本技術(shù)涉及電機(jī)，特別是涉及一種轉(zhuǎn)子、電機(jī)及家用電器。

背景技術(shù)：

1、外轉(zhuǎn)子永磁電機(jī)包括轉(zhuǎn)子和定子，轉(zhuǎn)子套設(shè)于定子的外側(cè)。轉(zhuǎn)子包括有圓環(huán)形的軛部和多個永磁體，多個永磁體設(shè)于軛部的內(nèi)側(cè)且環(huán)繞定子設(shè)置。采用上述方案，在電機(jī)的外徑固定的情況下，永磁體的體積較小，磁場強(qiáng)度和氣隙磁密較低，導(dǎo)致電機(jī)的輸出功率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型提出一種轉(zhuǎn)子，在基本不改變電機(jī)外徑的情況下，增加永磁體的體積，以提高磁場強(qiáng)度和氣隙磁密，進(jìn)而提高電機(jī)的輸出功率。

2、本實(shí)用新型還提出一種具有上述轉(zhuǎn)子的電機(jī)及家用電器。

3、根據(jù)本實(shí)用新型第一方面實(shí)施例的轉(zhuǎn)子，繞轉(zhuǎn)動軸線旋轉(zhuǎn)，包括：呈環(huán)狀的軛部，所述軛部的內(nèi)側(cè)壁設(shè)有多個凹槽，多個所述凹槽環(huán)繞所述轉(zhuǎn)動軸線設(shè)置；多個永磁體，所述永磁體和所述凹槽的數(shù)量相同，多個所述永磁體分別安裝于對應(yīng)的所述凹槽，所述永磁體朝向所述凹槽的一側(cè)凸出，所述永磁體的至少部分結(jié)構(gòu)抵接于所述凹槽的內(nèi)壁。

4、根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的轉(zhuǎn)子，至少具有如下有益效果：

5、通過在軛部的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置多個凹槽，多個永磁體安裝于對應(yīng)凹槽內(nèi)，因此凹槽可以起到定位的作用，便于安裝永磁體，提高安裝效率。由于凹槽為軛部的內(nèi)側(cè)凹陷形成，當(dāng)本實(shí)用新型實(shí)施例的轉(zhuǎn)子應(yīng)用于電機(jī)后，可以匹配相同的尺寸型號的轉(zhuǎn)子而不增加電機(jī)的外形尺寸。永磁體朝向凹槽的一側(cè)凸出，能夠增加永磁體的體積，以提高磁場強(qiáng)度；且使得永磁體的磁力線聚集在靠近電機(jī)氣隙的一側(cè)，能夠提升氣隙磁密，降低轉(zhuǎn)子的飽和程度，進(jìn)而提高電機(jī)的輸出功率。

6、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述永磁體朝向所述凹槽的一側(cè)為外凸的第一弧面，和/或所述永磁體朝向所述轉(zhuǎn)動軸線的一側(cè)凹陷形成有第二弧面。

7、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，沿所述轉(zhuǎn)子的徑向，所述軛部最厚處的厚度為hx1，所述軛部最薄處的厚度為hx2，滿足：0.05≤hx2/hx1≤0.95。

8、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，沿所述轉(zhuǎn)子的周向，相鄰兩個所述凹槽之間的最小距離為wx1，所述凹槽的最大開口寬度為wx2，滿足：0.05≤wx2/(wx1+wx2)≤0.95。

9、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，沿所述轉(zhuǎn)子的周向，所述永磁體的最大寬度為wx3，所述凹槽的最大開口寬度為wx2，滿足：0.05≤wx2/wx3≤0.95。

10、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，沿所述轉(zhuǎn)子的徑向，所述軛部最厚處的厚度為hx1，所述軛部最薄處的厚度為hx2，所述永磁體的最大厚度為hx3，滿足：0.05≤hx1/(hx3+hx2)≤0.95。

11、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述軛部包括多個第一段和多個第二段，相鄰兩個所述第一段通過一個所述第二段連接，所述凹槽位于所述第一段，相鄰兩個所述永磁體沿所述轉(zhuǎn)子的周向凸出于所述凹槽的部分相抵接，且和所述第二段的內(nèi)側(cè)壁之間形成有空隙。

12、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述空隙的寬度沿靠近所述轉(zhuǎn)動軸線的方向逐漸減小。

13、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述永磁體沿所述轉(zhuǎn)子周向的至少一端設(shè)有圓角，所述圓角的半徑為r，滿足：0.3mm≤r≤4mm。

