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有源濾波電路及包括該有源濾波電路的電源裝置的制作方法

文檔序號(hào):7305068閱讀:273來源:國知局
專利名稱:有源濾波電路及包括該有源濾波電路的電源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種安裝在電源輸入側(cè)用于改善功率因數(shù)的有源濾波電路,以及包括這樣一種有源濾波電路、具有高功率因數(shù)的電源裝置。
大多數(shù)工業(yè)電力使用的轉(zhuǎn)換電源,例如變壓器、整流器、交流變換器等,包括電容器輸入型整流電路。這種整流電路的一個(gè)典型例子示于圖3中。
由交流電源A供給的交流電通過一個(gè)二極管電橋B進(jìn)行整流,并由電容器C濾波。在圖4(a)~(c)中示出在圖3電路的每個(gè)元件中電壓波形和電流波形。當(dāng)具有如圖4(a)所示波形的輸入電壓Vin是由交流電源A提供時(shí),電容器C的輸出電壓Vout具有如圖4(b)中實(shí)線所示的波形。當(dāng)不存在電容器C時(shí),圖4(b)中的虛線表示供給負(fù)載Lo的電壓波形。如圖4(c)所示,只有當(dāng)圖4(b)中的實(shí)線和虛線重疊時(shí),輸入電流Iin流過。
但是,在這樣一種電路中,因?yàn)橹挥挟?dāng)電壓接近如圖4(b)和4(c)所示的其峰值時(shí)輸入電流才流過,所以電流峰值必然是高的。如果包括大量的上述較高諧波的電流流過電路,則交流電路的電壓波形就失真,并且較高的諧波進(jìn)入其它設(shè)備會(huì)導(dǎo)致電氣設(shè)備失靈等,同時(shí),降低交流電源A的功率因數(shù)。
迄今為了解決上述問題,已提出各種建議。有一種在輸入電路中安裝有一個(gè)電阻器的系統(tǒng)。然而,這種系統(tǒng)在效率、波形改善及由于負(fù)載電流引起的整流電壓的變化等方面均不利。還有一種在輸入電路中包括電感器的簡單系統(tǒng),該系統(tǒng)適合于小輸出電路。然而,這種包括電感器的系統(tǒng)是不利的,因?yàn)樗褂玫碾姼衅鞒叽绱螅撓到y(tǒng)不能有效改善波形,以及由于負(fù)載電流引起的整流電壓的大變化等。另外還有一種在輸入電路中包括一個(gè)有源濾波電路的系統(tǒng),該系統(tǒng)最有效且廣泛地用于抑制較高的諧波。但是,這種有源濾波電路通常是不利的,因?yàn)樗迷臄?shù)目增加,并且造價(jià)高。
例如有一種有源濾波電路,它包括一個(gè)晶體管,該晶體管構(gòu)成一個(gè)用于流入電容器的電流的旁路。晶體管的的迅速開關(guān)轉(zhuǎn)換使平均輸入電流具有接近正弦的波形。圖5示出升壓斬波型有源濾波電路的一個(gè)例子。
這種有源濾波電路包括一個(gè)交流電源51、一個(gè)二極管電橋52、一個(gè)電感器53、一個(gè)二極管54、一個(gè)電阻器55、一個(gè)連接在電感器53和電阻器55之間的晶體管56和一個(gè)連接在二極管54和電阻器55之間的電容器57。負(fù)載60與電容器57并聯(lián)。該有源濾波電路還包括一個(gè)與二極管52的輸出端、電阻器55、晶體管56的控制極和二極管54的輸出端連接的控制器61。在這樣一種有源濾波電路中,借助于晶體管56的高頻轉(zhuǎn)換可以降低該有源濾波器所必需的電感L和電容C的電平。因此,當(dāng)晶體管轉(zhuǎn)換更快時(shí),在這種電路中作為電感L使用的扼流線圈就可以小型化。
用于有源濾波電路的扼流線圈可以是帶有間隙的鐵磁芯、帶有間隙的硅鋼磁芯、帶有間隙的由非晶態(tài)鐵基合金制成的磁芯和無間隙的由非晶態(tài)鐵基合金或Fe-Al-Si合金粉末制成的磁芯等。但是,用于有源濾波電路的扼流線圈的鐵磁芯可能容易飽和,為了顯示足夠的作用,擴(kuò)大間隙、增加線圈匝數(shù)或增大磁芯尺寸是必要的。線圈匝數(shù)的增加會(huì)引起銅損增加和線圈發(fā)熱,結(jié)果是溫度急劇升高。從另一方面來說,如果增大扼流線圈,整個(gè)電路就不能小型化。
