本技術(shù)涉及抑制電路，具體的說是涉及一種超結(jié)mos管的抑制電路。

背景技術(shù)：

1、超結(jié)mos管是mos管的一種，超結(jié)mos管的超結(jié)結(jié)構(gòu)打破了硅限，相對于傳統(tǒng)技術(shù)，在相同的芯片面積上，導通電阻降低了80%-90%，并且具有高開關速度。

2、超結(jié)mos管的優(yōu)勢是效率高，成本低，但劣勢是輻射難度大，在這種情況下90w以上大家在為了解決溫升，多選擇超結(jié)mos管。

3、目前氮化鎵的價格還沒有優(yōu)勢。超結(jié)mos管能解決平面mos不能解決的溫升問題，但是也帶來了比平面mos難度更大的輻射問題。正常大家會在整流橋后，主電解電容之間加上一個10nf左右的瓷片電容，這個電容主要用來濾掉一部分的高頻干擾，這個對于平面mos會有一定的效果，但使用超結(jié)mos管時，這樣的抑制已經(jīng)不能更好的解決輻射問題了。

4、有鑒于此，有必要對現(xiàn)有的超結(jié)mos管的抑制電路作出改進。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本實用新型要解決的技術(shù)問題在于提供了一種超結(jié)mos管的抑制電路，設計該抑制電路的目的是提高抑制效果。

2、為解決上述技術(shù)問題，本實用新型通過以下方案來實現(xiàn)：本實用新型的一種超結(jié)mos管的抑制電路，該抑制電路接至一橋式整流電路bd1的輸出端，其分別并聯(lián)有電容c15、有極性電容c5、有極性電容c7，有極性電容c5、有極性電容c7的負極端均接地pgnd，該抑制電路靠近變壓器的主繞組t1a設置，其包括電容c6和電阻r7，所述電容c6的第一端接至所述主繞組t1a的初級線圈第一端，所述電容c6的第二端和所述電阻r7的第一端連接，所述電阻r7的第二端接地pgnd。

3、進一步地，所述電容c6為能夠濾除高頻干擾的高壓瓷片電容。

4、進一步地，所述電容c6選用規(guī)格為1nf-50nf?1kv的電容。

5、進一步地，所述電阻r7選用阻值范圍是5ω-100ω的貼片電阻。

6、進一步地，所述橋式整流電路bd1的輸出端接至主繞組t1a的初級線圈第一端、電阻r15的第一端，所述電阻r15分別并聯(lián)有電阻r16、電阻r17、電容c8；

7、所述電阻r15的第二端連接電阻r3的第一端，所述電阻r3分別并聯(lián)有電阻r33、電阻r18；

8、所述電阻r3的第二端連接二極管d6的負極端，所述二極管d6的正極端接至所述主繞組t1a的初級線圈第二端。

9、進一步地，所述橋式整流電路bd1的輸入端連接有第二電感電路lf2，所述第二電感電路lf2的輸入端連接第一電感電路lf1，所述第一電感電路lf1接入電源。

10、更進一步地，所述橋式整流電路bd1的兩個ac端均接有光敏電阻，其負極接地pgnd，兩個光敏電阻的另一端一對一的接至第二電感電路lf2的兩個輸出腳，所述第二電感電路lf2的兩個輸出腳與兩個二極管的正極端一對一連接，兩個二極管的負極互接后連接電阻r9的第一端，所述電阻r9的第二端連接電阻r10的第一端，電阻r10的第二端接pwm電路。

11、相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型的有益效果是：

12、1.本實用新型抑制電路對輻射抑制效果好，成本低。

13、2.本實用新型抑制電路器件供應簡單，易采購。

技術(shù)特征：

1.在一種超結(jié)mos管的抑制電路，該抑制電路接至一橋式整流電路bd1的輸出端，其分別并聯(lián)有電容c15、有極性電容c5、有極性電容c7，有極性電容c5、有極性電容c7的負極端均接地pgnd，其特征在于，該抑制電路靠近變壓器的主繞組t1a設置，其包括電容c6和電阻r7，所述電容c6的第一端接至所述主繞組t1a的初級線圈第一端，所述電容c6的第二端和所述電阻r7的第一端連接，所述電阻r7的第二端接地pgnd。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超結(jié)mos管的抑制電路，其特征在于，所述電容c6為能夠濾除高頻干擾的高壓瓷片電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超結(jié)mos管的抑制電路，其特征在于，所述電容c6選用規(guī)格為1nf-50nf?1kv的電容。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超結(jié)mos管的抑制電路，其特征在于，所述電阻r7選用阻值范圍是5ω-100ω的貼片電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超結(jié)mos管的抑制電路，其特征在于，所述橋式整流電路bd1的輸出端接至主繞組t1a的初級線圈第一端、電阻r15的第一端，所述電阻r15分別并聯(lián)有電阻r16、電阻r17、電容c8；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超結(jié)mos管的抑制電路，其特征在于，所述橋式整流電路bd1的輸入端連接有第二電感電路lf2，所述第二電感電路lf2的輸入端連接第一電感電路lf1，所述第一電感電路lf1接入電源。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種超結(jié)mos管的抑制電路，其特征在于，所述橋式整流電路bd1的兩個ac端均接有光敏電阻，其負極接地pgnd，兩個光敏電阻的另一端一對一的接至第二電感電路lf2的兩個輸出腳，所述第二電感電路lf2的兩個輸出腳與兩個二極管的正極端一對一連接，兩個二極管的負極互接后連接電阻r9的第一端，所述電阻r9的第二端連接電阻r10的第一端，電阻r10的第二端接pwm電路。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種超結(jié)MOS管的抑制電路，該抑制電路接至一橋式整流電路BD1的輸出端，其分別并聯(lián)有電容C15、有極性電容C5、有極性電容C7，有極性電容C5、有極性電容C7的負極端均接地PGND，該抑制電路靠近變壓器的主繞組T1A設置，其包括電容C6和電阻R7，所述電容C6的第一端接至所述主繞組T1A的初級線圈第一端，所述電容C6的第二端和所述電阻R7的第一端連接，所述電阻R7的第二端接地PGND。本技術(shù)抑制電路是對現(xiàn)有的工業(yè)供電電路進行優(yōu)化，在高壓瓷片電容上再串聯(lián)一個5?100歐的電阻，提高抑制效果。本技術(shù)抑制電路一定要靠近變壓器的主繞組，這樣的抑制效果會更好。

技術(shù)研發(fā)人員：胥海東,杜戈陽,曾斌強
受保護的技術(shù)使用者：深圳創(chuàng)芯技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240410
技術(shù)公布日：2024/12/23