14、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述軛部包括環(huán)繞所述轉(zhuǎn)動軸線設(shè)置的多個弧形段，所述弧形段的內(nèi)側(cè)壁凹陷形成有所述凹槽，所述弧形段的外側(cè)壁向外凸出。

15、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述軛部還包括多個連接段，相鄰的所述弧形段通過所述連接段連接。

16、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，沿所述轉(zhuǎn)子的徑向，所述連接段的最大厚度為hy1，所述弧形段的最大厚度為hy2，滿足：hy1≥hy2。

17、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，沿所述轉(zhuǎn)子的周向，所述弧形段的最大寬度為wy1，所述連接段的最大寬度為wy2，滿足：wy1≥wy2。

18、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述轉(zhuǎn)子的最大內(nèi)切圓和所述軛部的外側(cè)壁之間的最大厚度為hy3，所述轉(zhuǎn)子的最大內(nèi)切圓和所述軛部的外側(cè)壁之間的最小厚度為hy4，滿足：hy3＞hy4。

19、根據(jù)本實(shí)用新型第二方面實(shí)施例的電機(jī)，包括定子和上述實(shí)施例所述的轉(zhuǎn)子，所述轉(zhuǎn)子環(huán)繞所述定子外側(cè)設(shè)置。

20、根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的電機(jī)，至少具有如下有益效果：

21、通過采用第一方面實(shí)施例的轉(zhuǎn)子，轉(zhuǎn)子通過在軛部的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置多個凹槽，多個永磁體安裝于對應(yīng)凹槽內(nèi)，因此凹槽可以起到定位的作用，便于安裝永磁體，提高安裝效率。由于凹槽為軛部的內(nèi)側(cè)凹陷形成，當(dāng)本實(shí)用新型實(shí)施例的轉(zhuǎn)子應(yīng)用于電機(jī)后，可以匹配相同的尺寸型號的轉(zhuǎn)子而不增加電機(jī)的外形尺寸。永磁體朝向凹槽的一側(cè)凸出，能夠增加永磁體的體積，以提高磁場強(qiáng)度；且使得永磁體的磁力線聚集在靠近電機(jī)氣隙的一側(cè)，能夠提升氣隙磁密，降低轉(zhuǎn)子的飽和程度，進(jìn)而提高電機(jī)的輸出功率。

22、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述定子包括定子鐵芯，所述定子鐵芯包括齒頂，沿所述轉(zhuǎn)子的周向，所述齒頂?shù)淖畲髮挾葹閣x4，所述永磁體的最大寬度為wx3，滿足：0.7≤wx4/wx3≤1.3。

23、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述軛部的最大軸向長度為lx1，所述定子的最大軸向長度為lx2，所述永磁體的最大軸向長度為lx3，滿足：0＜lx2/lx1≤1，0＜lx1/lx3≤1。

24、根據(jù)本實(shí)用新型第三方面實(shí)施例的家用電器，包括上述實(shí)施例所述的電機(jī)。

25、根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的家用電器，至少具有如下有益效果：

26、通過采用第二方面實(shí)施例的電機(jī)，電機(jī)的轉(zhuǎn)子通過在軛部的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置多個凹槽，多個永磁體安裝于對應(yīng)凹槽內(nèi)，因此凹槽可以起到定位的作用，便于安裝永磁體，提高安裝效率。由于凹槽為軛部的內(nèi)側(cè)凹陷形成，當(dāng)本實(shí)用新型實(shí)施例的轉(zhuǎn)子應(yīng)用于電機(jī)后，可以匹配相同的尺寸型號的轉(zhuǎn)子而不增加電機(jī)的外形尺寸。永磁體朝向凹槽的一側(cè)凸出，能夠增加永磁體的體積，以提高磁場強(qiáng)度；且使得永磁體的磁力線聚集在靠近電機(jī)氣隙的一側(cè)，能夠提升氣隙磁密，降低轉(zhuǎn)子的飽和程度，進(jìn)而提高電機(jī)的輸出功率，提升家用電器的性能。

