配置電阻R4連接PMOS管Q5的柵極。將所述PMOS管Q5的漏極連接至第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的使能端EN，柵極連接所述NPN型三極管Q6的集電極。所述NPN型三極管Q6的發(fā)射極接地，基極接收MCU輸出的第三使能信號(hào)EN3。
[0033]由于兩類用電負(fù)載LOADl、L0AD2所需的供電電壓可能不同，在本實(shí)施例中，所述第一類用電負(fù)載LOADl所需的供電電壓Vl小于第二類用電負(fù)載L0AD2所需的供電電壓V2，因此為了滿足兩類用電負(fù)載LOADl、L0AD2的供電需求，需要對(duì)第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul輸出的電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。為此，本實(shí)施例在第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的反饋端FB連接一阻值可調(diào)的分壓電路，通過(guò)改變連接到所述反饋端FB的分壓電阻來(lái)調(diào)節(jié)電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的輸出電壓。
[0034]作為所述分壓電路的一種優(yōu)選電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)施例在所述分壓電路中設(shè)置有兩個(gè)開(kāi)關(guān)元件Ql、Q2和三個(gè)分壓電阻Rl、R2、R5，如圖2所示。其中，所述的兩個(gè)開(kāi)關(guān)元件Ql、Q2可以選用NPN型三極管、MOS管或者可控硅等具有開(kāi)關(guān)作用的元器件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，本實(shí)施例以NPN型三極管為例進(jìn)行說(shuō)明。將兩個(gè)NPN型三極管Q1、Q2的集電極分別連接至第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的反饋端FB，并通過(guò)第二分壓電阻R2連接至第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的輸出端OUT。將NPN型三極管Ql (第一開(kāi)關(guān)元件)的發(fā)射極通過(guò)串聯(lián)的第一分壓電阻Rl接地，NPN型三極管Ql的基極接收所述的第一使能信號(hào)ENl。將NPN型三極管Q2 (第二開(kāi)關(guān)元件)的發(fā)射極通過(guò)串聯(lián)的第三分壓電阻R5接地，NPN型三極管Q2的基極接收所述的第三使能信號(hào)EN3。
[0035]當(dāng)系統(tǒng)開(kāi)機(jī)后，輸入電源VIN建立起來(lái)，分別傳輸至第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul和第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2的輸入端IN，為兩路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul、U2供電。利用所述輸入電源VIN可以為MCU供電，使MCU啟動(dòng)并進(jìn)入穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài)。MCU穩(wěn)定運(yùn)行后，輸出無(wú)效的第一使能信號(hào)ENl (例如低電平)和有效的第二使能信號(hào)EN2和第三使能信號(hào)EN3 (例如高電平)。此時(shí)，由于第二使能信號(hào)EN2為高電平，因此第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2使能運(yùn)行，通過(guò)配置連接在第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2的反饋端FB與輸出端OUT的分壓電阻R7、R6的阻值，可以控制第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2的輸出電壓為第二類用電負(fù)載L0AD2所需的供電電壓V2。同時(shí)，由于第三使能信號(hào)EN3為高電平，因此NPN型三極管飽和導(dǎo)通，拉低PMOS管Q5的柵極電位，控制PMOS管Q5飽和導(dǎo)通，使高電平的第二使能信號(hào)EN2傳輸至第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的使能端EN，控制第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul使能運(yùn)行。此時(shí)，由于第一使能信號(hào)ENl為低電平、第三使能信號(hào)EN3為高電平，因此三極管Ql截止，三極管Q2飽和導(dǎo)通，即接入到第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的反饋端FB的分壓電阻為R2和R5，通過(guò)合理地配置分壓電阻R2和R5的阻值，使通過(guò)第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul輸出的供電電壓V=V2+Va+VD;其中，V2是第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2輸出的供電電壓；Va是第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2的輸出電壓的允許波動(dòng)值；VD是所述防反偏二極管D2的導(dǎo)通壓降。由此可以保證兩路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul、U2在第二類用電負(fù)載L0AD2啟動(dòng)運(yùn)行時(shí)，能夠同時(shí)為第二類用電負(fù)載L0AD2供電，實(shí)現(xiàn)了在第二類用電負(fù)載L0AD2啟動(dòng)時(shí)由兩路電源轉(zhuǎn)換芯片同時(shí)為大負(fù)載供電的目的，增強(qiáng)了電源的帶載能力，保證了供電電壓V2在負(fù)載L0AD2啟動(dòng)時(shí)的穩(wěn)定性。
