本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池片測(cè)試，具體關(guān)于基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法。

背景技術(shù)：

1、在太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域中，隨著太陽(yáng)能電池片的廣泛應(yīng)用，其性能的穩(wěn)定性和使用壽命成為研究的重要方向。太陽(yáng)能電池片受到環(huán)境因素的影響，特別是紫外線（uv）的長(zhǎng)期照射，會(huì)導(dǎo)致其性能逐漸下降，這種現(xiàn)象被稱為紫外線衰減，紫外線衰減是影響太陽(yáng)能電池工作效率的關(guān)鍵因素之一。

2、然而，針對(duì)太陽(yáng)能電池片在紫外線照射下的壽命衰減特性，存在一定的研究和測(cè)試挑戰(zhàn)。具體來(lái)說(shuō)，光伏組件的紫外線衰減測(cè)試具有特殊的檢測(cè)工藝流程和較長(zhǎng)的時(shí)間周期，從收集樣片到制作組件，再到送測(cè)，最后拿到數(shù)據(jù)，整個(gè)流程基本以月為單位。雖然這種長(zhǎng)期測(cè)試能夠更準(zhǔn)確的反應(yīng)組件在實(shí)際使用環(huán)境中的長(zhǎng)期性能，但其復(fù)雜性和周期性也使得該方法在實(shí)際應(yīng)用中存在較大的局限性。

3、公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本發(fā)明的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其能夠解決上述背景技術(shù)中提出的技術(shù)問(wèn)題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：

3、基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，包括以下步驟：

4、s1、確認(rèn)測(cè)試波長(zhǎng)區(qū)間的最大值λmax和最小值λmin；

5、s2、將測(cè)試波長(zhǎng)區(qū)間均勻的分為n份，然后在每一份上取測(cè)試波段λi；

6、s3、測(cè)試s2中選定的測(cè)試波段λi對(duì)應(yīng)的反射率r（λi），然后代入公式一中，算出太陽(yáng)能電池片的uv反射率ruv

7、“公式一”

8、其中，所述ruv為紫外反射率的最終計(jì)算值，k為任意正實(shí)數(shù)，所述n為非零自然數(shù)，s（λi）為波長(zhǎng)為λi的輻照度；

9、s4、使用得到的ruv，計(jì)算出太陽(yáng)能電池片的uv衰減suv=a*ruv+b；

10、其中，a=-0.01~0，b=0.005~0.03。

11、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述s2中，λi的計(jì)算公式為：

12、“公式二”

13、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述s2中，λi的計(jì)算公式為：

14、“公式三”

15、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λmin≥280nm，所述λmin＜λmax≤400nm。

16、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λi≥280，且所述λi＜300，所述s（λi）=0.1~1.2。

17、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λi≥300，且所述λi＜310，所述s（λi）=4.5~6。

18、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λi≥310，且所述λi＜315，所述s（λi）=3~4.5。

19、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λi≥315，且所述λi≤350，所述s（λi）=0.5~4。

20、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λi＞350，且所述λi≤390，所述s（λi）=8~30。

21、在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述λi＞390，且所述λi≤400，所述s（λi）=4.5~6。

22、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其具有以下優(yōu)點(diǎn)：

23、1）、能夠極大縮減uv衰減測(cè)試時(shí)間，且便于大批量測(cè)試；

24、2）、利于在后續(xù)制絨工序及正膜工序的制程調(diào)整和新材料導(dǎo)入時(shí)，增加uv反射率監(jiān)控，確保uv衰減合格；

25、3）、利于預(yù)先判斷新的uv改善方案對(duì)于抗uv衰減的有效性，從而加快實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證效率。

技術(shù)特征：

1.基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述s2中，λi的計(jì)算公式為：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述s2中，λi的計(jì)算公式為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任意一條權(quán)利要求所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λmin≥280nm，所述λmin＜λmax≤400nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λi≥280，且所述λi＜300，所述s（λi）=0.1~1.2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λi≥300，且所述λi＜310，所述s（λi）=4.5~6。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λi≥310，且所述λi＜315，所述s（λi）=3~4.5。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λi≥315，且所述λi≤350，所述s（λi）=0.5~4。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λi＞350，且所述λi≤390，所述s（λi）=8~30。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于太陽(yáng)能電池片的uv衰減算法，其特征在于，所述λi＞390，且所述λi≤400，所述s（λi）=4.5~6。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了基于太陽(yáng)能電池片的UV衰減算法，屬于太陽(yáng)能電池片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：S1、確認(rèn)測(cè)試波長(zhǎng)區(qū)間的最大值λ<subgt;max</subgt;和最小值λ<subgt;min</subgt;；S2、將測(cè)試波長(zhǎng)區(qū)間均勻的分為n份，然后在每一份上取測(cè)試波段λ<subgt;i</subgt;；S3、測(cè)試S2中選定的測(cè)試波段λ<subgt;i</subgt;對(duì)應(yīng)的反射率r（λ<subgt;i</subgt;），通過(guò)反射率r（λ<subgt;i</subgt;）算出太陽(yáng)能電池片的UV反射率Ruv，S4、使用得到的Ruv，計(jì)算出太陽(yáng)能電池片的UV衰減Suv=A*Ruv+B。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的基于太陽(yáng)能電池片的UV衰減算法，其具有以下優(yōu)點(diǎn)：1）、能夠極大縮減UV衰減測(cè)試時(shí)間，且便于大批量測(cè)試；2）、利于在后續(xù)制絨工序及正膜工序的制程調(diào)整和新材料導(dǎo)入時(shí)，增加UV反射率監(jiān)控，確保UV衰減合格。

技術(shù)研發(fā)人員：趙杰,林禹安,喬嘉豪,豐平,陳實(shí),潘志平,周宇,陳兆民,劉飛,魏小席
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中潤(rùn)新能源（滁州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9