本技術(shù)涉及半導體,特別涉及一種用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
1、在半導體工業(yè)中,廠務(wù)端分別與供電端及各個機臺連接,且負責根據(jù)需要將供電端電能進行分配和轉(zhuǎn)用,其中,電能經(jīng)廠務(wù)端分配后,通過分路電纜直接傳輸?shù)礁鱾€機臺。所述機臺包括配電器件和多個用電器件,所述分路電纜將分配后的電能輸送到對應(yīng)機臺后,經(jīng)過所述配電器件進行配電,再通過電力線路直接向多個用電器件進行供電。
2、在現(xiàn)有技術(shù)中,廠務(wù)端供給機臺的電能經(jīng)配電器件直接傳輸?shù)礁鱾€用電器件的供電結(jié)構(gòu)中,仍存在以下的問題:
3、半導體設(shè)備機臺的用電器件中包括一些變頻器件和可控硅器件,其在用電過程中,除做有用功和發(fā)熱之外,還會產(chǎn)生不同程度及不同頻率的雜波,所述雜波不僅會產(chǎn)生無效耗能,導致電力浪費,以及斷路器和線纜的規(guī)格提升,還會沿著電力傳輸線路反向污染機臺的其他用電器件,甚至會沿著廠務(wù)端和機臺之間的分路線纜將污染傳遞到其他機臺,對整個供電網(wǎng)絡(luò)進行輻射,最終導致供電網(wǎng)絡(luò)中的所有設(shè)備都會受到供電干擾。
4、因此需要提供一種能夠消除用電器件產(chǎn)生的雜波干擾且耗能低的供電結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本實用新型的目的是提供一種用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),該供電結(jié)構(gòu)在機臺斷路器及用電器件之間設(shè)置了電流補償裝置,用于消除所述用電器件產(chǎn)生的雜波干擾,并降低了雜波使用的無效耗能,實現(xiàn)電能節(jié)約。
2、為了實現(xiàn)以上目的,本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
3、提供了一種用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),所述半導體設(shè)備包括至少一個機臺,每個所述機臺包括多個用電器件,所述供電結(jié)構(gòu)包括:
4、廠務(wù)端配電,所述廠務(wù)端配電與供電端連接,用于向半導體設(shè)備的所有機臺配電;
5、至少一個機臺斷路器,所述機臺斷路器與所述廠務(wù)端配電連接,用于實現(xiàn)對向?qū)?yīng)機臺進行供電控制,所述機臺包括多個用電器件;
6、至少一個電流補償裝置,所述電流補償裝置分別與所述機臺斷路器及與所述多個用電器件連接,用于消除所述用電器件產(chǎn)生的雜波干擾;
7、所述電流補償裝置包括一個矩陣類別的濾波電路和控制器,所述控制器分別與所述機臺斷路器、所述濾波電路及所述機臺的多個用電器件連接,用于根據(jù)所述用電器件產(chǎn)生的雜波,對所述濾波電路進行調(diào)節(jié)控制,所述濾波電路還與所述機臺連接,用于消除所述用電器件產(chǎn)生的雜波干擾。
8、進一步,所述電流補償裝置包括一個矩陣類別的濾波電路和控制器,所述控制器分別與所述機臺斷路器、所述濾波電路及所述機臺的多個用電器件連接,用于根據(jù)所述用電器件產(chǎn)生的雜波,對所述濾波電路進行調(diào)節(jié)控制,所述濾波電路還與所述機臺連接,用于消除所述用電器件產(chǎn)生的雜波干擾。
9、進一步,所述濾波電路為3·m·n的立體矩陣,其中,m的值根據(jù)所述雜波的最大電流大小確定,n的值根據(jù)所述雜波的頻率的種類數(shù)量確定,且m,n都取正整數(shù)。
10、進一步,所述m的取值為[所述雜波的最大電流大小/50a]+1,所述n的取值為所述雜波的頻率的種類數(shù)量。
11、進一步,所述濾波電路包括3×m×n個互相連接的補償單元,所述補償單元被設(shè)置為所述矩陣內(nèi)的各個元素。
12、進一步,所述補償單元根據(jù)立體矩陣的立體方位被分為3組,每組補償單元被分為n列,且每列中包括m個補償單元,其中每組補償單元中,同一列補償單元所能通過的雜波的頻率大小相同,同一列中每個補償單元所能通過的雜波的電流的上限相同,為50a。
13、進一步,每個補償單元包括依次串聯(lián)連接的開關(guān)、感應(yīng)線圈、電流熔斷器、電容器和電抗器。
14、進一步,所述補償單元還包括一電壓保持熔斷器,所述電壓保持熔斷器設(shè)置在所述感應(yīng)線圈和所述電流熔斷器之間,且所述電壓保持熔斷器接地,用于保持所述感應(yīng)線圈和所述電流熔斷器之間的電路的電壓恒定。
