施例1:如圖1~2,一種微特電機(jī)的控制電路,包括供電電路、切換電路和控制電路;
供電電路的輸入端U1接24V直流電壓;供電電路的輸出端U2和U3分別輸出12V和5V電壓;
供電電路包括IGBT器件V1和V2、電感Ld1和Ld2以及二極管Dd1和Dd2;
控制電路采用MCU;IGBT器件V1和V2的G極分別接MCU的2個(gè)脈沖輸出端PWM1和PWM2;
切換電路包括第一4選1模擬開(kāi)關(guān)、第二4選1模擬開(kāi)關(guān)以及電阻R1~R4;
第一4選1模擬開(kāi)關(guān)的4個(gè)輸入通道分別接U1、U2、U3和地端GND;第一4選1模擬開(kāi)關(guān)的輸出通道分別通過(guò)R1~R4接第二4選1模擬開(kāi)關(guān)的4個(gè)輸入通道,第二4選1模擬開(kāi)關(guān)的輸出端接微特電機(jī)的供電端;
第一4選1模擬開(kāi)關(guān)的2個(gè)通道控制端A1和B1以及第二4選1模擬開(kāi)關(guān)的2個(gè)通道控制端A2和B2分別接MCU的4個(gè)IO端口。
電阻R1=0.1歐姆,R2=100歐姆,R2=200歐姆,R3=400歐姆。
MCU采用單片機(jī)或DSP或ARM處理器或PLC。
DC/DCO變換單元與24Vdc直流母線相連,DC/DCO變換單元采用全控型開(kāi)關(guān)器件組成的Buck型降壓斬波電路,如圖1所示,圖1中開(kāi)關(guān)器件V1和V2可以使用IGBT,也可以使用POWER MOSFET,控制器對(duì)開(kāi)關(guān)器件V1和V2進(jìn)行控制,將24V直流電壓轉(zhuǎn)換為12V和5V輸出。
供電電路具體連接說(shuō)明:如圖1,V1的c極接U1,V1的e極經(jīng)電感Ld1接U2;V1的e極接Dd1的負(fù)極;Dd1的正極接地;
V2的c極接U1,V2的e極經(jīng)電感Ld2接U3;V2的e極接Dd2的負(fù)極;Dd2的正極接地;IGBT器件V1和V2的G極分別接MCU的2個(gè)脈沖輸出端PWM1和PWM2。