本發(fā)明涉及電子電路，尤其是指一種保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路及控制方法。

背景技術(shù)：

1、對(duì)于汽車電子設(shè)備，為了防止在蓄電池被錯(cuò)誤反接時(shí)受到損壞，電源電路中要有防反設(shè)計(jì)，在把蓄電池正負(fù)極接入到設(shè)備的電源管理電路之前，防反保護(hù)電路保護(hù)了后端電路中有極性的電容和ic等元件不會(huì)被反向擊穿。

2、汽車電子設(shè)備的防反電路，最簡單的形式是使用二極管進(jìn)行防反，這種形式成本很低，但只適用于小電流1~2a的應(yīng)用。在大電流應(yīng)用上，防反電路通常有以下幾種形式：

3、1、在電源的低邊上使用n溝道m(xù)os管進(jìn)行防反，但這種形式由于將電源地和負(fù)載地分割開，實(shí)際上很少使用；

4、2、在電源的高邊上使用p溝道m(xù)os管進(jìn)行防反，如圖1所示。這種形式實(shí)際應(yīng)用較多，但主要的缺點(diǎn)是待機(jī)靜態(tài)電流較大，通常為2ma以上；

5、3、使用專用驅(qū)動(dòng)ic加p溝道或n溝道m(xù)os管進(jìn)行防反，這種形式的待機(jī)靜態(tài)電流可以做得很低，通常為10~50?ua以內(nèi)，但缺點(diǎn)是專用ic的成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中現(xiàn)代的汽車存在著大量的電子設(shè)備，若眾多的電子設(shè)備待機(jī)靜態(tài)電流都較大，無疑會(huì)對(duì)車載蓄電池造成壓力，在車輛停駛過程會(huì)持續(xù)造成蓄電池的較多耗電，時(shí)間長了將會(huì)造成蓄電池壽命下降，影響汽車的正常啟動(dòng)。上述第3種防反電路由于專用ic價(jià)格昂貴、且更容易面臨缺貨的風(fēng)險(xiǎn)，無法完全替代第2種防反電路。因此，如何降低p溝道m(xù)os管防反保護(hù)電路的待機(jī)靜態(tài)電流，是亟需解決的技術(shù)問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，包括：mos管q1、穩(wěn)壓管d1、第一電阻r1、三極管q2、第二電阻r2、二極管d2、第三電阻r3、第四電阻r4和電源管理模塊；其中，所述mos管q1的源極與后端的電源管理模塊連接，所述穩(wěn)壓管d1的負(fù)極與所述mos管q1的源極連接，并且穩(wěn)壓管d1的正極與所述mos管q1的柵極連接，所述第一電阻r1的第一端與所述mos管q1的源極連接，并且第一電阻r1的第二端與所述mos管q1的柵極連接，所述三極管q2的集電極通過第二電阻r2與所述mos管q1的柵極連接，所述三極管q2的發(fā)射極與gnd連接，所述二極管d1的正極與vcc連接，并且二極管d2的負(fù)極通過第三電阻r3與所述三極管q2的基極連接，所述第四電阻r4的第一端與所述三極管q2的基極連接，并且第四電阻r4的第二端與所述三極管q2的發(fā)射極連接。本發(fā)明的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，電子設(shè)備處于正常工作時(shí)，通過電路的設(shè)置，令p溝道m(xù)os管的柵極與gnd之間接通，使該mos管雙向?qū)ǎ瑥亩@得較低的導(dǎo)通電阻，使設(shè)備的供電處于最佳工作狀態(tài)；在電子設(shè)備處于待機(jī)時(shí)，令p溝道m(xù)os管的柵極與gnd之間斷路，使該防反電路中的各個(gè)元器件基本沒有電流通過，從而獲得較低的待機(jī)靜態(tài)電流。

3、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述mos管q1的漏極與供電正極連接。

4、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述gnd與供電負(fù)極連接。

5、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述二極管d2的正極連接至電源管理模塊的vcc。

6、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述電源管理模塊的vcc的值為5v或3.3v。

7、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述mos管q1為p溝道m(xù)os管。

8、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述三極管q2為npn型三極管。

9、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述電源管理模塊連接有開關(guān)信號(hào)。