[0036]待第二類用電負(fù)載L0AD2運(yùn)行穩(wěn)定后，MCU置第一使能信號(hào)ENl和第二使能信號(hào)EN2為有效狀態(tài)(例如高電平)，并置第三使能信號(hào)EN3為無(wú)效狀態(tài)(例如低電平)。此時(shí)，第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2保持使能運(yùn)行狀態(tài)，繼續(xù)為第二類用電負(fù)載L0AD2供電，保證第二類用電負(fù)載L0AD2持續(xù)運(yùn)行。與此同時(shí)，由于第三使能信號(hào)EN3為低電平，使三極管Q6截止，PMOS管Q5由于其柵極電壓等于其源極電壓而轉(zhuǎn)入關(guān)斷狀態(tài)，從而切斷第二使能信號(hào)EN2向第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的傳送，此時(shí)的第二使能信號(hào)EN2僅用于控制第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2使能運(yùn)行。在第二類用電負(fù)載L0AD2運(yùn)行穩(wěn)定后，第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的運(yùn)行狀態(tài)由第一使能信號(hào)ENl控制，即MCU輸出高電平的第一使能信號(hào)ENl通過(guò)開(kāi)關(guān)二極管Dl傳輸至第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的使能端EN，控制第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul在第二類用電負(fù)載L0AD2啟動(dòng)運(yùn)行到穩(wěn)定狀態(tài)后使能運(yùn)行，為第一類用電負(fù)載LOADl供電。此時(shí)，由于第一使能信號(hào)ENl為高電平、第三使能信號(hào)EN3為低電平，因此連接到第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的反饋端FB的三極管Ql飽和導(dǎo)通，三極管Q2截止，即接入到第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的反饋端FB的分壓電阻為R2和Rl，通過(guò)合理地配置分壓電阻R2和Rl的阻值，使通過(guò)第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul輸出的供電電壓V=Vl，以滿足第一類用電負(fù)載LOADl的供電需求，控制第一類用電負(fù)載LOADl啟動(dòng)運(yùn)行。在本實(shí)施例中，應(yīng)采用導(dǎo)通電阻盡量小的PMOS管Q3，以降低PMOS管Q3上的導(dǎo)通壓降。由于第一類用電負(fù)載LOADl的啟動(dòng)電流波動(dòng)較小，不會(huì)超出電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的承受范圍，因此不會(huì)對(duì)電源電路的輸出造成影響，確保了電源電路輸出電壓的穩(wěn)定性。
[0037]在第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul為第一類用電負(fù)載LOADl供電時(shí)，限制所述第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul輸出的供電電壓V ( V2-Va+VD。因?yàn)橐坏┑诙冯娫葱酒琔2輸出的電壓出現(xiàn)波動(dòng)時(shí)，最小是V2-Va，則如果第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul輸出的供電電壓V>V2-Va+VD，則第二路電源轉(zhuǎn)換芯片U2的輸出電壓就會(huì)通過(guò)防反偏二極管D2對(duì)第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul輸出的供電電壓V形成一個(gè)鉗位，有可能會(huì)影響到第一類用電負(fù)載LOADl的正常工作。所以，為了保證第一類用電負(fù)載LOADl的正常運(yùn)行，第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的輸出電壓要小于等于V2-Va+VD，且同時(shí)第一類用電負(fù)載LOADl的供電需求。
[0038]為了保證第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul在為第二類用電負(fù)載供電時(shí)，其輸出電壓不會(huì)到達(dá)第一類用電負(fù)載LOADl，繼而避免可能的電壓過(guò)高對(duì)第一類用電負(fù)載LOADl造成損害，本實(shí)施例在第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的輸出端OUT與第一類用電負(fù)載LOADl之間還連接有第二開(kāi)關(guān)電路，如圖2所示。利用MCU輸出的第一使能信號(hào)ENl控制所述第二開(kāi)關(guān)電路通斷，以保證在第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的輸出電壓V=Vl時(shí)，再傳輸至第一類用電負(fù)載LOADl，為第一類用電負(fù)載LOADl供電。
[0039]作為本實(shí)施例的一種優(yōu)選設(shè)計(jì)方案，所述第二開(kāi)關(guān)電路可以采用NPN型三極管Q4配合PMOS管Q3連接而成。如圖2所示，將所述PMOS管Q3的源極連接第一路電源轉(zhuǎn)換芯片Ul的輸出端0UT，并通過(guò)配置電阻R3連接PMOS管Q3的柵極。將所述PMOS管Q3的漏極連接第一類用電負(fù)載LOADl，柵極連接所述NPN型三極管Q4的集電極。所述NPN型三極管Q4的發(fā)射極接地，基極接收MCU輸出的第一使能信號(hào)ENl。
[0040]在第二類用電負(fù)載L0AD2啟動(dòng)運(yùn)行的期間內(nèi)，由于通過(guò)MCU輸出的第一使能信號(hào)ENl為低電平，因此NPN型三極管Q4截止，PMOS管Q3由于其柵極電位等于其源極電