一種同步二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于交流轉(zhuǎn)直流變換電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種同步二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]伴隨著全球性環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，在世界各國(guó)，尤其是發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)，綠色環(huán)保的電源的應(yīng)用將越來越普及，電源中又以開關(guān)電源的效率最高，常規(guī)的開關(guān)電源所使用的整流二極管開啟電壓高，在低電壓大電流下?lián)p耗大，開關(guān)電源的效率低，同步整流電路是用一個(gè)MOS管代替整流二極管，MOS管的導(dǎo)通電壓與MOS管的開啟電阻Rds有關(guān)，導(dǎo)通電壓V F =RdsiXI，Rds；很小時(shí)開啟電壓就很低，電路的效率就提尚了，現(xiàn)在尚效率開關(guān)電源的整流電路都使用同步整流電路代替普通整流二極管以提高開關(guān)電源的效率，但是常用的同步整流電路、控制電路與MOS管分離，加上控制電路的外部元件也比較多，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，占用PCB的面積也大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明正是鑒于常用的同步整流電路的技術(shù)缺陷，提出一種新的技術(shù)方案，將常用同步二極管的控制電路與MOS管、供電電路及外部電路作在同一個(gè)封裝芯片上，芯片有兩只引腳，一只A極，另一只K極，與普通二極管的A極與K極相對(duì)應(yīng)，可以在線路中直接代替現(xiàn)有的普通二極管，電路十分簡(jiǎn)潔，占用PCB的面積小，一致性與可靠性得到提高。
[0004]本發(fā)明解決所述的技術(shù)問題的技術(shù)方案是:設(shè)計(jì)一種同步二極管，包括主功率MOS管、供電電路、電壓判定電路、邏輯電路、貯能電容、A極引腳和K極引腳；所述主功率MOS管Ml包括漏極、源極、柵極和寄生二極管，所述漏極與源極連接在一起，寄生二極管的正極與源極相連接，寄生二極管的負(fù)極與漏極相連接。
[0005]所述主功率MOS管的漏極與電壓判定電路輸入及供電電路輸入相連；電壓判定電路輸出極與邏輯電路輸入相連；供電電路的輸出與貯能電容及邏輯電路的供電極相連，貯能電容的另一極與主功率MOS管的源極相連，邏輯電路輸出與主功率MOS管的柵極相連，邏輯電路的接地極與主功率MOS管的源極相連，源極MOS管的漏極與輸出的K極引腳相連，主功率MOS管的源極與輸出的A極引腳相連。
[0006]所述A極引腳為同步二極管的正極，K極引腳為同步二極管的負(fù)極。
[0007]所述主功率MOS管、供電電路、電壓判定電路、邏輯電路、貯能電容、A極引腳和K極引腳封裝在同一個(gè)芯片上。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于，將多個(gè)電路和主功率MOS管封裝在于一個(gè)芯片上，電路十分簡(jiǎn)潔，占用PCB的面積小，一致性與可靠性得到提高。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明同步二極管一種實(shí)施例的原理框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]以下將結(jié)合附圖1對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明，但不應(yīng)以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0011]為了方便說明并且理解本發(fā)明的技術(shù)方案，以下說明所使用的方位詞均以附圖所展示的方位為準(zhǔn)。
[0012]本發(fā)明一種同步二極管，包括主功率MOS管Ml、供電電路、電壓判定電路、邏輯電路、貯能電容Cl、A極引腳和K極引腳；所述主功率MOS管Ml包括漏極(D極)、源極(S極)、柵極(G極)和寄生二極管Dl，所述漏極與源極連接在一起，寄生二極管Dl的正極與源極相連接，寄生二極管Dl的負(fù)極與漏極相連接。
[0013]所述主功率MOS管的漏極與電壓判定電路輸入及供電電路輸入相連；電壓判定電路輸出極與邏輯電路輸入相連；供電電路的輸出與貯能電容Cl及邏輯電路的供電極相連，貯能電容Cl的另一極與主功率MOS管的源極相連，邏輯電路輸出與主功率MOS管的柵極相連，邏輯電路的接地極與主功率MOS管的源極相連，源極MOS管的漏極與輸出的K極引腳相連，主功率MOS管的源極與輸出的A極引腳相連。A極引腳為同步二極管的正極，K極引腳為同步二極管的負(fù)極。