10、在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述二極管d2和第三電阻r3串聯(lián)。

11、本發(fā)明的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路的控制方法，包括如下：

12、當(dāng)設(shè)備處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)，設(shè)備的電源管理模塊不輸出vcc，vcc為0v，此時(shí)三極管q2處于截止?fàn)顟B(tài)，從而使mos管q1的柵極與gnd之間斷路，待機(jī)靜態(tài)電流等于所述的三極管q2的漏電流，實(shí)現(xiàn)了低的待機(jī)靜態(tài)電流；

13、當(dāng)設(shè)備被開關(guān)信號(hào)喚醒后，電源管理模塊進(jìn)入正常工作狀態(tài)，輸出vcc，此時(shí)三極管q2工作于放大或飽和狀態(tài)，從而使mos管q1的柵極與gnd之間接通，mos管q1雙向?qū)?，從而獲得低的導(dǎo)通電阻；

14、當(dāng)電源反接時(shí)，三極管q2處于截止?fàn)顟B(tài)，二極管d2也反向截止，mos管q1的漏極與源極之間處于截止?fàn)顟B(tài)，且mos管q1的寄生二極管也處于反向截止?fàn)顟B(tài)，待機(jī)靜態(tài)電流趨近于零。

15、本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下有益效果：

16、本發(fā)明所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路及控制方法，采用高邊p溝道m(xù)os管的結(jié)構(gòu)形式，并增加可對(duì)所述p溝道m(xù)os管的柵極進(jìn)行控制的電路；所述的低待機(jī)靜態(tài)電流控制方法是，在電子設(shè)備處于正常工作時(shí)，柵極控制電路接通p溝道m(xù)os管的柵極與gnd之間的連接，使該mos管雙向?qū)?，從而獲得較低的導(dǎo)通電阻，使設(shè)備的供電處于最佳工作狀態(tài)；在電子設(shè)備處于待機(jī)時(shí)，柵極控制電路切斷p溝道m(xù)os管的柵極與gnd之間的連接，從而獲得較低的待機(jī)靜態(tài)電流。

技術(shù)特征：

1.一種保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于，包括：mos管q1、穩(wěn)壓管d1、第一電阻r1、三極管q2、第二電阻r2、二極管d2、第三電阻r3、第四電阻r4和電源管理模塊；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述mos管q1的漏極與供電正極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述gnd與供電負(fù)極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述二極管d2的正極連接至電源管理模塊的vcc。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述電源管理模塊的vcc的值為5v或3.3v。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述mos管q1為p溝道m(xù)os管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述三極管q2為npn型三極管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述電源管理模塊連接有開關(guān)信號(hào)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，其特征在于：所述二極管d2和第三電阻r3串聯(lián)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路的控制方法，其特征在于，包括如下：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，包括：MOS管Q1、穩(wěn)壓管D1、第一電阻R1、三極管Q2、第二電阻R2、二極管D2、第三電阻R3、第四電阻R4和電源管理模塊；穩(wěn)壓管D1的負(fù)極與MOS管Q1的源極連接，穩(wěn)壓管D1的正極與MOS管Q1的柵極連接，第一電阻R1的第一端與MOS管Q1的源極連接。本發(fā)明的保持低待機(jī)靜態(tài)電流的防反保護(hù)電路，電子設(shè)備處于正常工作時(shí)，使該MOS管雙向?qū)?，從而獲得較低的導(dǎo)通電阻，使設(shè)備的供電處于最佳工作狀態(tài)；在電子設(shè)備處于待機(jī)時(shí)，令P溝道MOS管的柵極與GND之間斷路，使該防反電路中的各個(gè)元器件基本沒有電流通過，從而獲得較低的待機(jī)靜態(tài)電流。

技術(shù)研發(fā)人員：黃全安
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州綠控傳動(dòng)科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6