27、本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.轉(zhuǎn)子，繞轉(zhuǎn)動軸線旋轉(zhuǎn)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述永磁體朝向所述凹槽的一側(cè)為外凸的第一弧面，和/或所述永磁體朝向所述轉(zhuǎn)動軸線的一側(cè)凹陷形成有第二弧面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：沿所述轉(zhuǎn)子的徑向，所述軛部最厚處的厚度為hx1，所述軛部最薄處的厚度為hx2，滿足：0.05≤hx2/hx1≤0.95。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：沿所述轉(zhuǎn)子的周向，相鄰兩個所述凹槽之間的最小距離為wx1，所述凹槽的最大開口寬度為wx2，滿足：0.05≤wx2/(wx1+wx2)≤0.95。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：沿所述轉(zhuǎn)子的周向，所述永磁體的最大寬度為wx3，所述凹槽的最大開口寬度為wx2，滿足：0.05≤wx2/wx3≤0.95。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：沿所述轉(zhuǎn)子的徑向，所述軛部最厚處的厚度為hx1，所述軛部最薄處的厚度為hx2，所述永磁體的最大厚度為hx3，滿足：0.05≤hx1/(hx3+hx2)≤0.95。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述軛部包括多個第一段和多個第二段，相鄰兩個所述第一段通過一個所述第二段連接，所述凹槽位于所述第一段，相鄰兩個所述永磁體沿所述轉(zhuǎn)子的周向凸出于所述凹槽的部分相抵接，且和所述第二段的內(nèi)側(cè)壁之間形成有空隙。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述空隙的寬度沿靠近所述轉(zhuǎn)動軸線的方向逐漸減小。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述永磁體沿所述轉(zhuǎn)子周向的至少一端設(shè)有圓角，所述圓角的半徑為r，滿足：0.3mm≤r≤4mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述軛部包括環(huán)繞所述轉(zhuǎn)動軸線設(shè)置的多個弧形段，所述弧形段的內(nèi)側(cè)壁凹陷形成有所述凹槽，所述弧形段的外側(cè)壁向外凸出。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述軛部還包括多個連接段，相鄰的所述弧形段通過所述連接段連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：沿所述轉(zhuǎn)子的徑向，所述連接段的最大厚度為hy1，所述弧形段的最大厚度為hy2，滿足：hy1≥hy2。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：沿所述轉(zhuǎn)子的周向，所述弧形段的最大寬度為wy1，所述連接段的最大寬度為wy2，滿足：wy1≥wy2。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的轉(zhuǎn)子，其特征在于：所述轉(zhuǎn)子的最大內(nèi)切圓和所述軛部的外側(cè)壁之間的最大厚度為hy3，所述轉(zhuǎn)子的最大內(nèi)切圓和所述軛部的外側(cè)壁之間的最小厚度為hy4，滿足：hy3＞hy4。

15.電機(jī)，其特征在于：包括定子和權(quán)利要求1至14中任一項所述的轉(zhuǎn)子，所述轉(zhuǎn)子環(huán)繞所述定子外側(cè)設(shè)置。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電機(jī)，其特征在于：所述定子包括定子鐵芯，所述定子鐵芯包括齒頂，沿所述轉(zhuǎn)子的周向，所述齒頂?shù)淖畲髮挾葹閣x4，所述永磁體的最大寬度為wx3，滿足：0.7≤wx4/wx3≤1.3。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電機(jī)，其特征在于：所述軛部的最大軸向長度為lx1，所述定子的最大軸向長度為lx2，所述永磁體的最大軸向長度為lx3，滿足：0＜lx2/lx1≤1，0＜lx1/lx3≤1。

18.家用電器，其特征在于：包括權(quán)利要求15至17中任一項所述的電機(jī)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種轉(zhuǎn)子、電機(jī)及家用電器，涉及電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。轉(zhuǎn)子包括軛部和多個永磁體，通過在軛部的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置多個凹槽，多個永磁體安裝于對應(yīng)凹槽內(nèi)，因此凹槽可以起到定位的作用，便于安裝永磁體，提高安裝效率。由于凹槽為軛部的內(nèi)側(cè)凹陷形成，當(dāng)本技術(shù)實(shí)施例的轉(zhuǎn)子應(yīng)用于電機(jī)后，可以匹配相同的尺寸型號的轉(zhuǎn)子而不增加電機(jī)的外形尺寸。永磁體朝向凹槽的一側(cè)凸出，能夠增加永磁體的體積，以提高磁場強(qiáng)度；且使得永磁體的磁力線聚集在靠近電機(jī)氣隙的一側(cè)，能夠提升氣隙磁密，降低轉(zhuǎn)子的飽和程度，進(jìn)而提高電機(jī)的輸出功率。

技術(shù)研發(fā)人員：屈歡,鄭禮成,諸自強(qiáng),史國俊,吳迪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：威靈（蕪湖）電機(jī)制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240517
技術(shù)公布日：2025/1/6