因?yàn)槭褂霉桎摯判镜亩罅骶€圈在高頻下芯體損耗大,用于扼流線圈和其它元件小型化的高頻轉(zhuǎn)換會(huì)導(dǎo)致劇烈升溫,這意味著轉(zhuǎn)換頻率不能提高到如此程度。在使用帶有間隙的由非晶態(tài)鐵基合金制成的磁芯的扼流線圈的情況下,因?yàn)榇判颈磺懈钜蕴峁╅g隙,所以磁芯應(yīng)當(dāng)與樹脂一起整體模壓成形。然而,因?yàn)榉蔷B(tài)鐵基合金具有大的磁致伸縮,所以磁芯具有顯著增加的芯體損耗的缺點(diǎn),并且可能產(chǎn)生由磁致伸縮振動(dòng)引起的噪聲。在使用無間隙的由非晶態(tài)鐵基合金制成的磁芯的情況下,可能發(fā)生由磁致伸縮振動(dòng)引起的共振,造成扼流線圈的工作隨頻率不穩(wěn)定,并且也可能產(chǎn)生由磁致伸縮振動(dòng)引起的噪聲。
盡管壓粉鐵芯是廉價(jià)的,但是大的芯體損耗的缺點(diǎn)使它的導(dǎo)磁率低至100以下。另外,包含壓粉鐵芯的扼流線圈不能夠小型化到如此程度。使用Fe-Al-Si合金的壓粉磁芯的扼流線圈在性能方面優(yōu)于使用壓粉鐵芯的扼流線圈,但是Fe-Al-Si合金的壓粉磁芯不能充分小型化。
如上所述,在普通有源濾波電路中使用的扼流線圈具有其本身的問題,于是已經(jīng)要求提供一種高性能的扼流線圈,該扼流線圈適用于高可靠性、高功率因數(shù)的有源濾波電路,及具有高功率因數(shù)的包括這樣一個(gè)有源濾波電路的電源裝置。
因此,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有高可靠性和高功率因數(shù)的有源濾波電路。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種包括這樣一種有源濾波電路的電源裝置。
作為基于上述目的的認(rèn)真研究的結(jié)果,發(fā)明人發(fā)現(xiàn),適用于有源濾波電路的扼流線圈由磁芯和至少一根圍繞該磁芯纏繞的導(dǎo)線構(gòu)成。該磁芯由微晶合金制成的帶或粉末和/或片粉形成,并且至少在其一個(gè)部分里具有磁隙。因?yàn)檫@樣一種扼流線圈溫升較小,并且其磁芯不可能被輸入電流飽和,因此包括這樣一種扼流線圈的有源濾波電路能夠小型化,并且能夠在高速轉(zhuǎn)換操作中使用?;谶@一發(fā)現(xiàn)完成了本發(fā)明。
在本發(fā)明的第一個(gè)方面,提供一種包括一個(gè)平滑濾波器的有源濾波電路,該濾波器包括一個(gè)扼流線圈,這個(gè)扼流線圈包含一個(gè)由微晶合金制成的并至少在其一個(gè)部分中有磁隙的磁芯和至少一根圍繞該磁芯纏繞的導(dǎo)線。
在本發(fā)明的第二個(gè)方面,提供一種包括一個(gè)平滑濾波器的有源濾波電路,該濾波器包括一個(gè)扼流線圈,這個(gè)扼流線圈包含一個(gè)由微晶合金粉末和/或片粉及絕緣材料構(gòu)成的磁芯和至少一根圍繞該磁芯纏繞的導(dǎo)線。
在本發(fā)明的第三個(gè)方面,提供一種在其輸入電路的至少一部分中包括這樣一種有源濾波電路的電源裝置。
附圖的簡要說明

圖1是表示按照本發(fā)明的有源濾波電路的一個(gè)例子的示意圖。
圖2是表示按照本發(fā)明的有源濾波電路的另一個(gè)例子的示意圖。
圖3是表示電容輸入型整流電路的一個(gè)例子的示意圖。
圖4(a)是表示在電容輸入型整流電路中在交流電源的輸出端的電壓Vin的波形示意圖。
圖4(b)是表示在電容輸入型整流電路中在電容器處的電壓Vout的波形示意圖。
圖4(c)是表示在電容輸入型整流電路中在交流電源的輸出端的電流Iin的波形示意圖。
圖5是表示升壓斬波型有源濾波電路的一個(gè)例子的示意圖。
圖6是表示本發(fā)明的扼流線圈和普通的扼流線圈在100kHz時(shí)的直流疊加特性曲線圖。
優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述(1)微晶合金用于本發(fā)明的有源濾波電路的扼流線圈的微晶合金可以是在日本專利申請公開No.1-242755和美國專利No.4881989中描述的合金。
在本發(fā)明中所使用的微晶合金的一個(gè)特殊例子是一種鐵基合金,該鐵基合金含有0.1~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,1~7%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,10~17%(原子)的Si,4~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì),該合金能夠保持低的溫升。更準(zhǔn)確地說,這種微晶合金的優(yōu)選組成是0.5~2%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,1.5~5%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,10~15%(原子)的Si,6~9.5%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
