歷，其中，該第I以及第2異常履歷設定部由熔斷器13A以及13B、電阻R2A以及R2B、和晶體管Q2A以及Q2B構成。
[0116]并且，實施方式7的IPM7還具備第I以及第2熔斷器斷線告知部(異?，F(xiàn)象告知部)，該第I以及第2熔斷器斷線告知部基于特定異常檢測信號S14A以及S14B的針對是否發(fā)生了異?，F(xiàn)象的指示內容(“H”、“L”電平)，控制發(fā)光二極管D4A以及D4B的發(fā)光的有無。
[0117]關于上述第I以及第2熔斷器斷線告知部，由于基于特定異常檢測信號S14A以及S14B的指示內容控制發(fā)光二極管D4A以及D4B的發(fā)光的有無，因此能夠快速地向外部(使用光耦合器22、發(fā)光二極管D4A以及D4B等的用戶側)告知與發(fā)生溫度上升異常現(xiàn)象或者短路異?，F(xiàn)象時相伴的熔斷器13A以及13B的斷線的有無。
[0118]<實施方式8>
[0119]圖9是示意性表示本發(fā)明的實施方式8即IPM8的異常輸出部以及異常履歷設定部和其周邊的電路圖。此外，對結構與圖7中示出的結構相同的部分(異常輸出部、第I以及第2異常履歷設定部、異常檢測電路14A以及14B、鎖存電路15A以及15B、綜合異常檢測電路17、電源21以及光耦合器22、以及外部端子Pl?P3等)，標注相同標號而適當省略說明。
[0120]異常檢測電路14A被輸入比較器檢測信號S18A，并基于比較器檢測信號S18A的“H”/ “L”，輸出“H”/ “L”的特定異常檢測信號S14A。
[0121]異常檢測電路14B被輸入比較器檢測信號S18B，并基于比較器檢測信號S18B的“H”/ “L”，輸出“H”/ “L”的特定異常檢測信號S14B。
[0122]作為參數(shù)檢測電路的溫度檢測電路34搭載在IPM8的IGBT56 (參照圖4)附近，輸出檢測溫度信號S34，該檢測溫度信號S34表示基于檢測的溫度(表示IPM8的動作狀態(tài)的狀態(tài)參數(shù))的電壓。
[0123]比較器18A在負輸入端接收比較電壓V175(與檢測溫度信號S34指示175°C時相當?shù)碾妷?，在正輸入端接收檢測溫度信號S34，并基于比較電壓V175和檢測溫度信號S34的比較結果輸出比較器檢測信號S18A。S卩，比較器18A輸出比較器檢測信號S18A，該比較器檢測信號S18A在檢測溫度信號S34指示出超過175°C的溫度時，變?yōu)椤癏”，在指示小于175°C的溫度時變?yōu)椤癓”。
[0124]比較器18B在負輸入端接收比較電壓V150(與檢測溫度信號S34指示150°C時相當?shù)碾妷?，在正輸入端接收檢測溫度信號S34，并基于比較電壓V150和檢測溫度信號S34的比較結果輸出比較器檢測信號S18B。S卩，比較器18B輸出比較器檢測信號S18B，該比較器檢測信號S18B在檢測溫度信號S34指示出超過150°C的溫度時變?yōu)椤癏”，在指示小于150°C的溫度時變?yōu)椤?L”。
[0125]這樣，比較器18A以及18B作為參數(shù)分類部起作用，該參數(shù)分類部將2個參數(shù)分類信號作為比較器檢測信號S18A以及S18B而輸出，該2個參數(shù)分類信號對是否發(fā)生了基于檢測溫度信號S34所指示的檢測溫度而分類的2個異?，F(xiàn)象(檢測溫度大于或等于(超過)150°C、大于或等于(超過)175°C)進行指示。
[0126]綜合異常檢測電路17接收比較器檢測信號S18B，基于比較器檢測信號S18B的“H”/ “L”將異常檢測信號SF設定為“H”/ “L”。因此，在檢測溫度信號S34指示出超過150°C的溫度時，利用異常輸出部從外部端子P2輸出“L”的錯誤輸出信號F0。
