一種開(kāi)關(guān)電源電路和開(kāi)關(guān)電源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域，尤其涉及一種開(kāi)關(guān)電源電路和開(kāi)關(guān)電源。
[0002]
【背景技術(shù)】
[0003]開(kāi)關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp—般都與開(kāi)關(guān)元件或二極管并聯(lián)，而寄生電感L通常與其串聯(lián)。由于這些寄生電容與電感的作用，開(kāi)關(guān)元件在通斷工作時(shí)，往往會(huì)產(chǎn)生較大的電壓浪涌。
[0004]而目前的開(kāi)關(guān)電源浪涌保護(hù)電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，效率低，不能很好的抑制開(kāi)關(guān)電源的浪涌電壓。
[0005]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種開(kāi)關(guān)電源電路，旨在解決的問(wèn)題目前開(kāi)關(guān)電源浪涌保護(hù)電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，效率低，不能很好的抑制開(kāi)關(guān)電源的浪涌電壓的問(wèn)題。
[0007]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種開(kāi)關(guān)電源電路，與振蕩電路連接，所述振蕩電路用于生成控制所述開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換頻率的振蕩信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)電源電路包括浪涌保護(hù)電路；
所述浪涌保護(hù)電路的第一輸入端和第二輸入端分別與所述開(kāi)關(guān)電源的電壓輸出端和反饋端連接，控制端與所述振蕩電路的控制輸出端連接，用于根據(jù)所述開(kāi)關(guān)電源的電壓反饋端輸出的電壓的變化對(duì)所述振蕩電路在放電過(guò)程中的電流進(jìn)行調(diào)節(jié)以調(diào)節(jié)所述振蕩電路的振蕩頻率。
[0008]進(jìn)一步地，所述振蕩電路包括生成振蕩信號(hào)的振蕩器和與電源電壓連接的充放電電路；
所述充放電電路包括第一電阻和第一電容；
所述第一電阻的第一端與所述電源電壓連接，所述第一電阻的第二端與所述第一電容的第一端連接，所述第一電容的第二端接地，所述第一電阻和第一電容的公共連接端為所述振蕩電路的控制輸出端。
[0009]進(jìn)一步地，所述浪涌保護(hù)電路包括第一運(yùn)放以及第一 N型MOS管；
所述第一運(yùn)放的反相輸入端為所述浪涌保護(hù)電路的第一輸入端，所述第一運(yùn)放的正相輸入端為所述浪涌保護(hù)電路的第二輸入端，所述第一運(yùn)放的輸出端與所述第一 N型MOS管的柵極連接，所述第一 N型MOS管的漏極為所述浪涌保護(hù)電路的輸入端，所述第一 N型MOS管的源極為所述浪涌保護(hù)電路的輸出端接地。
[0010]進(jìn)一步地，所述浪涌保護(hù)電路包括:
第一 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管、第二 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管、第三P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管、第四N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管以及第二 N型MOS管； 所述第一 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為所述浪涌保護(hù)電路的第一輸入端，所述第一 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述第二 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極以及所述第三P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接，所述第二 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述開(kāi)關(guān)電源電路的偏置電流輸出端連接，所述第二 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述開(kāi)關(guān)電源電路的電源端連接，所述第三P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為所述浪涌保護(hù)電路的第二輸入端，所述第三P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第四N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極以及所述第四N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接，所述第一 P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第四N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極共接于所述第二 N型MOS管的源極，所述第四N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述第二 N型MOS管的柵極連接，所述第二N型MOS管的漏極為所述浪涌保護(hù)電路的控制端，所述第二 N型MOS管的源極接地。
[0011]本發(fā)明的目的還在于提供一種開(kāi)關(guān)電源，所述開(kāi)關(guān)電源包括上述所述的開(kāi)關(guān)電源電路。