在本發(fā)明中使用的微晶合金的另一個(gè)例子是一種Fe基合金,它含有0~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,2~10%(原子)的至少一個(gè)選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,0~<10%(原子)的Si,2~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。即使當(dāng)大的輸入電流流過時(shí),該合金作為扼流線圈能夠顯示足夠的作用。更準(zhǔn)確地說,這種微晶合金的優(yōu)選組成是0~2%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,5~8%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,0~8%(原子)的Si,3~8%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
在任何情況下,該微晶合金的至少50%的組織被平均直徑為100nm或小于100nm的、優(yōu)選50nm或小于50nm的、更優(yōu)選20nm或小于20nm的超細(xì)晶粒所占據(jù)。超細(xì)晶粒主要由含有以Fe為主要成分和以合金化元素例如Si等為固溶成分的bcc相(體心立方晶格相)組成。如果平均直徑為100nm或小于100nm的超細(xì)晶粒的總量低于50%(體積),則不能達(dá)到足夠的性能。盡管微晶合金可以是100%的微晶,微晶合金的剩余部分可以由非晶態(tài)相構(gòu)成。
微晶合金通常可以制成厚度是約1~40μm的薄帶。當(dāng)鐵損應(yīng)當(dāng)特別被降低時(shí),薄帶的優(yōu)選厚度是約1~25μm??梢酝ㄟ^粉化這樣的薄帶生產(chǎn)微晶合金的粉末和/或片粉。
可以通過形成非晶態(tài)Fe基合金薄帶并熱處理所形成的薄帶生產(chǎn)微晶合金的薄帶。明確地說,首先通過快速淬火法,例如單輥法、雙輥法等形成厚度約1~40μm的非晶態(tài)合金薄帶。該薄帶可以部分地包括結(jié)晶相,例如bcc相、Fe-B化合物相等等。在纏繞成環(huán)形之后,將該薄帶在溫度等于或高于結(jié)晶溫度、尤其是450~700℃、更好是500~600℃,在惰性氣體例如氬氣、氮?dú)獾鹊姆諊谢蛟诳諝庵袩崽幚?分鐘到100小時(shí)。這里所用的術(shù)語“結(jié)晶溫度”意指結(jié)晶開始溫度,該結(jié)晶開始溫度能夠在以10℃/min的加熱速度時(shí)借助示差掃描量熱計(jì)通過觀測由結(jié)晶產(chǎn)生的熱來測定。通過這種熱處理,至少50%(體積)的合金組織被平均晶粒大小為100nm或小于100nm的超細(xì)晶粒占據(jù)。然后,已熱處理的合金優(yōu)選以0.1℃/min或高于0.1℃/min速度進(jìn)行冷卻。
在粉末和/或片粉的情況下,將微晶合金的薄帶粉碎化。也可以通過霧化方法產(chǎn)生微晶合金的粉末和/或片粉。合金粉末可以具有0.1~100μm的平均直徑,而合金片粉可以具有5~500μm的平均直徑和1~30μm的平均厚度。
優(yōu)選微晶合金具有基本為0或稍微正數(shù)的、尤其是0至+6×10-5的磁致伸縮。當(dāng)微晶合金的磁致伸縮為0時(shí),磁芯顯示小的芯體損耗,結(jié)果導(dǎo)致最小的溫升。當(dāng)微晶合金的磁致伸縮是稍微正數(shù)時(shí),與電流相比電感的減少是小的,這就能夠在寬的輸出范圍內(nèi)得到高的功率因數(shù)。
(2)扼流線圈由微晶合金磁芯構(gòu)成的扼流線圈僅顯示小的溫升,而且不太可能被輸入電流飽和,當(dāng)用在有源濾波電路中時(shí)能實(shí)現(xiàn)高頻轉(zhuǎn)換。因此,該有源濾波電路僅占有小的空間。
在環(huán)形磁芯的情況下,用絕緣材料例如耐熱樹脂纏繞并固化微晶合金薄帶。該絕緣材料的優(yōu)選例子是酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等等。然后將樹脂固化的纏繞磁芯在其至少一部分中徑向切割,以便有一個(gè)0.1~5mm寬的磁隙??梢杂媒^緣材料制成的墊片將磁隙填滿。在纏繞導(dǎo)線線圈之前,將帶有間隙的磁芯插入一個(gè)非磁性的外殼中。
