本技術(shù)屬于電氣絕緣，具體涉及一種整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、高壓電機(jī)定子繞組通常需采用防暈結(jié)構(gòu)，低阻防暈是其重要組成部分。目前整浸電機(jī)定子繞組通常采用單層低阻防暈結(jié)構(gòu)。對(duì)于頻繁啟停的整浸機(jī)組，現(xiàn)有單層低阻防暈結(jié)構(gòu)在頻繁啟停過程中鐵心槽口易受集中應(yīng)力影響而產(chǎn)生破損，破損區(qū)域露出的主絕緣表面易在高壓下產(chǎn)生放電從而產(chǎn)生電腐蝕，長(zhǎng)時(shí)間的電腐蝕會(huì)導(dǎo)致主絕緣性能下降嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致絕緣失效，從而產(chǎn)生表面放電進(jìn)一步危害主絕緣性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的低阻防暈結(jié)構(gòu)容易出現(xiàn)電腐蝕，導(dǎo)致絕緣失效，從而產(chǎn)生表面放電進(jìn)一步危害主絕緣性能的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是提供一種整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)線和主絕緣層，所述主絕緣層設(shè)在導(dǎo)線外側(cè)，所述主絕緣層外側(cè)設(shè)有第一層低阻半導(dǎo)體層，所述第一層低阻半導(dǎo)體層外側(cè)設(shè)有第二層保護(hù)層，第二層保護(hù)層為可脫離材料，所述第二層保護(hù)層外側(cè)設(shè)有第三層低阻半導(dǎo)體層。

3、通過采用上述技術(shù)方案，第二層保護(hù)層采用可脫離材料，在低阻結(jié)構(gòu)受到集中應(yīng)力導(dǎo)致第三層低阻破損時(shí)，使第一層低阻半導(dǎo)體層與第三層低阻半導(dǎo)體層及時(shí)脫離，保護(hù)第一層低阻的完整性，從而抑制表面放電。

4、可選的，所述第二層保護(hù)層長(zhǎng)度短于第一層低阻半導(dǎo)體層長(zhǎng)度，第三層低阻半導(dǎo)體層長(zhǎng)度與第一層低阻半導(dǎo)體層相同。

5、可選的，所述第一層低阻半導(dǎo)體層半疊包于主絕緣層外側(cè)，所述第三層低阻半導(dǎo)體層半疊包于第二層保護(hù)層外側(cè)。

6、可選的，所述第二層保護(hù)層疏包于第一層低阻半導(dǎo)體層外側(cè)。

7、可選的，所述第二層保護(hù)層為導(dǎo)電的可脫離材料。

8、可選的，所述第二層保護(hù)層為聚四氟乙烯導(dǎo)電帶。

9、可選的，所述第二層保護(hù)層為絕緣的可脫離材料，且第一層低阻半導(dǎo)體層與第二層保護(hù)層之間設(shè)有第四半導(dǎo)體低阻層，第四半導(dǎo)體低阻層與第一層低阻半導(dǎo)體層材料相同。

10、可選的，所述第二層保護(hù)層為聚四氟乙烯帶。

11、綜上所述，本實(shí)用新型至少具有以下一種有益效果：

12、1、本實(shí)用新型將第二層保護(hù)層采用可脫離材料，在低阻結(jié)構(gòu)受到集中應(yīng)力導(dǎo)致第三層低阻破損時(shí)，使第一層低阻半導(dǎo)體層與第三層低阻半導(dǎo)體層及時(shí)脫離，保護(hù)第一層低阻的完整性，從而抑制表面放電。

13、2、本實(shí)用新型第二層保護(hù)層的導(dǎo)電性能保證了即使第三層低阻發(fā)生破損的情況下第一層低阻半導(dǎo)體層仍與導(dǎo)線存在有效電連接從而消除槽內(nèi)放電。

技術(shù)特征：

1.一種整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括導(dǎo)線(1)和主絕緣層(2)，所述主絕緣層(2)設(shè)在導(dǎo)線(1)外側(cè)，所述主絕緣層(2)外側(cè)設(shè)有第一層低阻半導(dǎo)體層(3)，所述第一層低阻半導(dǎo)體層(3)外側(cè)設(shè)有第二層保護(hù)層(4)，第二層保護(hù)層(4)為可脫離材料，所述第二層保護(hù)層(4)外側(cè)設(shè)有第三層低阻半導(dǎo)體層(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二層保護(hù)層(4)長(zhǎng)度短于第一層低阻半導(dǎo)體層(3)長(zhǎng)度，第三層低阻半導(dǎo)體層(5)長(zhǎng)度與第一層低阻半導(dǎo)體層(3)相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層低阻半導(dǎo)體層(3)半疊包于主絕緣層(2)外側(cè)，所述第三層低阻半導(dǎo)體層(5)半疊包于第二層保護(hù)層(4)外側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二層保護(hù)層(4)疏包于第一層低阻半導(dǎo)體層(3)外側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二層保護(hù)層(4)為導(dǎo)電的可脫離材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二層保護(hù)層(4)為聚四氟乙烯導(dǎo)電帶。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二層保護(hù)層(4)為絕緣的可脫離材料，且第一層低阻半導(dǎo)體層(3)與第二層保護(hù)層(4)之間設(shè)有第四半導(dǎo)體低阻層，第四半導(dǎo)體低阻層與第一層低阻半導(dǎo)體層(3)材料相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二層保護(hù)層(4)為聚四氟乙烯帶。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于電氣絕緣技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種整浸電機(jī)定子繞組的低阻復(fù)合防暈結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)線和主絕緣層，所述主絕緣層設(shè)在導(dǎo)線外側(cè)，所述主絕緣層外側(cè)設(shè)有第一層低阻半導(dǎo)體層，所述第一層低阻半導(dǎo)體層外側(cè)設(shè)有第二層保護(hù)層，第二層保護(hù)層為可脫離材料，所述第二層保護(hù)層外側(cè)設(shè)有第三層低阻半導(dǎo)體層，本技術(shù)通過采用上述技術(shù)方案，第二層保護(hù)層采用可脫離材料，在低阻結(jié)構(gòu)受到集中應(yīng)力導(dǎo)致第三層低阻破損時(shí)，使第一層低阻半導(dǎo)體層與第三層低阻半導(dǎo)體層及時(shí)脫離，保護(hù)第一層低阻的完整性，從而抑制表面放電。

技術(shù)研發(fā)人員：張益中,咸哲龍,張燕,鄭剛,沈愉斐,徐建國(guó),余雙敏,應(yīng)鶴天,傅斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海電氣電站設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240111
技術(shù)公布日：2025/1/2