本發(fā)明涉及開關電源控制領域，尤其涉及一種不對稱半橋反激電路的控制方法及控制裝置。

背景技術：

1、隨著消費電子的應用發(fā)展，人們對于設備充電的要求不斷提高。不對稱半橋反激電路如圖?1所示，因其兼具結構簡單，成本低，能實現(xiàn)zvs（零電壓開關）以及適應較寬的輸出電壓范圍等優(yōu)點，近年來備受青睞。但是，為了充分利用不對稱半橋反激電路的拓撲優(yōu)勢，一般，其控制策略都是令該拓撲工作于dcm（斷續(xù)模式）、crm（臨界模式）或者crm/dcm的組合工作模式。如此，對于在需要電源能夠在短時間提供較大的功率的運用場合，如果直接基于所需最大功率設計不對稱半橋反激電路，就會導致變壓器的體積增加，且大部分工況下，系統(tǒng)都處于非crm工作模式，效率大大降低。

2、為此，如何使得不對稱半橋反激電路能夠進一步提升其最大輸出功率是需要解決的一個技術問題。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種不對稱半橋反激電路的控制方法及控制裝置。該控制方法增加了增強功率模式，通過控制使得電路能夠工作于增強功率模式，從而可以增大電路的輸入電流，進而提高電路的輸出功率。

2、本申請采用了如下技術方案：

3、一種不對稱半橋反激電路的控制方法，所述不對稱半橋反激電路的工作模式包括增強功率模式；所述不對稱半橋反激電路包括儲能管和續(xù)流管；所述控制方法包括以下步驟：

4、獲取功率參數(shù)，所述功率參數(shù)能夠表征所述不對稱半橋反激電路的輸出功率；

5、比較所述功率參數(shù)與預設功率參數(shù)的大小；

6、當所述功率參數(shù)大于所述預設功率參數(shù)時，控制所述不對稱半橋反激電路進入增強功率模式；所述功率參數(shù)包括環(huán)路補償量、電流參數(shù)、所述儲能管的導通時長中的一個或多個；所述預設功率參數(shù)包括預設環(huán)路補償量、預設電流參數(shù)和所述儲能管的預設導通時長中的一個或多個；

7、在所述增強功率模式下，控制所述儲能管的導通時間與環(huán)路補償量正相關或者控制所述續(xù)流管的導通時間與所述環(huán)路補償量負相關；其中，所述環(huán)路補償量與所述輸出功率正相關。

8、該控制方法通過對功率參數(shù)與預設功率參數(shù)進行比較，當功率參數(shù)大于所述預設功率參數(shù)時，進入增強功率模式；進入增強功率模式后，進一步根據(jù)環(huán)路補償量對續(xù)流管的導通時間或者儲能管的導通時間進行控制，從而使得電路能夠持續(xù)工作于增強功率模式，增大電路的輸入電流，從而有利于提高電路的輸出功率。

9、一種不對稱半橋反激電路的控制裝置，包括：

10、功率判斷模塊，用于根據(jù)表征所述不對稱半橋反激電路的輸出功率的功率參數(shù)與預設功率參數(shù)，判斷所述不對稱半橋反激電路是否需要進入增強功率模式；所述功率參數(shù)包括環(huán)路補償量、電流參數(shù)、所述儲能管的導通時長中的一個或多個；所述預設功率參數(shù)包括預設環(huán)路補償量、預設電流參數(shù)和所述儲能管的預設導通時長中的一個或多個；

11、控制單元，用于當所述不對稱半橋反激電路進入增強功率模式后，控制儲能管的導通時間與環(huán)路補償量正相關或者控制續(xù)流管的導通時間與所述環(huán)路補償量負相關；其中，所述環(huán)路補償量與所述不對稱半橋反激電路的輸出功率正相關。

12、該控制裝置的功率判斷模塊能夠根據(jù)功率參數(shù)與預設功率參數(shù)決定是否需要進入增強功率模式，控制單元用于在進入增強功率模式后，根據(jù)環(huán)路補償量對續(xù)流管的導通時間或者儲能管的導通時間進行控制，從而使得電路能夠持續(xù)工作于增強功率模式，增大電路的輸入電流，從而有利于提高電路的輸出功率。

技術特征：

1.一種不對稱半橋反激電路的控制方法，其特征在于，所述不對稱半橋反激電路的工作模式包括增強功率模式；所述不對稱半橋反激電路包括儲能管和續(xù)流管；所述控制方法包括以下步驟：

2.根據(jù)權利要求1所述的控制方法，其特征在于，還包括以下步驟：

3.根據(jù)權利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述增強功率模式包括第一控制模式；

4.根據(jù)權利要求1所述的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

5.根據(jù)權利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述增強功率模式包括第二控制模式；

6.根據(jù)權利要求1-5任一項所述的控制方法，其特征在于，所述電流參數(shù)表征所述不對稱半橋反激電路的勵磁電感電流；所述預設功率參數(shù)對應的輸出功率大于或等于所述不對稱半橋反激電路工作于臨界模式下的輸出功率。

7.根據(jù)權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述不對稱半橋反激電路的工作模式還包括打嗝模式、斷續(xù)模式和臨界模式；在增強功率模式下，所述續(xù)流管的導通時間設有最小導通時間；所述控制方法還包括步驟：

8.一種不對稱半橋反激電路的控制裝置，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權利要求8所述的控制裝置，其特征在于，所述功率判斷模塊包括第一比較器和/或第二比較器和/或第三比較器；所述功率判斷模塊還包括或門；

10.根據(jù)權利要求8所述的控制裝置，其特征在于，還包括存儲單元，所述存儲單元用于記錄非增強功率模式下，所述續(xù)流管上一個開關周期的導通時間。

技術總結
本發(fā)明實施例提供了一種不對稱半橋反激電路的控制方法和控制裝置。不對稱半橋反激電路的工作模式包括增強功率模式；不對稱半橋反激電路包括儲能管和續(xù)流管；該控制方法包括以下步驟：獲取功率參數(shù)，所述功率參數(shù)能夠表征不對稱半橋反激電路的輸出功率；比較所述功率參數(shù)與預設功率參數(shù)的大??；當所述功率參數(shù)大于所述預設功率參數(shù)時，控制不對稱半橋反激電路進入增強功率模式；在增強功率模式下，控制所述儲能管的導通時間與環(huán)路補償量正相關或者控制所述續(xù)流管的導通時間與所述環(huán)路補償量負相關；其中，所述環(huán)路補償量與所述輸出功率正相關。該控制方法能夠在不改變硬件電路參數(shù)設計下提高不對稱半橋反激電路的輸出功率。

技術研發(fā)人員：請求不公布姓名,請求不公布姓名,請求不公布姓名
受保護的技術使用者：梵塔半導體技術（杭州）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23