在通常所說的由微晶合金粉末和/或片粉及絕緣材料制成的樹脂結(jié)合的磁芯情況下,該絕緣材料可以是耐熱的有機(jī)或無機(jī)粘結(jié)劑,例如耐熱的無機(jī)漆等。導(dǎo)線線圈可以圍繞有或沒有非磁性外殼磁芯纏繞。
(3)有源濾波電路本發(fā)明的有源濾波電路包括由上述扼流線圈構(gòu)成的平滑濾波器。在圖1和2中示出本發(fā)明的有源濾波電路的例子。
圖1中所示的有源濾波電路包括一個(gè)交流電源1,一個(gè)有兩個(gè)端子2a、2b并與交流電源1連接的二極管電橋2,一個(gè)有電感L并且與二極管電橋2的2c端連接的扼流線圈3,一個(gè)與扼流線圈3連接的二極管4,一個(gè)與二極管電橋2的2d端連接的電阻器5,一個(gè)連接在扼流線圈3和電阻器5之間的晶體管6,以及一個(gè)連接在二極管4和電阻器5之間的電容器7。與電容器7并聯(lián)的是轉(zhuǎn)換電源10。該有源濾波電路還包括一個(gè)放大器11,該放大器具有一個(gè)與二極管4的輸出端連接的端子和另一個(gè)與參考電壓12連接的端子。放大器11的輸出端與倍增器13的一個(gè)輸入端連接,而倍增器13的另一個(gè)輸入端連接在二極管電橋2和扼流線圈3之間。倍增器13的輸出端與一個(gè)低通濾波器14連接,該低通濾波器接著又與一個(gè)脈寬調(diào)制(PWM)控制器15連接。該P(yáng)WM控制器15也與電阻器5連接,并通過驅(qū)動(dòng)器16與晶體管6的控制極連接。
圖2中所示的有源濾波電路具有與圖1中所示電路相似的結(jié)構(gòu)。圖2所示的有源濾波電路的一個(gè)特點(diǎn)是它包括比較器20和狀態(tài)電阻21。該比較器20的一個(gè)輸入端與倍增器13連接而另一個(gè)輸入端連接在晶體管6和電阻器5之間。該狀態(tài)電阻21與比較器20、扼流線圈3、并經(jīng)過驅(qū)動(dòng)器16與晶體管6的控制極連接。圖2所示的有源濾波電路的另一個(gè)特點(diǎn)是電阻器5與晶體管6串聯(lián),并且與電容器7并聯(lián)。
(4)電源裝置按照本發(fā)明的另一個(gè)方面,在于提供在其輸入電路的至少一個(gè)部分中包括上述有源濾波電路的電源裝置。就這種有源濾波電路來說,在保持高功率因數(shù)的同時(shí),電感元件和電容元件可以小型化。結(jié)果是電源裝置可以小型且高度可靠。本發(fā)明的電源裝置比使用由非晶態(tài)鐵基合金制成的扼流線圈的電源裝置產(chǎn)生更小的噪聲。
參照下述實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明,這些實(shí)施例并不是以限制本發(fā)明范圍為目的的。
實(shí)施例1、比較例1通過單輥法驟冷熔融合金產(chǎn)生寬12.5mm和厚10μm的薄合金帶,該熔融合金主要含有1%(原子)Cu、2%(原子)Nb、15.5%(原子)Si、6.5%(原子)B、其余的為Fe,然后纏繞成外徑33mm、內(nèi)徑20mm的環(huán)形芯。在550℃和氬氣氣氛中將所制成的環(huán)形芯熱處理1小時(shí)。熱處理的合金的X射線衍射觀測和透射電子顯微鏡顯示50%或大于50%的合金組織是超細(xì)的bcc鐵相,這證實(shí)合金是微晶的。該微晶合金也有低于1×10-6磁致伸縮。
在真空中用環(huán)氧樹脂浸漬環(huán)形芯,然后在恒溫室中硬化。緊接著,用切片機(jī)在其磁路的一部分上切割樹脂模壓的環(huán)形芯,并用一種非磁性墊片填充所產(chǎn)生的間隙,以提供一個(gè)0.5mm的磁隙。將所得到的磁芯插入一個(gè)由酚醛樹脂制成的外殼中,并圍繞外殼纏繞50匝導(dǎo)線,以提供一個(gè)具有50μH電感的扼流線圈。以這種扼流線圈作為電感L,形成如圖1所示的有源濾波電路,以便在輸入電壓為120V、輸出功率為1KW和轉(zhuǎn)換頻率為100kHz下測量扼流線圈的功率因數(shù)和溫升△T。結(jié)果示于表1中。
為了比較,在圖1的電路中使用包含壓粉鐵芯的扼流線圈的情況下,該扼流線圈的溫升△T、功率因數(shù)和磁芯尺寸也示于表1中。