[0127]以這種方式構成的實施方式8的第I異常履歷設定部，在比較器檢測信號SlSAS“H”的超過175°C的過熱狀態(tài)即發(fā)生重要度大的溫度上升異常現(xiàn)象時，將特定異常檢測信號S14A變?yōu)椤癏” (被鎖存電路15A鎖存)作為觸發(fā)，執(zhí)行與實施方式6的第I異常履歷設定部相同的第I異常履歷動作，因此能夠使熔斷器13A斷線。
[0128]同樣地，實施方式8的第2異常履歷設定部，在比較器檢測信號S18B為“H”的超過150°C的過熱狀態(tài)即發(fā)生重要度中的溫度上升異常現(xiàn)象時，將特定異常檢測信號S14B變?yōu)椤癏”作為觸發(fā)，執(zhí)行與實施方式6的第2異常履歷設定部相同的第2異常履歷動作，因此能夠使熔斷器13B斷線。
[0129]這樣，實施方式8的IPM8與實施方式6的IPM6相同，能夠根據(jù)因第I以及第2異常履歷設定部的上述第I以及第2異常履歷動作引起的熔斷器13A以及13B的斷線的有無，以能夠在溫度上升異常現(xiàn)象處于150°C?175°C的范圍的重要度中等和超過175°C的重要度大之間進行區(qū)分識別的方式保留與是否發(fā)生溫度上升異?，F(xiàn)象以及等級(重要度)相關的履歷，其中，該第I以及第2異常履歷設定部由熔斷器13A以及13B、電阻R2A以及R2B、和晶體管Q2A以及Q2B構成。
[0130]S卩，能夠對如下情況進行識別，即，在熔斷器13A以及熔斷器13B均斷線時，產生重要度大的溫度上升異?，F(xiàn)象，在僅熔斷器13B斷線時，產生重要度中等的溫度上升異?，F(xiàn)象，在熔斷器13A以及13B均未斷線時，未產生溫度上升異?，F(xiàn)象。
[0131]如上所述，實施方式8的IPM8能夠根據(jù)2個熔斷器13A以及13B的斷線的有無，識別與是否發(fā)生溫度上升程度不同的2個溫度上升異?，F(xiàn)象相關的履歷，其中，該2個熔斷器13A以及13B的斷線的有無，與基于共通的狀態(tài)參數(shù)即檢測溫度信號S34所指示的檢測溫度的值而分類的2個等級(重要度大、重要度中等)的溫度上升異?，F(xiàn)象(至少2個異?，F(xiàn)象)相對應。其結果，在2個等級的溫度上升異常現(xiàn)象發(fā)生后，能夠迅速進行與檢測溫度等級對應的解析、對策，因此一邊對錯誤實施適當?shù)膶Σ咭贿吺褂肐PM8，從而能夠實現(xiàn)裝置的長壽命化。
[0132]<實施方式9>
[0133]圖10是示意性表示本發(fā)明的實施方式9即IPM9的第I?第3異?，F(xiàn)象識別以及異常履歷設定部和其周邊的電路圖。此外，對結構與圖1中示出的結構相同的部分(異常輸出部、電源21以及光耦合器22、外部端子Pl?P3等)標注相同標號而適當省略說明。
[0134]IPM9的異常履歷設定部由熔斷器19、電阻R12A以及(NPN雙極)晶體管Q12A和鎖存電路25A構成，在外部端子P1、外部端子P3間串聯(lián)地插入熔斷器19、電阻R12A以及晶體管Q12A。
[0135]S卩，熔斷器19的一端與外部端子Pl連接，另一端與電阻R12A的一端連接，電阻R12A的另一端與晶體管Q12A的集電極連接，晶體管Q12A的發(fā)射極與外部端子P3 (接地電壓GND的電平)連接。并且，向晶體管Q12A的基極施加對特定異常檢測信號S24A進行鎖存的鎖存電路25A的輸出。
[0136]異常履歷設定部還具備比較器16。在比較器16的正輸入端施加基準電壓Vref，在負輸入端連接電阻R12A的另一端(晶體管Q12A的集電極)?；鶞孰妷篤ref設定為大于熔斷器19的斷線時成為開路狀態(tài)的電阻R12A的另一端的電壓(開路電壓)而小于電源電壓VD的電壓。因此，在熔斷器19未斷路、即正常時，輸出“L”的IGBT斷路信號SB1。
