本技術(shù)屬于過流保護(hù)，尤其涉及一種高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

1、離網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)在有光照的情況下將太陽能轉(zhuǎn)換為電能，通過太陽能控制逆變一體機(jī)給負(fù)載供電，同時(shí)給蓄電池充電；在無光照時(shí)，由蓄電池通過逆變器給交流負(fù)載供電。然而，在高頻離網(wǎng)系統(tǒng)中通常會出現(xiàn)電流超過預(yù)定最大值時(shí)，若不提供過流保護(hù)，就會造成電路故障，高頻離網(wǎng)系統(tǒng)中的功率器件損壞而不能工作，給用戶帶來非常大的經(jīng)濟(jì)損失。因此，有必要提供一種簡單可靠和保護(hù)精準(zhǔn)的過流保護(hù)電路以保護(hù)高頻離網(wǎng)系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對上述問題，本實(shí)用新型提供一種高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，該過流保護(hù)電路能夠?qū)崿F(xiàn)過流保護(hù)功能，從而保護(hù)逆變主功率模塊的mos管，保護(hù)高頻離網(wǎng)系統(tǒng)免遭損壞，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

3、本實(shí)用新型提供了一種高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，包括逆變主功率模塊、輸出模塊、ac負(fù)載、橋臂過流保護(hù)模塊和芯片控制模塊，所述逆變主功率模塊、所述橋臂過流保護(hù)模塊與所述芯片控制模塊連接，所述橋臂過流保護(hù)模塊、所述輸出模塊與所述逆變主功率模塊連接，所述輸出模塊與所述ac負(fù)載連接；

4、所述橋臂過流保護(hù)模塊用于檢測所述逆變主功率模塊的工作電壓并根據(jù)所述工作電壓向所述芯片控制模塊輸出對應(yīng)的電平，所述芯片控制模塊根據(jù)所述電平控制所述逆變主功率模塊發(fā)送pwm信號至所述輸出模塊，所述輸出模塊根據(jù)所述pwm信號給所述ac負(fù)載供電。

5、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述逆變主功率模塊包括總線、電容c1、第一橋臂和第二橋臂，所述第一橋臂、所述第二橋臂和所述電容c1通過所述總線并聯(lián)；

6、所述第一橋臂包括mos管q1、mos管q2、電阻r1和電阻r2，所述mos管q1與所述mos管q2連接，所述mos管q1連接所述電容c1的陽極，所述電阻r1、所述電阻r2并聯(lián)連接至所述電容c1的陰極、所述mos管q2；

7、所述第二橋臂包括mos管q3、mos管q4、電阻r3和電阻r4，所述mos管q3與所述mos管q4連接，所述mos管q3連接所述電容c1的陽極，所述電阻r3、所述電阻r4并聯(lián)連接至所述電容c1的陰極、所述mos管q4。

8、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述橋臂過流保護(hù)模塊包括與所述第一橋臂連接的第一過流保護(hù)電路、與所述第二橋臂連接的第二過流保護(hù)電路；

9、所述第一過流保護(hù)電路包括電阻r5、電阻r6、電阻r7、電阻r8、電阻r9、電容c3、電容c4和比較器u1a，所述電阻r5與所述電容c3并聯(lián)連接至所述電阻r7，所述電阻r7與所述r9并聯(lián)連接至所述比較器u1a的正輸入端，所述電阻r6與所述電容c4并聯(lián)連接至所述電阻r8，所述電阻r8連接所述比較器u1a的負(fù)輸入端；

10、所述第二過流保護(hù)電路包括電阻r10、電阻r11、電阻r12、電阻r13、電阻r14、電容c5、電容c6和比較器u1b，所述電阻r10與所述電容c5并聯(lián)連接至所述電阻r12，所述電阻r12連接所述比較器u1b的負(fù)輸入端，所述電阻r11與所述電容c6并聯(lián)連接至所述電阻r13，所述電阻r13與所述電阻r14并聯(lián)連接至所述比較器u1b的正輸入端，所述比較器u1b的輸出端與所述比較器u1a的輸出端連接。

11、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一橋臂的電流流過第一電流檢測電阻并逆變流過所述mos管q1和所述mos管q2，當(dāng)所述比較器u1a的負(fù)輸入端接收的電壓大于所述比較器u1a的負(fù)輸入端的第一預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1a的輸出端輸出第一低電壓osp并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊檢測到所述第一低電壓osp對應(yīng)的低電平對所述第一橋臂的pwm信號關(guān)斷；

12、其中，所述第一電流檢測電阻由所述電阻r1和所述電阻r2構(gòu)成，所述第一預(yù)設(shè)過流保護(hù)值為5v通過所述電阻r7和所述電阻r9分壓得到的電壓值。

13、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，當(dāng)所述比較器u1a的正輸入端接收的電壓小于所述比較器u1a的正輸入端的第一預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1a的輸出端輸出第一高電平并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊根據(jù)所述第一高電平對所述第一橋臂的pwm信號開通。

14、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二橋臂的電流流過第二電流檢測電阻并逆變流過所述mos管q3和所述mos管q4，當(dāng)所述比較器u1b的負(fù)輸入端接收的電壓大于所述比較器u1b的負(fù)輸入端的第二預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1b的輸出端輸出第二低電壓osp并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊檢測到所述第二低電壓osp對應(yīng)的低電平對所述第二橋臂的pwm信號關(guān)斷；

15、其中，所述第二電流檢測電阻由所述電阻r3和所述電阻r4構(gòu)成，所述第二預(yù)設(shè)過流保護(hù)值為5v通過所述電阻r13和所述電阻r14分壓得到的電壓值。