表1磁芯序號(hào) 材料 尺寸(1) △T(℃)功率因數(shù)實(shí)施例1微晶(2)33×20×12.5 350.998比較例1壓粉鐵芯(3)45×20×20 450.991注 (1)外徑×內(nèi)徑×高(2)Febal.Cu1Nb2Si15.5B6.5。
(3)由電鍍鐵制成(純鐵)從表1可以清楚地看到,用于本發(fā)明有源濾波電路的扼流線圈(實(shí)施例1)在尺寸和溫升方面都比普通的扼流線圈(比較例1)小,這樣就能實(shí)現(xiàn)一種具有比后者更高的功率因數(shù)的有源濾波電路。
實(shí)施例2~16、比較例2~4以與實(shí)施例1相同的方式由表2所示的合金制成微晶合金的環(huán)形磁芯,同時(shí)通過將表2所示的粉末化微晶合金與7%(重量)作為粘結(jié)劑的耐熱無機(jī)漆相混合并在400℃壓制所形成的混合物制成微晶合金的壓粉磁芯。每個(gè)磁芯在550℃熱處理1小時(shí)。每個(gè)磁芯的大小是外徑35mm、內(nèi)徑20mm、高12.5mm。
熱處理過的磁芯中的每種合金的X射線衍射觀測和透射電子顯微鏡顯示50%或高于50%的合金組織是超細(xì)的bcc鐵相,這證實(shí)該合金是微晶的。
導(dǎo)線圍繞各個(gè)磁芯纏繞,以提供用于有源濾波電路的扼流線圈。然后將該扼流線圈作為電感L接入圖2所示的有源濾波電路中,以便在輸入電壓120V、輸出功率1KW和轉(zhuǎn)換頻率100kHz下測量扼流線圈的功率因數(shù)和溫升△T。結(jié)果示于表2中。
表2序號(hào) 合金組成(原子%)形式 △T(℃) 功率因數(shù)實(shí)施例2 Febal.Cu1Nb2Si11B9帶間隙35 0.9963 Febal.Cu1Ta2Si11B9壓粉芯36 0.9954 Febal.Cu1Hf2Si10B9帶間隙37 0.9955 Febal.Cu1Zr5B9帶間隙35 0.9966 Febal.Cu1Hf7B5壓粉芯38 0.9967 Febal.Cu1Zr2Si8B9帶間隙35 0.9948 Febal.Cu1Zr8W1B2壓粉芯36 0.9959 Febal.Cu1Nb3Si13B7壓粉芯34 0.99610 Febal.Cu1Nb2Si17B6帶間隙37 0.99611 Febal.Au1Nb2V1Si10B9帶間隙38 0.99412 Febal.Cu1Mo3Si16B6.5帶間隙38 0.99413 Febal.Cu1Nb5Si13B9壓粉芯36 0.99614 Febal.Zr7B3帶間隙39 0.99615 Febal.Cu1Nb3Si17B3帶間隙41 0.99416 Febal.Cu0.6Zr7Si11B6帶間隙40 0.994比較例2 非晶態(tài)Fe基合金(1)帶間隙43 0.9923 硅鋼 帶間隙53 0.9904 Fe-Al-Si(2)壓粉芯43 0.992注 (1)Febal.Si9B13。
(2)Febal.Al10Si5(重量%)。
從表2可清楚地看到,本發(fā)明的扼流線圈僅具有小的溫升,并且在高的功率因數(shù)的同時(shí)能夠小型化。因此,包括本發(fā)明的有源濾波電路的電源裝置在具有優(yōu)異的特性的同時(shí)能夠被大大地小型化。
實(shí)施例17~19、比較例5~7對用于有源濾波電路的、根據(jù)本發(fā)明使用表3所示的合金制成的扼流線圈和普通的扼流線圈,在100kHz下測量它們的直流疊加特性。結(jié)果示于圖6中。
表3還表示了在100kHz頻率、0.1TBm下,當(dāng)向磁芯施加5Oe的磁場時(shí)的芯體損失Pc。
表3序號(hào) 合金組成(原子%) 芯體損失Pc(kW.m-3)實(shí)施例17 Febal.Cu1Nb2Si10B948018 Febal.Cu1Nb2Si16B737019 Febal.Cu1Zr7Si1B6530比較例5 Fe-Al-Si壓粉芯(1)16006 非晶態(tài)Fe合金(2)6507 壓粉鐵芯(3)5500注(1)Febal.Al10Si5(重量%)。
(2)Febal.Si9B13。
(3)電鍍鐵(純鐵)。
從表3可清楚地看到,因?yàn)楸景l(fā)明的扼流線圈在一個(gè)被疊加的直流磁場時(shí),顯示小的芯體損失Pc,所以當(dāng)被用在有源濾波電路中時(shí),它能高效地抑制溫升。
表4表示包括本發(fā)明扼流線圈的有源濾波電路和包括非晶態(tài)Fe基合金的普通扼流線圈的有源濾波電路的噪聲。從表4可清楚地知道,本發(fā)明的扼流線圈比非晶態(tài)Fe基合金的普通扼流線圈產(chǎn)生的噪聲小。