[0012]在本發(fā)明中，所述浪涌保護(hù)電路用于根據(jù)所述開(kāi)關(guān)電源的電壓反饋端輸出的電壓的變化對(duì)所述振蕩電路在放電過(guò)程中的電流進(jìn)行調(diào)節(jié)以調(diào)節(jié)所述振蕩電路的振蕩頻率，以平穩(wěn)開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換輸出電壓，從而達(dá)到對(duì)開(kāi)關(guān)電源電路進(jìn)行浪涌保護(hù)的目的。本發(fā)明提供的開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，效率高，能夠很好的抑制開(kāi)關(guān)電源浪涌電壓。
[0013]
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的開(kāi)關(guān)電源電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；
圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的浪涌保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的浪涌保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
[0015]
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0017]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述:
圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的開(kāi)關(guān)電源電路的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅列出與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下:
如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的開(kāi)關(guān)電源電路200，與振蕩電路100連接，振蕩電路100用于生成控制開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換頻率的振蕩信號(hào)，該開(kāi)關(guān)電源電路包括浪涌保護(hù)電路200;
浪涌保護(hù)電路200的第一輸入端Vl和第二輸入端V2分別與該開(kāi)關(guān)電源的電壓輸出端和反饋端連接，控制端與振蕩電路100的控制輸出端連接，用于根據(jù)該開(kāi)關(guān)電源的電壓反饋端輸出的電壓的變化對(duì)振蕩電路100在放電過(guò)程中的電流進(jìn)行調(diào)節(jié)以調(diào)節(jié)振蕩電路100的振蕩頻率。
[0018]其中，振蕩電路100包括生成振蕩信號(hào)的振蕩器102和與電源電壓連接的充放電電路101； 充放電電路101包括第一電阻Rl和第一電容Cl;
第一電阻Rl的第一端與電源電壓VCC連接，第一電阻Rl的第二端與第一電容Cl的第一端連接，第一電容Cl的第二端接地，第一電阻Rl和第一電容Cl的公共連接端為振蕩電路100的控制輸出端。
[0019]在本發(fā)明實(shí)施例中，浪涌保護(hù)電路200根據(jù)反饋電壓V2的變化對(duì)充放電電路101的放電電流進(jìn)行分流調(diào)節(jié)，從而影響充放電電路101的放電時(shí)間，由于振蕩電路100產(chǎn)生的振蕩頻率與充放電電路101的放電時(shí)間成正比，當(dāng)放電電流變小時(shí)，放電時(shí)間必然變長(zhǎng)，振蕩電路100的振蕩頻率變長(zhǎng)，從而對(duì)振蕩電路100的振蕩頻率進(jìn)彳丁調(diào)節(jié)，平穩(wěn)開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換(輸出)電壓，進(jìn)而達(dá)到對(duì)開(kāi)關(guān)電源電路進(jìn)行浪涌保護(hù)的目的。
[0020]實(shí)施例一:
圖2示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的浪涌保護(hù)電路102的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅列出與本發(fā)明第一實(shí)施相關(guān)的部分，詳述如下:
如圖2所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，浪涌保護(hù)電路200包括第一運(yùn)放Ul以及第一 N型MOS管 Ql;
第一運(yùn)放Ul的反相輸入端為浪涌保護(hù)電路200的第一輸入端VI，第一運(yùn)放Ul的正相輸入端為浪涌保護(hù)電路200的第二輸入端V2，第一運(yùn)放Ul的輸出端與第一 N型MOS管Ql的柵極連接，第一 N型MOS管Ql的漏極為浪涌保護(hù)電路Q200的控制端，第一 N型MOS管Ql的源極為浪涌保護(hù)電路102的輸出端接地。
[0021]下面對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施例提供的浪涌保護(hù)電路的工作原理進(jìn)行說(shuō)明:
當(dāng)開(kāi)關(guān)電源電路上電以后，此時(shí)振蕩器102開(kāi)始工作，由于開(kāi)關(guān)電源電路的輸出電壓由低電平慢慢上升，所以反饋電壓V2同樣開(kāi)始上升，當(dāng)反饋電壓V2小于Vl時(shí)，第一運(yùn)放Ul輸出電平相對(duì)較高，此時(shí)控制第一 N型MOS管Ql導(dǎo)通，第一電容Cl的充電電流會(huì)有部分電流進(jìn)入浪涌保護(hù)電路200，使得第一電容Cl的充電電流變小，則第一