16、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，當(dāng)所述比較器u1b的正輸入端接收的電壓小于所述比較器u1b的正輸入端的第二預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1b的輸出端輸出第二高電平并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊根據(jù)所述第二高電平對所述第二橋臂的pwm信號開通。

17、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述橋臂過流保護(hù)模塊通過所述第一過流保護(hù)電路、所述第二過流保護(hù)電路將所述第一橋臂和所述第二橋臂的過流保護(hù)信號匯總后發(fā)送給所述芯片控制模塊。

18、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述芯片控制模塊包括dsp芯片和外圍電路，所述芯片控制模塊接收所述過流保護(hù)信號控制所述逆變主功率模塊發(fā)送pwm信號以控制mos管的開通或關(guān)斷，并控制所述輸出模塊的繼電器信號。

19、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輸出模塊包括電感l(wèi)1、電感l(wèi)2、電容c2和繼電器ry1，所述電感l(wèi)1和所述電感l(wèi)2并聯(lián)在所述電容c2,兩端，所述電感l(wèi)1、所述電容c2與所述繼電器ry1連接。

20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果為：

21、通過在電路中設(shè)置逆變主功率模塊、輸出模塊、ac負(fù)載、橋臂過流保護(hù)模塊和芯片控制模塊，當(dāng)檢測到逆變主功率模塊中的第一橋臂、第二橋臂的mos管發(fā)生過流時(shí)，橋臂過流保護(hù)模塊通過檢測到電平并發(fā)送給芯片控制模塊，芯片控制模塊會輸出高低電平通過控制逆變主功率模塊的pwm信號的開通或者關(guān)斷，以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的功能，從而有效保護(hù)逆變主功率模塊的mos管，電路結(jié)構(gòu)簡單，提高了高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性。

技術(shù)特征：

1.一種高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，包括逆變主功率模塊、輸出模塊、ac負(fù)載、橋臂過流保護(hù)模塊和芯片控制模塊，所述逆變主功率模塊、所述橋臂過流保護(hù)模塊與所述芯片控制模塊連接，所述橋臂過流保護(hù)模塊、所述輸出模塊與所述逆變主功率模塊連接，所述輸出模塊與所述ac負(fù)載連接；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述逆變主功率模塊包括總線、電容c1、第一橋臂和第二橋臂，所述第一橋臂、所述第二橋臂和所述電容c1通過所述總線并聯(lián)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述橋臂過流保護(hù)模塊包括與所述第一橋臂連接的第一過流保護(hù)電路、與所述第二橋臂連接的第二過流保護(hù)電路；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第一橋臂的電流流過第一電流檢測電阻并逆變流過所述mos管q1和所述mos管q2，當(dāng)所述比較器u1a的負(fù)輸入端接收的電壓大于所述比較器u1a的負(fù)輸入端的第一預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1a的輸出端輸出第一低電壓osp并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊檢測到所述第一低電壓osp對應(yīng)的低電平對所述第一橋臂的pwm信號關(guān)斷；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，當(dāng)所述比較器u1a的正輸入端接收的電壓小于所述比較器u1a的正輸入端的第一預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1a的輸出端輸出第一高電平并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊根據(jù)所述第一高電平對所述第一橋臂的pwm信號開通。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述第二橋臂的電流流過第二電流檢測電阻并逆變流過所述mos管q3和所述mos管q4，當(dāng)所述比較器u1b的負(fù)輸入端接收的電壓大于所述比較器u1b的負(fù)輸入端的第二預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1b的輸出端輸出第二低電壓osp并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊檢測到所述第二低電壓osp對應(yīng)的低電平對所述第二橋臂的pwm信號關(guān)斷；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，當(dāng)所述比較器u1b的正輸入端接收的電壓小于所述比較器u1b的正輸入端的第二預(yù)設(shè)過流保護(hù)值時(shí)，所述比較器u1b的輸出端輸出第二高電平并發(fā)送給所述芯片控制模塊，所述芯片控制模塊根據(jù)所述第二高電平對所述第二橋臂的pwm信號開通。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述橋臂過流保護(hù)模塊通過所述第一過流保護(hù)電路、所述第二過流保護(hù)電路將所述第一橋臂和所述第二橋臂的過流保護(hù)信號匯總后發(fā)送給所述芯片控制模塊。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述芯片控制模塊包括dsp芯片和外圍電路，所述芯片控制模塊接收所述過流保護(hù)信號控制所述逆變主功率模塊發(fā)送pwm信號以控制mos管的開通或關(guān)斷，并控制所述輸出模塊的繼電器信號。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，其特征在于，所述輸出模塊包括電感l(wèi)1、電感l(wèi)2、電容c2和繼電器ry1，所述電感l(wèi)1和所述電感l(wèi)2并聯(lián)在所述電容c2,兩端，所述電感l(wèi)1、所述電容c2與所述繼電器ry1連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的橋臂過流保護(hù)電路，通過在電路中設(shè)置逆變主功率模塊、輸出模塊、AC負(fù)載、橋臂過流保護(hù)模塊和芯片控制模塊，當(dāng)檢測到逆變主功率模塊中的第一橋臂、第二橋臂的MOS管發(fā)生過流時(shí)，橋臂過流保護(hù)模塊通過檢測到電平并發(fā)送給芯片控制模塊，芯片控制模塊會輸出高低電平通過控制逆變主功率模塊的PWM信號的開通或者關(guān)斷，以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的功能，從而有效保護(hù)逆變主功率模塊的MOS管，電路結(jié)構(gòu)簡單，提高了高頻離網(wǎng)系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：黃光強(qiáng),丁平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市尚科新能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231205
技術(shù)公布日：2025/1/9