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一種雙層保護控制電路的制作方法

文檔序號:40554229發(fā)布日期:2025-01-03 11:14閱讀:8來源:國知局
一種雙層保護控制電路的制作方法

本技術(shù)涉及開關(guān)電源,具體為一種雙層保護控制電路。


背景技術(shù):

1、開關(guān)電源在實際使用過程中,如充電器單片機失效會對電池包造成損壞嚴重的會發(fā)生爆炸危及人身安全。

2、目前控制電路主要采用的是單片機控制的,如果單片機失效擊穿的情況,輸出端口可能會出現(xiàn)一直高電壓或低電壓,造成控制電路失效現(xiàn)象,輸出電壓超出電池包最高電壓,電池包自身無法關(guān)斷長時間充電電池過沖,電池溫度會急劇上升嚴重會使電池發(fā)生爆炸造成危害。為此,提出一種雙層保護控制電路。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種雙層保護控制電路,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:

3、一種雙層保護控制電路,包括單片機,所述單片機連接電容c24;

4、所述電容c24連接電阻r29,所述電阻r29連接雙向二極管q9;

5、所述雙向二極管q9連接電容c9,所述電容c9連接mos管q11;

6、所述mos管q11連接光耦u3a。

7、進一步,所述單片機通過vcc?ctl端口連接電容c24。

8、進一步,所述雙向二極管q9型號為iss226。

9、進一步,所述電容c9連接電阻r71,所述電阻r71連接mos管q11。

10、進一步,所述電阻r71分別連接mos管q11的1腳和3腳。

11、進一步,所述mos管q11的2腳連接光耦u3a的2腳。

12、進一步,所述光耦u3a的1腳連接電阻r67。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:

14、當單片機失效時,單片機一直輸出高電平c24就不會給c9充電q11就達不到q11導(dǎo)通的條件,單片機一直輸出低電平也滿足不了q11的導(dǎo)通條件,可以防止單片機失效造成安全隱患。



技術(shù)特征:

1.一種雙層保護控制電路,包括單片機,其特征在于:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層保護控制電路,其特征在于:所述單片機通過vccctl端口連接電容c24。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層保護控制電路,其特征在于:所述雙向二極管q9型號為iss226。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層保護控制電路,其特征在于:所述電容c9連接電阻r71,所述電阻r71連接mos管q11。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙層保護控制電路,其特征在于:所述電阻r71分別連接mos管q11的1腳和3腳。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙層保護控制電路,其特征在于:所述mos管q11的2腳連接光耦u3a的2腳。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層保護控制電路,其特征在于:所述光耦u3a的1腳連接電阻r67。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種雙層保護控制電路,包括單片機,所述單片機連接電容C24;所述電容C24連接電阻R29,所述電阻R29連接雙向二極管Q9;所述雙向二極管Q9連接電容C9,所述電容C9連接MOS管Q11;所述MOS管Q11連接光耦U3A。本技術(shù)的有益效果是:當單片機失效時,單片機一直輸出高電平C24就不會給C9充電Q11就達不到Q11導(dǎo)通的條件,單片機一直輸出低電平也滿足不了Q11的導(dǎo)通條件,可以防止單片機失效造成安全隱患。

技術(shù)研發(fā)人員:李洋,劉浩,李奎,李文華,趙靖英,孫曙光,郭澤,黃凱,李玲玲
受保護的技術(shù)使用者:徐州市恒源電器有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240319
技術(shù)公布日:2025/1/2
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