[0014]所述主功率MOS管Ml、供電電路、電壓判定電路、邏輯電路、貯能電容Cl、A極引腳和K極引腳封裝在同一個(gè)芯片上。
[0015]圖1是本發(fā)明同步二極管的原理框圖，所述主功率MOS管Ml起開關(guān)用，電壓判定電路是判定主功率MOS管Ml的D極上的電壓，當(dāng)主功率MOS管Ml的D極電壓高于主功率MOS管Ml的S極電壓時(shí)，輸出低電平給邏輯電路，邏輯電路輸出低電壓給主功率MOS管Ml的G極，主功率MOS管Ml關(guān)斷，當(dāng)主功率MOS管Ml的D極電壓低于其S極電壓時(shí)，輸出高電平給邏輯電路，邏輯電路輸出高電壓給主功率MOS管Ml的G極，主功率MOS管Ml開通。
[0016]本發(fā)明將常用同步二極管的控制電路與主功率MOS管M1、供電電路及外部電路封裝在同一個(gè)芯片上，芯片有兩只引腳，一只A極引腳，另一只K極引腳，與普通二極管的A極與K極相對(duì)應(yīng)，可以在線路中直接代替現(xiàn)有的普通二極管，電路十分簡(jiǎn)潔，占用PCB的面積小，一致性與可靠性得到提高。
[0017]圖1是根據(jù)上述說明書的揭示和教導(dǎo)，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行變更和修改。因此，本發(fā)明并不局限于上面揭示和描述的【具體實(shí)施方式】，對(duì)本發(fā)明的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成任何限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種同步二極管，其特征在于，包括主功率MOS管、供電電路、電壓判定電路、邏輯電路、貯能電容、A極引腳和K極引腳；所述主功率MOS管Ml包括漏極、源極、柵極和寄生二極管，所述漏極與源極連接在一起，寄生二極管的正極與源極相連接，寄生二極管的負(fù)極與漏極相連接； 所述主功率MOS管的漏極與電壓判定電路輸入及供電電路輸入相連；電壓判定電路輸出極與邏輯電路輸入相連；供電電路的輸出與貯能電容及邏輯電路的供電極相連，貯能電容的另一極與主功率MOS管的源極相連，邏輯電路輸出與主功率MOS管的柵極相連，邏輯電路的接地極與主功率MOS管的源極相連，源極MOS管的漏極與輸出的K極引腳相連，主功率MOS管的源極與輸出的A極引腳相連； 所述A極引腳為同步二極管的正極，K極引腳為同步二極管的負(fù)極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步二極管，其特征在于，所述電壓判定電路是判定主功率MOS管的漏極上的電壓，當(dāng)主功率MOS管的漏極電壓高于主功率MOS管的源極電壓時(shí)，輸出低電平給邏輯電路，邏輯電路輸出低電壓給主功率MOS管的柵極，主功率MOS管關(guān)斷，當(dāng)主功率MOS管的漏極電壓低于主功率MOS管的源極電壓時(shí)，輸出高電平給邏輯電路，邏輯電路輸出高電壓給主功率MOS管的柵極，主功率MOS管開通。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步二極管，其特征在于，所述供電電路為邏輯電路供電，當(dāng)主功率MOS管的漏極電壓高于主功率MOS管的源極電壓時(shí)，供電電路開通，電流由主功率MOS管的漏極經(jīng)供電電路給貯能電容充電，當(dāng)主功率MOS管的漏極電壓低于主功率MOS管的源極電壓時(shí)，供電電路關(guān)斷。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步二極管，其特征在于，所述主功率MOS管、供電電路、電壓判定電路、邏輯電路、貯能電容、A極引腳和K極引腳封裝在同一個(gè)芯片上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種同步二極管，屬于交流轉(zhuǎn)直流變換電路技術(shù)領(lǐng)域。其基本方案是用主功率MOS管的導(dǎo)通替代交直流轉(zhuǎn)換電路中的整流二極管，以提高交直流轉(zhuǎn)換電路的效率。整流二極管在正向?qū)〞r(shí)的開啟電壓都大于0.4V，當(dāng)交直流變換電路輸出低電壓大電流時(shí)，整流二極管的消耗將會(huì)很大，電路的效率很低，本發(fā)明同步二極管利用主功率MOS管的導(dǎo)通代替整流二極管的開啟電壓，大大的降低了開通時(shí)的損耗，提高了交直流轉(zhuǎn)換電路的效率，是一種簡(jiǎn)便、高效的整流電路。
【IPC分類】H02M7/217, H02M7/00
【公開號(hào)】CN104953859
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510390992
【發(fā)明人】謝勇
【申請(qǐng)人】深圳東科半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年7月6日