本申請(qǐng)涉及建筑工程的，尤其涉及多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度方法及相關(guān)產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、目前電網(wǎng)調(diào)度主要考慮了居民負(fù)荷、商業(yè)負(fù)荷等對(duì)象，而忽略了工業(yè)負(fù)荷的可調(diào)潛力。工業(yè)負(fù)荷具有用電量大、可轉(zhuǎn)移負(fù)荷多、集中易改造、參與積極性高等優(yōu)勢，符合負(fù)荷參與電網(wǎng)調(diào)度的需求。但由于當(dāng)前工業(yè)負(fù)荷在某些方面仍存在復(fù)雜的操作問題，可能造成負(fù)荷的過度調(diào)節(jié)，對(duì)企業(yè)的正常生產(chǎn)造成較大影響，導(dǎo)致工業(yè)企業(yè)參與意愿有限。因此如何在盡可能不影響企業(yè)正常生產(chǎn)的前提下，實(shí)現(xiàn)工業(yè)負(fù)荷靈活性調(diào)節(jié)資源的進(jìn)一步挖掘，是目前需要解決的重要問題。

2、相關(guān)技術(shù)中，針對(duì)多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度，忽略了多晶硅生產(chǎn)過程中各工序必須按照固定的生產(chǎn)順序依次進(jìn)行，從而降低了多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷對(duì)電網(wǎng)的調(diào)度能力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┒嗑Ч枭a(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度方法、裝置，能夠提高多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷對(duì)電網(wǎng)的調(diào)度能力。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度方法，包括：

3、基于多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)最大可調(diào)節(jié)容量構(gòu)建目標(biāo)函數(shù)，所述最大可調(diào)節(jié)容量根據(jù)多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)預(yù)估用電量、預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)歷史用電量所確定；

4、針對(duì)所述目標(biāo)函數(shù)構(gòu)建約束條件，所述約束條件包含物料平衡約束、電量平衡約束、存儲(chǔ)約束、產(chǎn)量約束、提純?nèi)蝿?wù)啟動(dòng)約束和還原任務(wù)啟動(dòng)約束，以基于在所述約束條件下的目標(biāo)函數(shù)確定電網(wǎng)調(diào)度結(jié)果。

5、可選地，所述目標(biāo)函數(shù)為以下公式所表示形式，

6、；

7、上式中，為多晶硅廠時(shí)段的可調(diào)節(jié)容量，為絕對(duì)值，表示多晶硅廠在時(shí)段的用電功率，為多晶硅廠在分時(shí)電價(jià)下的各時(shí)段歷史用電量，為預(yù)設(shè)時(shí)間所包含的總調(diào)度時(shí)段數(shù)。

8、可選地，所述物料平衡約束為以下公式所表示形式，

9、；

10、上式中，表示狀態(tài)物在時(shí)段的可用數(shù)量，表示狀態(tài)物在時(shí)段的可用數(shù)量，表示任務(wù)單臺(tái)核心設(shè)備在時(shí)段生成或消耗狀態(tài)物的數(shù)量，表示任務(wù)在時(shí)段處于工作狀態(tài)的核心設(shè)備總數(shù)量，為預(yù)設(shè)時(shí)間所包含的總調(diào)度時(shí)段數(shù)。

11、可選地，所述電量平衡約束為以下公式所表示形式，

12、；

13、上式中，表示多晶硅廠在時(shí)段的用電功率，表示任務(wù)單臺(tái)核心設(shè)備在時(shí)段的用電功率，表示任務(wù)在時(shí)段處于工作狀態(tài)的核心設(shè)備總數(shù)量，為預(yù)設(shè)時(shí)間所包含的總調(diào)度時(shí)段數(shù)。

14、可選地，所述存儲(chǔ)約束為以下公式所表示形式，

15、；

16、上式中，表示狀態(tài)物的存儲(chǔ)下限,表示狀態(tài)物的存儲(chǔ)上限；

17、所述產(chǎn)量約束條件為以下公式所表示形式，

18、；

19、上式中，表示最終產(chǎn)品多晶硅在預(yù)設(shè)時(shí)間所包含的總調(diào)度時(shí)段數(shù)結(jié)束時(shí)的數(shù)量，表示最終產(chǎn)品多晶硅在調(diào)度時(shí)段開始時(shí)的初始數(shù)量，表示多晶硅的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)產(chǎn)量要求。

20、可選地，所述提純?nèi)蝿?wù)啟動(dòng)約束為以下公式所表示形式，

21、；

22、

23、上式中，表示提純?nèi)蝿?wù)的核心用電設(shè)備精餾塔在時(shí)段的啟停狀態(tài)，表示提純?nèi)蝿?wù)的核心用電設(shè)備精餾塔在時(shí)段的啟停狀態(tài)，表示提純?nèi)蝿?wù)開始時(shí)貯罐中氯硅烷液體的最小存量，為貯罐內(nèi)氯硅烷液體在時(shí)段的存量，表示合成爐在時(shí)段處于工作狀態(tài)的核心設(shè)備總數(shù)量，為預(yù)設(shè)時(shí)間所包含的總調(diào)度時(shí)段數(shù)。