[0137]IPM9還具備作為異?，F(xiàn)象識別部的以下的第I?第3異常現(xiàn)象識別部，每個該異?，F(xiàn)象識別部都不具備熔斷器。
[0138]第I異?，F(xiàn)象識別部由電阻R12B、(NPN雙極)晶體管Q12B、鎖存電路25B和外部端子P14以及發(fā)光二極管D5構成。第2異?，F(xiàn)象識別部由電阻R12C以及(NPN雙極)晶體管Q12C和鎖存電路25C構成。
[0139]在第I異?，F(xiàn)象識別部中，在外部端子P1、外部端子P14間在外部插入發(fā)光二極管D5。即，發(fā)光二極管D5的正極與外部端子Pl連接，負極與外部端子P14連接。并且，在外部端子P14、外部端子P3間串聯(lián)地插入電阻R12B以及晶體管Q12B。S卩，電阻R12B的一端與外部端子P14連接，電阻R12B的另一端與晶體管Q12B的集電極連接，晶體管Q12B的發(fā)射極與外部端子P3連接。并且，對晶體管Q12B的基極施加特定異常檢測信號S24B的鎖存電路25B的輸出。
[0140]在第2異常現(xiàn)象識別部中，在外部端子P2、P3間，R12C的一端與外部端子P2連接，電阻R12C的另一端與晶體管Q12C的集電極連接，晶體管Q12C的發(fā)射極與外部端子P3連接。并且，向晶體管Q12C的基極施加對特定異常檢測信號S24C進行鎖存的鎖存電路25C的輸出。
[0141]鎖存電路25A?25C與實施方式2的鎖存電路15相同，如果接收“H”的特定異常檢測信號S24A?S24C，則進行保持，并執(zhí)行保持“H”狀態(tài)的鎖存動作，直至執(zhí)行控制電源復位動作為止。雖然省略了圖示，但鎖存電路25A?25C將從外部端子Pl獲得的電源電壓VD作為動作電壓。
[0142]并且，設置在外部端子P2、P3間的電阻Rl以及晶體管Ql作為第3異常現(xiàn)象識別部而設置。第3異?，F(xiàn)象識別部具備與實施方式I?實施方式8中所述的異常輸出部等同的結構，但在將從異常檢測電路24D輸出的異常檢測信號SF(=特定異常檢測信號S24D)被晶體管Ql的基極接收這一點不同。
[0143]異常檢測電路24A?24D被輸入比較器檢測信號S18A?S18D，基于比較器檢測信號S18A?S18D的“H” / “L”，分別執(zhí)行輸出“H” / “L”的特定異常檢測信號S24A?S24D的第I?第4異常檢測動作。
[0144]異常檢測電路24B在輸出“H”的特定異常檢測信號S24B時，一起輸出指示IGBT56的斷路設定的“H”的IGBT斷路信號SB2(參照圖4)。同樣地，異常檢測電路24C在輸出“H”的特定異常檢測信號S24C時，一起輸出指示IGBT56的斷路設定的“H”的IGBT斷路信號SB3(參照圖4)。
[0145]溫度檢測電路34與實施方式8相同，搭載在IPM8的IGBT56的附近，輸出表示基于檢測的溫度的電壓的檢測溫度信號S34。
[0146]比較器18A在負輸入端接收比較電壓V175(與檢測溫度信號S34指示175°C時相當?shù)碾妷?，在正輸入端接受檢測溫度信號S34，基于比較電壓V175和檢測溫度信號S34的比較結果輸出比較器檢測信號S18A。
[0147]比較器18B在負輸入端接收比較電壓V150(與檢測溫度信號S34指示150°C時相當?shù)碾妷?，在正輸入端接收檢測溫度信號S34，基于比較電壓V150和檢測溫度信號S34的比較結果輸出比較器檢測信號S18B。
[0148]比較器18C在負輸入端接收比較電壓V135(與檢測溫度信號S34指示135°C時相當?shù)碾妷?，在正輸入端接收檢測溫度信號S34，基于比較電壓V135和檢測溫度信號S34的比較結果輸出比較器檢測信號S18C。
[0149]比較器18D在負輸入端接收比較電壓VlOO (與檢測溫度信號S34指示100°C時相當?shù)碾妷?，在正輸入端接收檢測溫度