15、進一步,所述補償單元還包括一個電感器,所述電感器與所述電流熔斷器及所述電容器并聯(lián),用于過濾雜波電流,使頻率大小為所述補償單元所在列的頻率,電流上限為50a的雜波電流通過所述電流熔斷器和所述電容器。
16、進一步,所述用電器件產(chǎn)生的雜波為奇次諧波。
17、進一步,所述奇次諧波的頻率為150hz、250hz、350hz、450hz、……、[(2n+1)×50]hz,其中n取正整數(shù)。
18、進一步,所述機臺斷路器的數(shù)量與所述機臺的數(shù)量相同。
19、進一步,所述電流補償裝置的數(shù)量與所述機臺斷路器的數(shù)量相同。
20、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型具有如下優(yōu)點:
21、本實用新型提供的供電結(jié)構(gòu)在機臺斷路器及用電器件之間設(shè)置了電流補償裝置,能夠消除所述用電器件產(chǎn)生的雜波干擾,防止其干擾在電路中反向污染其他機臺,并降低了雜波使用的無效耗能,實現(xiàn)電能節(jié)約,同時實現(xiàn)了機臺斷路器及線纜規(guī)格的下調(diào),減少了成本。
1.一種用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),所述半導體設(shè)備包括至少一個機臺,每個所述機臺包括多個用電器件,其特征在于,所述供電結(jié)構(gòu)包括:
2.如權(quán)利要求1所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述濾波電路為3·m·n的立體矩陣,其中,m的值根據(jù)所述雜波的最大電流大小確定,n的值根據(jù)所述雜波的頻率的種類數(shù)量確定,且m,n均取正整數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述m的取值為[所述雜波的最大電流大小/50a]+1,所述n的取值為所述雜波的頻率的種類數(shù)量。
4.如權(quán)利要求3所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述濾波電路包括3×m×n個互相連接的補償單元,所述補償單元被設(shè)置為所述矩陣內(nèi)的各個元素。
5.如權(quán)利要求4所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補償單元根據(jù)立體矩陣的立體方位被分為3組,每組補償單元被分為n列,且每列中包括m個補償單元,其中每組補償單元中,同一列補償單元所能通過的雜波的頻率大小相同,同一列中每個補償單元所能通過的雜波的電流的上限相同,為50a。
6.如權(quán)利要求4所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,每個補償單元包括依次串聯(lián)連接的開關(guān)、感應(yīng)線圈、電流熔斷器、電容器和電抗器。
7.如權(quán)利要求6所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補償單元還包括一電壓保持熔斷器,所述電壓保持熔斷器設(shè)置在所述感應(yīng)線圈和所述電流熔斷器之間,且所述電壓保持熔斷器接地,用于保持所述感應(yīng)線圈和所述電流熔斷器之間的電路的電壓恒定。
8.如權(quán)利要求7所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述補償單元還包括一個電感器,所述電感器與所述電流熔斷器及所述電容器并聯(lián),用于過濾雜波電流,使頻率大小為所述補償單元所在列的頻率,電流上限為50a的雜波電流通過所述電流熔斷器和所述電容器。
9.如權(quán)利要求3所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述用電器件產(chǎn)生的雜波為奇次諧波。
10.如權(quán)利要求9所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述奇次諧波的頻率為150hz、250hz、350hz、450hz、……、[(2n+1)×50]hz,其中n取正整數(shù)。
11.如權(quán)利要求1所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述機臺斷路器的數(shù)量與所述機臺的數(shù)量相同。
12.如權(quán)利要求11所述的用于半導體設(shè)備的供電結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電流補償裝置的數(shù)量與所述機臺斷路器的數(shù)量相同。