表4序號(hào)軛流線圈的材料 噪聲實(shí)施例17微晶Febal.Cu1Nb2Si10B932dB比較例6 非晶態(tài)Fe合金 41dB正如上面詳細(xì)描述的那樣,通過使用在有源濾波電路中僅具有小噪聲和小溫升的扼流線圈,有源濾波電路能被小型化。另外,包括這樣一種有源濾波電路的電源裝置是小型的且具有高的功率因數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種包括一個(gè)平滑濾波器的有源濾波電路,該平滑濾波器包括一個(gè)扼流線圈,該扼流線圈包括一個(gè)由微晶合金制成的并至少在其一個(gè)部分上有磁隙的環(huán)形磁芯及至少一根圍繞該環(huán)形磁芯纏繞的導(dǎo)線。
2.一種包括一個(gè)平滑濾波器的有源濾波電路,該平滑濾波器包括一個(gè)扼流線圈,該扼流線圈包括微晶合金粉末和/或片粉和絕緣材料制成的磁芯及至少一根圍繞該磁芯纏繞的導(dǎo)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源濾波電路,其中所述的微晶合金是一種Fe基合金,它含有0.1~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,1~7%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,10~17%(原子)的Si,4~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源濾波電路,其中所述的微晶合金是一種Fe基合金,它含有0.1~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,1~7%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,10~17%(原子)的Si,4~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源濾波電路,其中所述的微晶合金是一種Fe基合金,它含有0~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,2~10%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,0~<10%(原子)的Si,2~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源濾波電路,其中所述的微晶合金是一種Fe基合金,它含有0~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,2~10%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,0~<10%(原子)的Si,2~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源濾波電路,其中所述的絕緣材料是一種耐熱的有機(jī)或無機(jī)粘結(jié)劑。
8.一種電源裝置,它在輸入電路的至少一個(gè)部分中包括一個(gè)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的有源濾波電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括一個(gè)平滑濾波器的有源濾波電路,該平滑濾波器包括一個(gè)扼流線圈,所述扼流線圈包括一個(gè)由微晶合金構(gòu)成的并至少在其一個(gè)部分上有一磁隙的磁芯及至少一根圍繞該磁芯纏繞的導(dǎo)線。該微晶合金的組成為0.1~3%(原子)的至少一種選自Cu和Au中的元素,1~7%(原子)的至少一種選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo和W中的元素,10~17%(原子)的Si,4~10%(原子)的B,其余基本上是Fe和不可避免的雜質(zhì)。
文檔編號(hào)H02M1/42GK1119366SQ9411897
公開日1996年3月27日 申請日期1994年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1993年11月26日
發(fā)明者吉澤克仁, 阿部徹, 中島晉, 荒川俊介 申請人:日立金屬株式會(huì)社
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