24、可選地，所述還原任務(wù)啟動(dòng)約束為以下公式所表示形式，

25、；

26、上式中，表示還原任務(wù)的核心用電設(shè)備還原爐在時(shí)段的啟停狀態(tài)，表示還原任務(wù)的核心用電設(shè)備還原爐在時(shí)段的啟停狀態(tài)，表示還原任務(wù)開始時(shí)貯罐中高純?nèi)葰涔璧淖钚〈媪?，為貯罐內(nèi)三氯氫硅在時(shí)段的存量，為預(yù)設(shè)時(shí)間所包含的總調(diào)度時(shí)段數(shù)。

27、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度裝置，包括：

28、第一構(gòu)建模塊，用以基于多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)最大可調(diào)節(jié)容量構(gòu)建目標(biāo)函數(shù)，所述最大可調(diào)節(jié)容量根據(jù)多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)預(yù)估用電量、預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)歷史用電量所確定；

29、第二構(gòu)建模塊，用以針對(duì)所述目標(biāo)函數(shù)構(gòu)建約束條件，所述約束條件包含物料平衡約束、電量平衡約束、存儲(chǔ)約束、產(chǎn)量約束、提純?nèi)蝿?wù)啟動(dòng)約束和還原任務(wù)啟動(dòng)約束，以基于在所述約束條件下的目標(biāo)函數(shù)確定電網(wǎng)調(diào)度結(jié)果。

30、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述的方法。

31、第四方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N執(zhí)行設(shè)備，包括處理器和存儲(chǔ)器，所述處理器與所述存儲(chǔ)器耦合；

32、所述存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)程序；

33、所述處理器，用于執(zhí)行所述存儲(chǔ)器中的程序，使得所述執(zhí)行設(shè)備執(zhí)行如上述的方法。

34、本申請(qǐng)所公開方法中，以多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)最大可調(diào)節(jié)容量構(gòu)建目標(biāo)函數(shù)，約束條件包含物料平衡約束、電量平衡約束、存儲(chǔ)約束、產(chǎn)量約束、提純?nèi)蝿?wù)啟動(dòng)約束和還原任務(wù)啟動(dòng)約束，這些約束條件考慮了多晶硅生產(chǎn)過程中各環(huán)節(jié)的耦合關(guān)系，由此所形成的經(jīng)濟(jì)調(diào)度模型能夠提高多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷對(duì)電網(wǎng)的調(diào)度能力。

35、與此同時(shí)，本經(jīng)濟(jì)調(diào)度模型的構(gòu)建過程中，針對(duì)多晶硅生產(chǎn)過程利用狀態(tài)任務(wù)網(wǎng)方法將物料和工序分別抽象為狀態(tài)與任務(wù)，繪制狀態(tài)任務(wù)網(wǎng)框圖以刻畫各工序之間的耦合關(guān)系，這樣能保證該經(jīng)濟(jì)調(diào)度模型的準(zhǔn)確性。

技術(shù)特征：

1.一種多晶硅工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)函數(shù)為以下公式所表示形式，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述物料平衡約束為以下公式所表示形式，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電量平衡約束為以下公式所表示形式，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)約束為以下公式所表示形式，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提純?nèi)蝿?wù)啟動(dòng)約束為以下公式所表示形式，

7.根據(jù)權(quán)利要求1述的方法，其特征在于，所述還原任務(wù)啟動(dòng)約束為以下公式所表示形式，

8.一種多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度裝置，其特征在于，包括：

9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法。

10.一種執(zhí)行設(shè)備，其特征在于，包括處理器和存儲(chǔ)器，所述處理器與所述存儲(chǔ)器耦合；

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷參與的電網(wǎng)調(diào)度方法及相關(guān)產(chǎn)品。該方法中，以多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)多晶硅廠預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)最大可調(diào)節(jié)容量構(gòu)建目標(biāo)函數(shù)，約束條件包含物料平衡約束、電量平衡約束、存儲(chǔ)約束、產(chǎn)量約束、提純?nèi)蝿?wù)啟動(dòng)約束和還原任務(wù)啟動(dòng)約束，這些約束條件考慮了多晶硅生產(chǎn)過程中各環(huán)節(jié)的耦合關(guān)系，由此所形成的經(jīng)濟(jì)調(diào)度模型能夠提高多晶硅生產(chǎn)工業(yè)負(fù)荷對(duì)電網(wǎng)的調(diào)度能力。不僅如此，本經(jīng)濟(jì)調(diào)度模型的構(gòu)建過程中，針對(duì)多晶硅生產(chǎn)過程利用狀態(tài)任務(wù)網(wǎng)方法將物料和工序分別抽象為狀態(tài)與任務(wù)，繪制狀態(tài)任務(wù)網(wǎng)框圖以刻畫各工序之間的耦合關(guān)系，這樣能保證該模型準(zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員：李玲芳,孫鵬,吳琛,司大軍,游廣增,陳義宣,廖思陽,肖雨朵,賀聰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：云南電網(wǎng)有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9