專利名稱：磁放大器直接控制的可控硅整流裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電氣控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種磁放大器直接控制的可控硅整流裝置。
在許多電氣設(shè)備中已經(jīng)采用了可控硅控制裝置，但目前所使用的可控硅控制裝置大多采用具有單獨(dú)的同步電源和移相脈沖觸發(fā)電路，脈沖變壓器或光耦器件等，以實(shí)現(xiàn)用同步移相脈沖觸發(fā)可控硅，達(dá)到輸出信號(hào)可調(diào)的目的，其不足在于結(jié)構(gòu)復(fù)雜、使用和維修麻煩。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、用料省、耗電量小、使用和維修方便的磁放大器直接控制的可控硅整流裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是這樣的它包括輸入端、輸出端、可控硅主電路和磁放大器，其特征在于輸入端與輸出端之間串接有可控硅元件，磁放大器中交流繞組的兩端分別與輸入端和可控硅門極支路相接磁放大器中還設(shè)有直流控制繞組和反饋繞組。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、制造容易、使用方便、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，適用于單相、三相整流設(shè)備，電機(jī)勵(lì)磁、電機(jī)調(diào)速設(shè)備和交流調(diào)壓等電氣設(shè)備。
結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型具體描述如下

圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖之一圖2為本實(shí)用新型的電路原理圖之二。
在圖1中本實(shí)用新型由交流電源輸入接線端3、接線端4，輸出接線端5、接線端6，可控硅SCR1、電容C、電阻R構(gòu)成的可控硅主電路1和SR式磁放大器2組成，可控硅SCR1串接在輸入接線端4和輸出接線端6之間，可控硅SCR1的門極支路上串接有電阻R和電容C，電阻R的另一端與SR式磁放大器2中的交流繞組N2的端子③相連，SR式磁放大器2中的交流繞組N1的端子①與輸入接線端4相接，交流繞組N1的端子②與交流繞組N2的端子④相連，SR式磁放大器2中設(shè)有直流控制繞組N3和反饋繞組N4，接線端7和接線端8為直流控制繞組N3的兩端，接線端9和接線端10為反饋繞組N4的兩端，使用時(shí)，可將直流控制繞組N3的接線端7和接線端8與外界直流控制電源相連接，當(dāng)可控硅SCR1陽(yáng)極處于正半周時(shí)，能輸出一個(gè)0～ (π)/2 移相的調(diào)寬脈沖去觸發(fā)可控硅SCR1自身，由于在可控硅SCR1的門極串接有移相電容C和鎮(zhèn)定電阻R，可使輸出信號(hào)能達(dá)到0～π范圍的移相控制，因?yàn)镾R式磁放大器2在交流電路中表現(xiàn)為一有功元件(純電阻性)，它使得電路電流和所加電壓同相，可控硅SCR1的門極串接了移相電容C之后，使電路中的電流超前所加電壓 (π)/2 ，因而達(dá)到0～π的移相范圍，電路中串接的電阻R，是用來(lái)消除移相觸發(fā)過(guò)程中，由電阻性突變?yōu)殡娙菪詴r(shí)可能會(huì)出現(xiàn)的移相跳變現(xiàn)象，從而達(dá)到0～π平滑移相的目的，SR式磁放大器2處于受外界直流控制電源可控狀態(tài)時(shí)，其工作有如一個(gè)水閘閘門，可以控制它的開(kāi)啟的時(shí)機(jī)，借以控制交流電路電流的大小，其性能和可控硅SCR1的導(dǎo)通角的變化相似，因而利用SR式磁放大器2的這一特性來(lái)控制可控硅SCR1的移相觸發(fā)是非常實(shí)用的。
在圖2中，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例由交流電源輸入接線端3、接線端4、輸出接線端5、接線端6，雙向可控硅SCR2和二極管D構(gòu)成的可控硅主電路1和SR式磁放大器2組成，雙向可控硅SCR2串接在輸入接線端4和輸出接線端6之間，雙向可控硅SCR2的門極支路上接有二極管D，SR式磁放大器2的交流繞組N1的端子①與交流繞組N2的端子④直接跨接在雙向可控硅SCR2的陽(yáng)極與門極，交流繞組N1的端子②與交流繞組N2的端子③相連。使用時(shí)，先將SR式磁放大器2中的直流控制繞組N3的接線端7和接線端8接于外界直流控制電源，然后將輸入端接于交流電源，當(dāng)調(diào)節(jié)外界直流控制電源時(shí)，可使雙向可控硅SCR2的輸出信號(hào)能在0～150°范圍移相控制，在可控硅SCR2門極支路上當(dāng)串接二極管D時(shí)，輸出端輸出信號(hào)的極性隨著二極管D的正接或反接而改變。
權(quán)利要求1.一種磁放大器直接控制的可控硅整流裝置，它包括輸入接線端(3)、(4)、輸出接線端(5)、(6)、可控硅主電路(1)和磁放大器(2)，其特征在于輸入接線端(4)與輸出接線端(6)之間串接有可控硅SCR，磁放大器(2)交流繞組(N1)、(N2)的端子(①)、(③)分別與輸入接線端(4)和可控硅SCR門極支路相接，磁放大器(2)中還設(shè)有直流控制繞組(N3)和反饋繞組(N4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁放大器直接控制的可控硅整流裝置，其特征在于所述的可控硅主電路(1)由可控硅SCR1、電阻R和電容C串聯(lián)而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁放大器直接控制的可控硅整流裝置，其特征在于所述的可控硅主電路(1)由雙向可控硅SCR2構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁放大器直接控制的可控硅整流裝置，其特征在于所述的雙向可控硅SCR2的門極能串接二極管D。
專利摘要本實(shí)用新型屬于電氣控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種磁放大器直接控制的可控硅整流裝置，它主要由輸入端、輸出端，可控硅主電路和磁放大器組成。其特征是輸入端與輸出端之間串接有可控硅元件，磁放大器中交流繞組的兩端分別與輸入端和可控硅門極支路相接，磁放大器中還設(shè)有直流控制繞組和反饋繞組。它克服了傳統(tǒng)電氣控制裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜材料消耗大、使用與維修麻煩的缺陷，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02M5/257GK2145475SQ9224084
公開(kāi)日1993年11月3日 申請(qǐng)日期1992年11月18日 優(yōu)先權(quán)日1992年11月18日
發(fā)明者章兆民 申請(qǐng)人:章兆民